因此DRAM不適合作為啟動、應(yīng)用程序、操作系統(tǒng)等等代碼(Code)存儲使用,系統(tǒng)須搭配其他非易失性存儲器來執(zhí)行代碼存儲功能。另外,由于其多路尋址技術(shù),DRAM也相對較慢。DRAM行地址選擇和列行地址選擇讓隨機(jī)讀取需花費(fèi)25到300奈秒(ns)的時間,而這個延長的時間導(dǎo)致更高的總能量消耗。閃存存儲的數(shù)據(jù)不會衰減,斷電后可以保持其內(nèi)容多年,但NOR閃存比DRAM貴很多,而NAND閃存是順序讀取而且無法存取至特定的字節(jié)。這與計算機(jī)運(yùn)算隨機(jī)尋址讀取的需求并不匹配。所以NAND閃存必須與DRAM配對才能用于代碼存儲使用。與DRAM一樣,NAND閃存也具有某些特性導(dǎo)致其消耗的功率超出預(yù)期。首先,它需要使用...

ATMEL對質(zhì)量有哪些承諾？ATMEL在全球擁有40個設(shè)計中心,分別專注于產(chǎn)品開發(fā)、工程支持以及深度應(yīng)用開發(fā)。為了開發(fā)復(fù)雜的SoC產(chǎn)品,ATMEL設(shè)立了先進(jìn)的基于平臺的設(shè)計流程,在投片之前大量使用仿真平臺進(jìn)行軟硬件驗(yàn)證。這種方法大幅度減少了設(shè)計周期并消除了很多錯誤。為了支持高附加值的產(chǎn)品,ATMEL建立了一個豐富的IP庫。庫里包括RISC微控制器和外設(shè),DSP核,嵌入式存儲器,工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的接口,高精度、高速度的模擬轉(zhuǎn)換器,RF電路和電源管理宏單元。ATMEL在各個層次都對質(zhì)量有明確的承諾。所有的ATMEL地點(diǎn)都經(jīng)過ISO9001認(rèn)證,大多數(shù)經(jīng)過QS9000認(rèn)證,有一些還通過了ISO14001認(rèn)證...

電子產(chǎn)品只有進(jìn)入應(yīng)用不斷迭代才能不斷提高。國產(chǎn)存儲器要壯大自然也離不開市場和生態(tài)。群聯(lián)長期專注于閃存主控的開發(fā)與存儲方案的整合,透過群聯(lián)自有技術(shù)與IP,整合長江存儲的3DNAND閃存,協(xié)助擴(kuò)大市場的應(yīng)用與普及率。潘健成談到,長江存儲與群聯(lián)不僅是NAND原廠與主控廠的關(guān)系,更是技術(shù)、產(chǎn)品、應(yīng)用及市場等多方位的長期伙伴關(guān)系?！拔覀儚那傲刑炀鸵黄鸸餐_發(fā),開發(fā)完之后產(chǎn)出東西就買走,前期可能有一些瑕疵,我們用自己的主控修好,應(yīng)用到所有不同的商品去,這是業(yè)務(wù)角度；我們運(yùn)用我們的能力,跟一群伙伴把閃存放射到所有系統(tǒng)應(yīng)用去,這就是生態(tài)?！彼ΨQ,這三年公司對長存傾注所有資源,“光飛武漢的班次不知道飛...

而是由存儲單元電容中鐵電晶體的中心原子位置進(jìn)行記錄。直接對中心原子的位置進(jìn)行檢測是不能實(shí)現(xiàn)的,實(shí)際的讀操作過程是：在存儲單元電容上施加一已知電場（即對電容充電）,如果原來晶體的中心原子的位置與所施加的電場方向使中心原子要達(dá)到的位置相同,則中心原子不會移動；若相反,則中心原子將越過晶體中間層的高能階到達(dá)另一位置,則在充電波形上就會出現(xiàn)一個尖峰,即產(chǎn)生原子移動的比沒有產(chǎn)生移動的多了一個尖峰,把這個充電波形同參考位（確定且已知）的充電波形進(jìn)行比較,便可以判斷檢測的存儲單元中的內(nèi)容是“1”或“0”。無論是2T2C還是1T1C的FRAM,對存儲單元進(jìn)行讀操作時,數(shù)據(jù)位狀態(tài)可能改變而參考位則不會改...

