AT24C02芯片是怎么刪除所存儲的數(shù)據(jù)？這里分享一些工程師的經(jīng)驗(yàn)：刪除AT24C02的數(shù)據(jù)只要寫255就行了。更具體的方法請?jiān)敿?xì)查證。AT24C02芯片是以IIC接口的EEPROM器件。所謂EEPROM即電可擦除可編程只讀存儲器，是ROM的一種。它是只讀存儲器，即掉電可繼續(xù)存儲數(shù)據(jù)，而同時又可以在高于普通電壓的作用下擦除和重寫，這就方便了單片機(jī)對其的開發(fā)，現(xiàn)在電腦上的ROM很多都是用的EEPROM。存儲器原理現(xiàn)以DRAM(動態(tài)存儲器)為例來講解存儲器的工作原理。對動態(tài)存儲器進(jìn)行寫入操作時，行地址首先將RAS鎖存于芯片中，然后列地址將CAS鎖存于芯片中，WE有效，寫入數(shù)據(jù)，則寫入的數(shù)據(jù)被存儲于...

存儲器的產(chǎn)業(yè)鏈簡單介紹：存儲器行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈上游主要為材料及設(shè)備供應(yīng)環(huán)節(jié)；中游為存儲器生產(chǎn)供應(yīng)環(huán)節(jié)；下游廣泛應(yīng)用于計算機(jī)、消費(fèi)電子、網(wǎng)絡(luò)通信、汽車電子、智能終端等各個領(lǐng)域。中游存儲芯片可分為掉電易失和掉電非易失兩種，其中易失存儲芯片主要包含靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器（SRAM）和動態(tài)隨機(jī)存取存儲器（DRAM），非易失性存儲器主要包括可編程只讀存儲器（PROM），閃存存儲器（Flash）等；下游主要應(yīng)用于消費(fèi)電子、信息通信、汽車電子、服務(wù)器、工業(yè)電子等領(lǐng)域。上游參與者為硅片、光刻膠、電子特種氣體等原材料供應(yīng)商和光刻設(shè)備、刻蝕設(shè)備、檢測設(shè)備等設(shè)備供應(yīng)商。存儲器芯片IC哪家好？選擇千百路科技，服務(wù)好，價格實(shí)惠，...

近年來，我國智能手機(jī)、物聯(lián)網(wǎng)、智能可穿戴設(shè)備、服務(wù)器等消費(fèi)電子產(chǎn)品迅速增長，應(yīng)用場景更加廣，對存儲器需求進(jìn)一步提升。應(yīng)用場景包括在所有類型的計算機(jī)系統(tǒng)、移動電話等移動裝置、數(shù)據(jù)記錄設(shè)備、打印機(jī)、控制系統(tǒng)、智能終端、物聯(lián)網(wǎng)、安防監(jiān)控、工業(yè)控制、汽車電子以及個人移動存儲等領(lǐng)域。車規(guī)級存儲器并進(jìn)入了部分汽車行業(yè)客戶的供應(yīng)鏈體系。消費(fèi)電子也是存儲器芯片的應(yīng)用場景之一。工規(guī)級存儲器屬于嵌入式存儲芯片系列，也是重點(diǎn)發(fā)展的方向。深圳存儲器芯片代理分銷，提供全系列存儲器IC，滿足眾多電子廠家生產(chǎn)需求。番禺高速緩沖存儲器全系列動態(tài)存儲器(DRAM)的工作原理----動態(tài)存儲器每片只有一條輸入數(shù)據(jù)線，而地址引腳只...