存儲器可以分為內(nèi)存和外存兩種類型。內(nèi)存是計算機(jī)中的臨時存儲器，它可以快速地讀取和寫入數(shù)據(jù)，但是當(dāng)計算機(jī)關(guān)閉時，內(nèi)存中的數(shù)據(jù)也會被清空。外存則是計算機(jī)中的長久存儲器，它可以長期保存數(shù)據(jù)，即使計算機(jī)關(guān)閉也不會丟失。內(nèi)存的種類有很多，包括DRAM、SRAM、ROM等。DRAM是一種動態(tài)隨機(jī)存儲器，它可以快速地讀取和寫入數(shù)據(jù)，但是需要不斷地刷新才能保持?jǐn)?shù)據(jù)的穩(wěn)定性。SRAM則是一種靜態(tài)隨機(jī)存儲器，它的讀取速度比DRAM更快，但是價格也更高。ROM是一種只讀存儲器，它的數(shù)據(jù)是固定的，無法被修改。外存的種類也有很多，包括硬盤、固態(tài)硬盤、U盤等。硬盤是一種機(jī)械式存儲器，它的讀取速度較慢，但是容量...

它可存儲一個二進(jìn)制代碼。由若干個存儲元組成一個存儲單元,然后再由許多存儲單元組成一個存儲器。根據(jù)存儲材料的性能及使用方法的不同,存儲器有幾種不同的分類方法。如半導(dǎo)體存儲器：用半導(dǎo)體器件組成的存儲器。磁表面存儲器：用磁性材料做成的存儲器。按存儲方式分為隨機(jī)存儲器：任何存儲單元的內(nèi)容都能被隨機(jī)存取,且存取時間和存儲單元的物理位置無關(guān)。順序存儲器：只能按某種順序來存取,存取時間與存儲單元的物理位置有關(guān)。按存儲器的讀寫功能分類：為只讀存儲器(ROM)：存儲的內(nèi)容是固定不變的,只能讀出而不能寫入的半導(dǎo)體存儲器。隨機(jī)讀寫存儲器(RAM)：既能讀出又能寫入的半導(dǎo)體存儲器。按信息的可保存性分類非長憶存儲器：斷...

小存儲單元尺寸、高性能、低功耗一直是存儲器設(shè)計師持續(xù)追求的目標(biāo)。然而,14nm以下鰭式場效應(yīng)晶體管技術(shù)無法直接套用在既有的嵌入式存儲元件上。再者,為因應(yīng)未來人工智能(AI)及邊緣計算等高計算能力的需求,既有高容量存儲器,如DRAM、NAND閃存的高耗電及速度問題已無法跟上需求的腳步。因此,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正處于轉(zhuǎn)折點(diǎn)。微控制器(MCUs)和ASICs中的嵌入式存儲器,以及從手持移動裝置到超級計算機(jī)等所有應(yīng)用的離散存儲器芯片都在考慮更換。這些替換將有助于系統(tǒng)設(shè)計人員降低功耗,從而延長手持移動裝置電池壽命或降低數(shù)據(jù)中心系統(tǒng)冷卻要求,也能提高系統(tǒng)性能,符合未來這些高運(yùn)算能力系統(tǒng)的需求。在某些情況下,通過使...

當(dāng)今大多數(shù)電池供電的移動裝置和其他各種應(yīng)用使用的MCU均采用CMOS工藝制造,CMOS工藝支持兩種存儲器技術(shù)：NOR閃存和SRAM。雖然這些技術(shù)在CMOS邏輯工藝中很容易嵌入,但它們消耗的功率通常超過預(yù)期。當(dāng)需要更大的存儲器時,設(shè)計人員通常會添加外部存儲器芯片,如NOR閃存、NAND閃存、DRAM或這些存儲器的組合。然而這些外部存儲器對功耗的影響更大。以上二個現(xiàn)有存儲器的問題迫使設(shè)計人員開始評估新型的存儲器技術(shù),試圖徹底解決這些問題。大系統(tǒng)中的功率問題在物聯(lián)網(wǎng)的另一端,在云端數(shù)據(jù)中心服務(wù)器的存儲器和數(shù)據(jù)存儲架構(gòu)也非常重要,因?yàn)楣耐ǔＪ菙?shù)據(jù)中心成本高的元素之一,尤其是納入冷卻系統(tǒng)時。DRAM和...

每個NAND存儲器塊在給定的時間內(nèi)的刪除次數(shù)要少一些。Flash存儲器位交換所有flash器件都受位交換現(xiàn)象的困擾。在某些情況下(很少見,NAND發(fā)生的次數(shù)要比NOR多),一個比特位會發(fā)生反轉(zhuǎn)或被報告反轉(zhuǎn)了。比特位反轉(zhuǎn)一位的變化可能不很明顯,但是如果發(fā)生在一個關(guān)鍵文件上,這個小小的故障可能導(dǎo)致系統(tǒng)停機(jī)。如果只是報告有問題,多讀幾次就可能解決了。當(dāng)然,如果這個位真的改變了,就必須采用錯誤探測/錯誤更正(EDC/ECC)算法。位反轉(zhuǎn)的問題更多見于NAND閃存,NAND的供應(yīng)商建議使用NAND閃存的時候,同時使用EDC/ECC算法。這個問題對于用NAND存儲多媒體信息時倒不是致命的。當(dāng)然,如...

但是寫操作仍要保留一個"預(yù)充"時間,所以總的時間與讀操作相同。FRAM的寫操作與其它非易失性存儲器的寫操作相比,速度要快得多,而且功耗小。在FRAM讀操作后必須有個"預(yù)充電"過程,來恢復(fù)數(shù)據(jù)位。增加預(yù)充電時間后FRAM一個完整的讀操作周期為130ns,這是與SRAM和E2PROM不同的地方。Ramtron公司的FRAM主要包括兩大類：串行FRAM和并行FRAM。其中串行FRAM又分I2C兩線方式的FM24系列和SPI三線方式的FM25系列。串行FRAM與傳統(tǒng)的24、25型的E2PROM引腳及時序兼容,可以直接替換,如Microchip、Xicor公司的同型號產(chǎn)品,但各項(xiàng)性能要好得多,性...

SRAM的特點(diǎn)---SRAM是英文StaticRAM的縮寫，它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存，不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)。而DRAM（DynamicRandomAccessMemory)每隔一段時間，要刷新充電一次，否則內(nèi)部的數(shù)據(jù)即會消失，因此SRAM具有較高的性能，缺點(diǎn)是集成度較低，功耗較DRAM大，相同容量的DRAM內(nèi)存可以設(shè)計為較小的體積，但是SRAM卻需要很大的體積。同樣面積的硅片可以做出更大容量的DRAM，因此SRAM顯得更貴?；咎攸c(diǎn)特點(diǎn)歸納：◎優(yōu)點(diǎn)，速度快，不必配合內(nèi)存刷新電路，可提高整體的工作效率?！蛉秉c(diǎn)，集成度低，功耗較大，相同的容量體積較大，而且價格較高，少量用于...