折疊按信息的可保存性分1、非長久記憶的存儲器：斷電后信息即消失的存儲器。2、長久記憶性存儲器：斷電后仍能保存信息的存儲器。折疊按存儲器用途分1、根據(jù)存儲器在計算機(jī)系統(tǒng)中所起的作用，可分為（1）主存儲器、（2）輔助存儲器、（3）高速緩沖存儲器、（4）控制存儲器等。2、為了解決對存儲器要求容量大，速度快，成本低三者之間的矛盾，目前通常采用多級存儲器體系結(jié)構(gòu)，即使用高速緩沖存儲器、主存儲器和外存儲器。更好的提供服務(wù)。專業(yè)存儲器代理經(jīng)銷，提供全系列進(jìn)口存儲器芯片IC-千百路工業(yè)科技。廣東高速緩沖存儲器全型號ATMEL的質(zhì)量體系三：分布世界的專業(yè)設(shè)計能力和IPATMEL在全球擁有40個設(shè)計中心，分別專注...

新聞資訊-----業(yè)界人士認(rèn)為：2023年存儲器供過于求的情況將逐漸好轉(zhuǎn)據(jù)鈦媒體12月28日消息，2023年各大存儲器廠均布局DDR5，其滲透率提升有助供需進(jìn)一步改善。三星電子、SK海力士、美光等三大DRAM廠2022年均已量產(chǎn)DDR5，初期的產(chǎn)能比重仍然不高，2022年第四季DDR5在標(biāo)準(zhǔn)型DRAM領(lǐng)域的滲透率約不到15%。業(yè)界人士普遍認(rèn)為，2023年存儲器供過于求的情況將逐漸好轉(zhuǎn)，三大原廠將優(yōu)先守住DRAM價格，有利于DRAM從2023年一季落底，但NANDFlash競爭的壓力較大，預(yù)計市場需求反轉(zhuǎn)可能將延后1到2個季度。資料顯示，2021年全球存儲器行業(yè)市場規(guī)模為1353億美元，同比增長...

ATMEL對質(zhì)量的承諾ATMEL在各個層次都對質(zhì)量有明確的承諾。所有的ATMEL地點(diǎn)都經(jīng)過ISO9001認(rèn)證，大多數(shù)經(jīng)過QS9000認(rèn)證，有一些還通過了旨在保護(hù)環(huán)境的ISO14001認(rèn)證。所有ATMEL的運(yùn)做都受公司內(nèi)部詳細(xì)的質(zhì)量規(guī)范所控制，并定期進(jìn)行回顧和更新。其目的就是進(jìn)行持續(xù)不斷的改進(jìn)，提高客戶的總體滿意度。ATMEL的質(zhì)量小組與客戶合作進(jìn)行質(zhì)量審計，以保證ATMEL符合客戶的質(zhì)量要求。從客戶項(xiàng)目獲得的經(jīng)驗(yàn)將反饋到下一次產(chǎn)品的生產(chǎn)。ATMEL保持產(chǎn)品和技術(shù)更新的方法是已經(jīng)在實(shí)行的研究和開發(fā)的合作。研發(fā)項(xiàng)目與主要客戶和大學(xué)合作進(jìn)行，從而獲得先進(jìn)的功能模塊，以及工藝技術(shù)的改進(jìn)。ATMEL在全...

近年來，我國智能手機(jī)、物聯(lián)網(wǎng)、智能可穿戴設(shè)備、服務(wù)器等消費(fèi)電子產(chǎn)品迅速增長，應(yīng)用場景更加廣，對存儲器需求進(jìn)一步提升。應(yīng)用場景包括在所有類型的計算機(jī)系統(tǒng)、移動電話等移動裝置、數(shù)據(jù)記錄設(shè)備、打印機(jī)、控制系統(tǒng)、智能終端、物聯(lián)網(wǎng)、安防監(jiān)控、工業(yè)控制、汽車電子以及個人移動存儲等領(lǐng)域。車規(guī)級存儲器并進(jìn)入了部分汽車行業(yè)客戶的供應(yīng)鏈體系。消費(fèi)電子也是存儲器芯片的應(yīng)用場景之一。工規(guī)級存儲器屬于嵌入式存儲芯片系列，也是重點(diǎn)發(fā)展的方向。原裝進(jìn)口存儲器芯片-深圳市千百路工業(yè)科技有限公司，提供一站式服務(wù)。福州掩膜只讀存儲器作用存儲器產(chǎn)業(yè)鏈上游分析1.硅片半導(dǎo)體硅片是生產(chǎn)集成電路、存儲器、傳感器等半導(dǎo)體產(chǎn)品的關(guān)鍵材料。隨...