常用的外存儲器設(shè)備以兩種方式之一來存儲信息。磁帶以大的盤式裝置形式。在1970年代作為計算機(jī)存儲的一大支柱,現(xiàn)在則以小而封閉的盒式磁帶成為一種相對便宜的“離線”存儲選擇。盡管它在加載現(xiàn)代錄音磁帶和尋找到感興趣數(shù)據(jù)的存儲位置時,可能花費(fèi)幾秒甚至幾分鐘,但購買和維修這一存儲媒質(zhì)的長期花費(fèi)是低廉的。各種光學(xué)存儲器裝置也是可得到的。在光學(xué)存儲器裝置中存取一串特定數(shù)據(jù)所需的時間,可能與在（磁）硬盤存取數(shù)據(jù)所需的時間一樣短。在光盤某一平滑鏡面上存在著微小的缺陷。在光盤表面燒一個孔洞表示二進(jìn)制數(shù)1,沒有燒孔則表示0。燒制而成的光盤是寫一次,讀多次。這個特征使得它們適合于長期的檔案存儲,且保持較高的存取速率。...

當(dāng)電場從晶體移走后,中心原子會保持在原來的位置。這是由于晶體的中間層是一個高能階,中心原子在沒有獲得外部能量時不能越過高能階到達(dá)另一穩(wěn)定位置,因此FRAM保持?jǐn)?shù)據(jù)不需要電壓,也不需要像DRAM一樣周期性刷新。由于鐵電效應(yīng)是鐵電晶體所固有的一種偏振極化特性,與電磁作用無關(guān),所以FRAM存儲器的內(nèi)容不會受到外界條件諸如磁場因素的影響,能夠同普通ROM存儲器一樣使用,具有非易失性的存儲特性。FRAM的特點(diǎn)是速度快,能夠像RAM一樣操作,讀寫功耗極低,不存在如E2PROM的很大寫入次數(shù)的問題。但受鐵電晶體特性制約,FRAM仍有很大訪問（讀）次數(shù)的限制。FRAM的存儲單元主要由電容和場效應(yīng)管構(gòu)成...

同樣的,容量越大,速度也就越慢,速度和容量不可兼得,速度高必然貴并且容量小。鐵電存儲器（FRAM,ferroelectricRAM）是一種隨機(jī)存取存儲器,它將動態(tài)隨機(jī)存取存儲器（DRAM）的快速讀取和寫入訪問——它是個人電腦存儲中很常用的類型——與在電源關(guān)掉后保留數(shù)據(jù)能力（就像其他穩(wěn)定的存儲設(shè)備一樣,如只讀存儲器和閃存）結(jié)合起來。鐵電存儲器（FRAM,ferroelectricRAM）是一種隨機(jī)存取存儲器,它將動態(tài)隨機(jī)存取存儲器（DRAM）的快速讀取和寫入訪問——它是個人電腦存儲中很常用的類型——與在電源關(guān)掉后保留數(shù)據(jù)能力（就像其他穩(wěn)定的存儲設(shè)備一樣,如只讀存儲器和閃存）結(jié)合起來。由于...

大型數(shù)據(jù)中心的能耗不斷攀升,基于電池技術(shù)的物聯(lián)網(wǎng)及移動設(shè)備也因功耗問題被人詬病。手機(jī)待機(jī)功耗中,存儲是用電“大戶”。正因?yàn)閿?shù)據(jù)需要分級存儲、分級調(diào)取,速度較慢,為讓用戶體驗(yàn)較快的響應(yīng)速度,數(shù)據(jù)一般存儲在靜態(tài)隨機(jī)存儲器和動態(tài)隨機(jī)存儲器上,斷電數(shù)據(jù)就會丟失,因此需要一直耗電。改變這些,就需要新一代存儲器件,既具有接近靜態(tài)存儲器的納秒級讀寫速度,又具有閃存級別的容量和類似Flash的數(shù)據(jù)斷電不丟失存儲特性。自旋轉(zhuǎn)移矩-磁隨機(jī)存儲器（STT-MRAM）就是一種接近“萬用存儲器”要求的極具應(yīng)用潛力的下一代新型存儲器解決方案。STT-MRAM由于其數(shù)據(jù)以磁狀態(tài)存儲,具有天然的抗輻照、高可靠性以及幾乎無限次...