推進(jìn)存儲器產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，不僅是因?yàn)槠涮幱诩呻娐樊a(chǎn)業(yè)的重要地位，更是基于信息安全的考量，只有在存儲器、CPU等芯片領(lǐng)域具備自主可控能力，才能確保信息安全。當(dāng)前從外部發(fā)展環(huán)境來看，我國在應(yīng)用固態(tài)硬盤、磁硬盤、磁帶、半導(dǎo)體等數(shù)據(jù)存儲領(lǐng)域都面臨“卡脖子”問題，亟須構(gòu)筑存儲領(lǐng)域發(fā)展長板。當(dāng)前我國在電存儲和磁存儲領(lǐng)域尚不具備國際競爭優(yōu)勢，特別是磁盤存儲市場被壟斷。當(dāng)前全球光存儲技術(shù)及產(chǎn)業(yè)尚未進(jìn)入成熟期，我國企業(yè)與研發(fā)機(jī)構(gòu)有望與國際水平同步創(chuàng)新，甚至引導(dǎo)產(chǎn)業(yè)技術(shù)發(fā)展方向。從技術(shù)路線來看，全息光存儲被視為下一代光存儲技術(shù)。全息光存儲是一種高密度三維光存儲技術(shù)，采用與傳統(tǒng)二維存儲完全不同的機(jī)理。與目前存儲方式相...

SRAM主要用于二級高速緩存（Level2Cache)。它利用晶體管來存儲數(shù)據(jù)。與DRAM相比，SRAM的速度快，但在相同面積中SRAM的容量要比其他類型的內(nèi)存小。SRAM的速度快但昂貴，一般用小容量的SRAM作為更高速CPU和較低速DRAM之間的緩存（cache）.SRAM也有許多種，如AsyncSRAM(AsynchronousSRAM，異步SRAM）、SyncSRAM(SynchronousSRAM，同步SRAM）、PBSRAM(PipelinedBurstSRAM，流水式突發(fā)SRAM），還有INTEL沒有公布細(xì)節(jié)的CSRAM等?；镜腟RAM的架構(gòu)如圖1所示，SRAM一般可分為五大部分...

SRAM(靜態(tài)數(shù)據(jù)隨機(jī)存取存儲器)主要用于：通用性的商品。asynchronous界面，比如28針32Kx8的chip(一般取名為XXC256)，及其相近的商品數(shù)比較多16Mbit一片;synchronous界面，一般用作高速緩存(cache)及其它規(guī)定突發(fā)傳送的應(yīng)用，比較多18Mbit(256Kx72)一片。集成于芯片之內(nèi)。作為微處理器的RAM或是cache(一般從32bytes到128kilobytes);作為強(qiáng)勁的微控制器的主caches，如x86系列與很多其它CPU(從8kiB到上百萬字節(jié)數(shù)的數(shù)量級)。作為寄存器使用。用于特殊的ICs或ASIC(一般在幾千字節(jié)數(shù)量級);用于FPGA...

動態(tài)隨機(jī)存儲器（DynamicRAM），“動態(tài)”兩字指的是每隔一段時間，要刷新充電一次，否則內(nèi)部的數(shù)據(jù)即會消失。這是因?yàn)镈RAM的基本單元是一個晶體管加一個電容，并用電容有無電荷來表示數(shù)字信息0和1，電容漏電很快，為防止電容漏電而導(dǎo)致讀取信息出錯，需要周期性地給DRAM的電容充電，故DRAM速度比SRAM慢。另一方面，這種簡單的存儲模式也使得DRAM的集成度遠(yuǎn)高于SRAM，一個DRAM存儲單元只需一個晶體管和一個小電容，而每個SRAM單元需要四到六個晶體管和其他零件，故DRAM在高密度（大容量）以及價格方面均比SRAM有優(yōu)勢。SRAM多用于對性能要求極高的地方（如CPU的一級二級緩沖），而DR...

AT24C02功能描述：支持I2C，總線數(shù)據(jù)傳送協(xié)議I2C，總線協(xié)議規(guī)定任何將數(shù)據(jù)傳送到總線的器件作為發(fā)送器。任何從總線接收數(shù)據(jù)的器件為接收器。數(shù)據(jù)傳送是由產(chǎn)生串行時鐘和所有起始停止信號的主器件控制的。主器件和從器件都可以作為發(fā)送器或接收器，但由主器件控制傳送數(shù)據(jù)(發(fā)送或接收)的模式，由于A0、A1和A2可以組成000~111八種情況，即通過器件地址輸入端A0、A1和A2可以實(shí)現(xiàn)將比較多8個AT24C02器件連接到總線上，通過進(jìn)行不同的配置進(jìn)行選擇器件。「千百路科技」-深圳芯片代理經(jīng)銷商，為各大中小型電子廠家提供存儲器芯片IC系列。無錫隨機(jī)存儲器現(xiàn)貨庫存MRAM(MagneticRandomA...

SRAM的特點(diǎn)---SRAM是英文StaticRAM的縮寫，它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存，不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)。而DRAM（DynamicRandomAccessMemory)每隔一段時間，要刷新充電一次，否則內(nèi)部的數(shù)據(jù)即會消失，因此SRAM具有較高的性能，缺點(diǎn)是集成度較低，功耗較DRAM大，相同容量的DRAM內(nèi)存可以設(shè)計為較小的體積，但是SRAM卻需要很大的體積。同樣面積的硅片可以做出更大容量的DRAM，因此SRAM顯得更貴?；咎攸c(diǎn)特點(diǎn)歸納：◎優(yōu)點(diǎn)，速度快，不必配合內(nèi)存刷新電路，可提高整體的工作效率?！蛉秉c(diǎn)，集成度低，功耗較大，相同的容量體積較大，而且價格較高，少量用于...

內(nèi)存的正式名字叫做“存儲器”，是半導(dǎo)體行業(yè)三大支柱之一。2016年全球半導(dǎo)體市場規(guī)模為3400億美金，存儲器就占了768億美元。對于你身邊的手機(jī)、平板、PC、筆記本等所有電子產(chǎn)品來說，存儲器就類似于鋼鐵之于現(xiàn)代工業(yè)，是名副其實(shí)的電子行業(yè)“原材料”。存儲器芯片領(lǐng)域，主要分為兩類：易失性和非易失性。易失性：斷電以后，存儲器內(nèi)的信息就流失了，例如DRAM，主要用來做PC機(jī)內(nèi)存(如DDR)和手機(jī)內(nèi)存(如LPDDR)，兩者各占三成。非易失性：斷電以后，存儲器內(nèi)的信息仍然存在，主要是閃存（NandFLASH和NORFLASH），NOR主要應(yīng)用于代碼存儲介質(zhì)中，而NAND則用于數(shù)據(jù)存儲。找原裝芯片，進(jìn)口存儲...

eMRAM可以作為工作內(nèi)存和企業(yè)級存儲的高速緩存等使用，輔以其具備的非易失性優(yōu)勢，使得采用eMRAM作為存儲解決方案的電子設(shè)備在具備高速運(yùn)算能力的同時，實(shí)現(xiàn)低功耗。集成密度高、隨工藝節(jié)點(diǎn)等比微縮：集成密度高，指的是單位面積內(nèi)存儲容量大，高于eSRAM，因此成本低。隨工藝節(jié)點(diǎn)等比微縮，指的是隨著技術(shù)工藝的持續(xù)微小化，eMRAM的存儲單元尺寸可相應(yīng)等比例縮?。晌⒖s到7納米及以下），而eFlash因受到自身物理機(jī)理的限制，在28納米以下工藝節(jié)點(diǎn)便無法繼續(xù)微縮。eMRAM可持續(xù)發(fā)展性（技術(shù)壽命周期長），是工業(yè)界在考量該項(xiàng)新興技術(shù)時關(guān)注的一點(diǎn)；天然抗輻射：同傳統(tǒng)的存儲技術(shù)相比，eMRAM的存儲器件MT...

sram-靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器（StaticRandom-AccessMemory，SRAM）是隨機(jī)存取存儲器的一種。所謂的“靜態(tài)”，是指這種存儲器只要保持通電，里面儲存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。相對之下，動態(tài)隨機(jī)存取存儲器（DRAM）里面所儲存的數(shù)據(jù)就需要周期性地更新。然而，當(dāng)電力供應(yīng)停止時，SRAM儲存的數(shù)據(jù)還是會消失（被稱為volatilememory），這與在斷電后還能儲存資料的ROM或閃存是不同的。特點(diǎn)一、隨機(jī)存取所謂"隨機(jī)存取"，指的是當(dāng)存儲器中的數(shù)據(jù)被讀取或?qū)懭霑r，所需要的時間與這段信息所在的位置或所寫入的位置無關(guān)。相對的，讀取或?qū)懭腠樞蛟L問(SequentialAc...

作為非易失性存儲器技術(shù)的創(chuàng)建之父，ATMEL將繼續(xù)把這個重要能力集成到為計算和消費(fèi)產(chǎn)品(比如PC，存儲產(chǎn)品，DVD，娛樂平臺，游戲和玩具)服務(wù)的復(fù)雜產(chǎn)品之中。除了與不斷涌現(xiàn)的電子設(shè)備制造商建立合作關(guān)系之外，ATMEL的高密度存儲器產(chǎn)品、微控制器和ASIC同樣可以應(yīng)用到工業(yè)控制、圖像處理和汽車設(shè)備ATMEL公司是是世界上高級半導(dǎo)體產(chǎn)品設(shè)計、制造和行銷的先導(dǎo)者，產(chǎn)品包括了微處理器、可編程邏輯器件、非易失性存儲器、安全芯片、混合信號及RF射頻集成電路。通過這些重要技術(shù)的組合，ATMEL生產(chǎn)出了各種通用目的及特定應(yīng)用的系統(tǒng)級芯片，以滿足當(dāng)今電子系統(tǒng)設(shè)計工程師不斷增長和演進(jìn)的需求。專業(yè)存儲器代理分銷公司...

AT89S52是一種低功耗、高性能CMOS8位微控制器，是具有8K系統(tǒng)可編程Flash存儲器。使用Atmel公司高密度非易失性存儲器技術(shù)制造，與工業(yè)80C51產(chǎn)品指令和引腳完全兼容。片上Flash允許程序存儲器在系統(tǒng)內(nèi)編程，亦適于常規(guī)編程器。在單芯片上，擁有靈巧的8位CPU和在系統(tǒng)可編程Flash，使得AT89S52在眾多嵌入式控制應(yīng)用系統(tǒng)中得到廣泛應(yīng)用。主要性能1、與MCS-51單片機(jī)產(chǎn)品兼容;2、8K字節(jié)在系統(tǒng)可編程Flash存儲器;3、1000次擦寫周期;4、全靜態(tài)操作:0Hz-33MHz;5、三級加密程序存儲器;6、32個可編程I/O口線;7、三個16位定時器/計數(shù)器;8、6個中斷源;...

存儲器的產(chǎn)業(yè)鏈簡單介紹：存儲器行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈上游主要為材料及設(shè)備供應(yīng)環(huán)節(jié)；中游為存儲器生產(chǎn)供應(yīng)環(huán)節(jié)；下游廣泛應(yīng)用于計算機(jī)、消費(fèi)電子、網(wǎng)絡(luò)通信、汽車電子、智能終端等各個領(lǐng)域。中游存儲芯片可分為掉電易失和掉電非易失兩種，其中易失存儲芯片主要包含靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器（SRAM）和動態(tài)隨機(jī)存取存儲器（DRAM），非易失性存儲器主要包括可編程只讀存儲器（PROM），閃存存儲器（Flash）等；下游主要應(yīng)用于消費(fèi)電子、信息通信、汽車電子、服務(wù)器、工業(yè)電子等領(lǐng)域。上游參與者為硅片、光刻膠、電子特種氣體等原材料供應(yīng)商和光刻設(shè)備、刻蝕設(shè)備、檢測設(shè)備等設(shè)備供應(yīng)商。千百路科技是一家專注于存儲器系列芯片的深圳代理公司。西安...

存儲器的基本概念元素----存儲器：存放程序和數(shù)據(jù)的器件。存儲位：存放一個二進(jìn)制數(shù)位的存儲單元，是存儲器比較小的存儲單位，或稱記憶單元。存儲字：一個數(shù)（n位二進(jìn)制位）作為一個整體存入或取出時，稱存儲字。存儲單元：存放一個存儲字的若干個記憶單元組成一個存儲單元。存儲體：大量存儲單元的組成存儲體。存儲單元地址：存儲單元的編號。字編址：對存儲單元按字編址。字節(jié)編址：對存儲單元按字節(jié)編址。尋址：由地址尋找數(shù)據(jù)，從對應(yīng)地址的存儲單元中訪存數(shù)據(jù)。進(jìn)口芯片廠家，原廠存儲器芯片現(xiàn)貨，深圳代理經(jīng)銷商提供一站式服務(wù)。南京可擦可編程只讀存儲器是什么只讀存儲器(ReadOnlyMemory)ROM是只讀存儲器。顧名思...

ATMEL非易失性存儲器：ATMEL是非易失性存儲器NVM(掉電時數(shù)據(jù)仍然保持而不丟失)的先驅(qū)。非易失的特性使得這些存儲器非常適合于小體積的便攜產(chǎn)品以及電池供電的設(shè)備，因?yàn)樗鼈儾恍枰碾姷霓D(zhuǎn)動式磁盤或CDROM。ATMEL具有廣闊的NVM產(chǎn)品線:EEPROM，一次更新一個字，適合做數(shù)據(jù)存儲;高密度FLASH存儲器，一次更新一個存儲塊，適合于存儲程序或者是象圖形一類的大數(shù)據(jù)對象。此外，ATMEL還提供各種不同的配置和接口方式以匹配各種應(yīng)用的確切需要。ATMEL是世界上串行和并行FLASH存儲器的先導(dǎo)者，其產(chǎn)品可以滿足計算、汽車、電信、消費(fèi)產(chǎn)品應(yīng)用市場的程序和數(shù)據(jù)存儲的需要。ATMEL近期另一個創(chuàng)...

新聞資訊-----業(yè)界人士認(rèn)為：2023年存儲器供過于求的情況將逐漸好轉(zhuǎn)據(jù)鈦媒體12月28日消息，2023年各大存儲器廠均布局DDR5，其滲透率提升有助供需進(jìn)一步改善。三星電子、SK海力士、美光等三大DRAM廠2022年均已量產(chǎn)DDR5，初期的產(chǎn)能比重仍然不高，2022年第四季DDR5在標(biāo)準(zhǔn)型DRAM領(lǐng)域的滲透率約不到15%。業(yè)界人士普遍認(rèn)為，2023年存儲器供過于求的情況將逐漸好轉(zhuǎn)，三大原廠將優(yōu)先守住DRAM價格，有利于DRAM從2023年一季落底，但NANDFlash競爭的壓力較大，預(yù)計市場需求反轉(zhuǎn)可能將延后1到2個季度。資料顯示，2021年全球存儲器行業(yè)市場規(guī)模為1353億美元，同比增長...

只讀存儲器(ReadOnlyMemory)ROM是只讀存儲器。顧名思義，它的特點(diǎn)是只能讀出原有的內(nèi)容，不能由用戶再寫入新內(nèi)容。原來存儲的內(nèi)容是采用掩膜技術(shù)由廠家一次性寫入的，并長久保存下來。它一般用來存放專門用的固定的程序和數(shù)據(jù)。不會因斷電而丟失。CMOS存儲器（ComplementaryMetalOxideSemiconductorMemory，互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體內(nèi)存)COMS內(nèi)存是一種只需要極少電量就能存放數(shù)據(jù)的芯片。由于耗能極低，CMOS內(nèi)存可以由集成到主板上的一個小電池供電，這種電池在計算機(jī)通電時還能自動充電。因?yàn)镃MOS芯片可以持續(xù)獲得電量，所以即使在關(guān)機(jī)后，他也能保存有關(guān)計算機(jī)系...

AT24C02功能描述：支持I2C，總線數(shù)據(jù)傳送協(xié)議I2C，總線協(xié)議規(guī)定任何將數(shù)據(jù)傳送到總線的器件作為發(fā)送器。任何從總線接收數(shù)據(jù)的器件為接收器。數(shù)據(jù)傳送是由產(chǎn)生串行時鐘和所有起始停止信號的主器件控制的。主器件和從器件都可以作為發(fā)送器或接收器，但由主器件控制傳送數(shù)據(jù)(發(fā)送或接收)的模式，由于A0、A1和A2可以組成000~111八種情況，即通過器件地址輸入端A0、A1和A2可以實(shí)現(xiàn)將比較多8個AT24C02器件連接到總線上，通過進(jìn)行不同的配置進(jìn)行選擇器件。存儲器芯片IC系列實(shí)時報價-現(xiàn)貨服務(wù)。浙江隨機(jī)存儲器技術(shù)服務(wù)當(dāng)需要把數(shù)據(jù)寫入芯片時，行列地址先后將RAS和CAS鎖存在芯片內(nèi)部，然后，WE有效...

半導(dǎo)體存儲器從使用功能上分，有隨機(jī)存儲器（RandomAccessMemory，簡稱RAM），又稱讀寫存儲器；只讀存儲器（ReadOnlyMemory，簡稱為ROM）。一種內(nèi)存儲器1.隨機(jī)存儲器（RandomAccessMemory）RAM有以下特點(diǎn)：可以讀出，也可以寫入。讀出時并不損壞原來存儲的內(nèi)容，只有寫入時才修改原來所存儲的內(nèi)容。斷電后，存儲內(nèi)容立即消失，即具有易失性。RAM可分為動態(tài)（DynamicRAM）和靜態(tài)（StaticRAM）兩大類。DRAM的特點(diǎn)是集成度高，主要用于大容量內(nèi)存儲器；SRAM的特點(diǎn)是存取速度快，主要用于高速緩沖存儲器。采購存儲器芯片？選擇千百路科技，全型號存儲器...

SRAM的特點(diǎn)---SRAM是英文StaticRAM的縮寫，它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存，不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)。而DRAM（DynamicRandomAccessMemory)每隔一段時間，要刷新充電一次，否則內(nèi)部的數(shù)據(jù)即會消失，因此SRAM具有較高的性能，缺點(diǎn)是集成度較低，功耗較DRAM大，相同容量的DRAM內(nèi)存可以設(shè)計為較小的體積，但是SRAM卻需要很大的體積。同樣面積的硅片可以做出更大容量的DRAM，因此SRAM顯得更貴?；咎攸c(diǎn)特點(diǎn)歸納：◎優(yōu)點(diǎn)，速度快，不必配合內(nèi)存刷新電路，可提高整體的工作效率?！蛉秉c(diǎn)，集成度低，功耗較大，相同的容量體積較大，而且價格較高，少量用于...

數(shù)據(jù)顯示，中國特種氣體市場規(guī)模由2017年的175億元增長至2021年的342億元，復(fù)合年均增長率達(dá)18.24%。中商產(chǎn)業(yè)研究院預(yù)測，2022年我國特種氣體市場規(guī)模將達(dá)409億元。4.光刻機(jī)。全球半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)復(fù)蘇，受益于下游晶圓巨大需求、服務(wù)器云計算和5G基礎(chǔ)建設(shè)的發(fā)展，帶動相關(guān)芯片的需求，2020年光刻機(jī)銷售額與銷量增速穩(wěn)定提升。2021年全球集成電路、面板、LED用光刻機(jī)出貨約650臺，較2020年增加70臺。其中集成電路制造用光刻機(jī)出貨約500臺；面板、LED用光刻機(jī)出貨約150臺。2021年全球光刻機(jī)銷量為450臺，隨著下游市場需求持續(xù)升高，預(yù)計2022全球市場仍將持續(xù)增長，銷量將達(dá)...

目前，國內(nèi)外企業(yè)、研究機(jī)構(gòu)等對于相變存儲器的研發(fā)正加速推進(jìn)，其商業(yè)化的布局已經(jīng)展開。近年來，我國在相變存儲器領(lǐng)域的研究穩(wěn)步進(jìn)行，結(jié)合芯片制造與集成工藝的設(shè)計，形成自身的研究特色。存儲器新技術(shù)的快速發(fā)展將給我們帶來彎道超車的機(jī)會，未來相變存儲技術(shù)的突破將加速我國芯片產(chǎn)業(yè)自主化進(jìn)程。PCM器件的典型結(jié)構(gòu)由頂部電極、晶態(tài)GST、α/晶態(tài)GST[、熱絕緣體、電阻（加熱器）、底部電極組成。相變存儲器主要可以用來替代計算機(jī)主存、硬盤和閃存：①相變存儲器訪問相應(yīng)時間短，并且具有字節(jié)可尋址特性，其寫延遲約為DRAM的10倍，使他在設(shè)計參考中固件代碼的直接執(zhí)行上顯現(xiàn)出優(yōu)勢，并研究用來作為DRAM的替代品，傳統(tǒng)使...

AT24C08提供8192位的串行電可擦寫可編程只讀存儲器(EEPROM)，組織形式為1024字×8位字長。AT24C08適用于許多要求低功耗和低電壓操作的工業(yè)級或商業(yè)級應(yīng)用。工作溫度范圍:-40°C~+85°C。器件標(biāo)號:24，器件標(biāo)記:24C04，存儲器電壓Vcc:2.5V，存儲器類型:EEPROM，接口類型:Serial,I2C，電壓,Vcc:5.5V，電源電壓:5.5V，電源電壓:1.8V，片標(biāo)號:24C04，表面安裝器件:通孔安裝，邏輯功能號:24C04，頻率:1MHz。AT24C02是一個在突然掉電的情況下存儲數(shù)據(jù)的芯片，即掉電存儲芯片。中文名稱ATt24c04,存儲器配置512x...

sram-靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器（StaticRandom-AccessMemory，SRAM）是隨機(jī)存取存儲器的一種。所謂的“靜態(tài)”，是指這種存儲器只要保持通電，里面儲存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。相對之下，動態(tài)隨機(jī)存取存儲器（DRAM）里面所儲存的數(shù)據(jù)就需要周期性地更新。然而，當(dāng)電力供應(yīng)停止時，SRAM儲存的數(shù)據(jù)還是會消失（被稱為volatilememory），這與在斷電后還能儲存資料的ROM或閃存是不同的。特點(diǎn)一、隨機(jī)存取所謂"隨機(jī)存取"，指的是當(dāng)存儲器中的數(shù)據(jù)被讀取或?qū)懭霑r，所需要的時間與這段信息所在的位置或所寫入的位置無關(guān)。相對的，讀取或?qū)懭腠樞蛟L問(SequentialAc...