在此之前的1956年出現(xiàn)的“庫珀對”及BCS理論被公認(rèn)為是對超導(dǎo)現(xiàn)象的完美解釋,單電子隧道效應(yīng)無疑是對超導(dǎo)理論的一個重要補(bǔ)充。1962年,22歲的英國劍橋大學(xué)實(shí)驗(yàn)物理學(xué)研究生約瑟夫森（BrianDavidJosephson,1940～）預(yù)言,當(dāng)兩個超導(dǎo)體之間設(shè)置一個絕緣薄層構(gòu)成時,電子可以穿過絕緣體從一個超導(dǎo)體到達(dá)另一個超導(dǎo)體。約瑟夫森的這一預(yù)言不久就為——電子對通過兩塊超導(dǎo)金屬間的薄絕緣層（厚度約為10埃）時發(fā)生了隧道效應(yīng),于是稱之為“約瑟夫森效應(yīng)”。宏觀量子隧道效應(yīng)確立了微電子器件進(jìn)一步微型化的極限,當(dāng)微電子器件進(jìn)一步微型化時必須要考慮上述的量子效應(yīng)。例如在制造半導(dǎo)體集成電路時,當(dāng)...

再加上NAND閃存的邏輯為電子盤模塊結(jié)構(gòu)。內(nèi)部不存在專門的存儲控制器,一旦出現(xiàn)數(shù)據(jù)壞塊將無法修,可靠性較NOR閃存要差。NAND閃存被廣為應(yīng)用于移動存儲、數(shù)碼相機(jī)、MP3播放器、掌上電腦等新興數(shù)字設(shè)備中。由于受到數(shù)碼設(shè)備強(qiáng)勁發(fā)展的帶動,NAND閃存一直呈現(xiàn)指數(shù)級的超高速增長.NOR和NAND是市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出NORflash技術(shù),徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。緊接著,1989年,東芝公司發(fā)表了NANDflash結(jié)構(gòu),強(qiáng)調(diào)降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盤一樣可以通過接口輕松升級。但是經(jīng)過了十多年之后,仍然有...

SRAM的類型------非揮發(fā)性SRAM（Non-volatileSRAM，nvSRAM）具有SRAM的標(biāo)準(zhǔn)功能，但在失去電源供電時可以保住其數(shù)據(jù)。非揮發(fā)性SRAM用于網(wǎng)絡(luò)、航天、醫(yī)療等需要關(guān)鍵場合—保住數(shù)據(jù)是關(guān)鍵的而且不可能用上電池。異步SRAM（AsynchronousSRAM）的容量從4Kb到64Mb。SRAM的快速訪問使得異步SRAM適用于小型的cache很小的嵌入式處理器的主內(nèi)存，這種處理器廣用于工業(yè)電子設(shè)備、測量設(shè)備、硬盤、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備等等。根據(jù)晶體管類型分類---雙極性結(jié)型晶體管（用于TTL與ECL）—非?？焖俚枪木薮?。選擇存儲器就選千百路科技，提供原裝進(jìn)口品牌存儲器芯片。中山...

國內(nèi)銷售。”江波龍電子董事長蔡華波指出。市場回暖自2016年以來的存儲器價格持續(xù)上漲曾讓三星打敗英特爾,成為全球比較大的半導(dǎo)體廠商。到了2018年9月,存儲器開始走下坡路。不過,在2019年第三季度跌至低谷后,存儲器市場又開始回暖。市場調(diào)研機(jī)構(gòu)ICInsights稱,2020年IC市場回暖,NANDFLASH2020年以19%的增長率領(lǐng)漲。集邦資訊稱,2020年前列季NANDFlash價格持續(xù)上漲?；诘拘枨蟊憩F(xiàn)不淡,供給增長保守以及供應(yīng)商庫存已下降,各類產(chǎn)品合約價在2020年前列季均可望持續(xù)上漲。潘健成告訴記者,目前NANDFLASH供應(yīng)非常緊缺,“我創(chuàng)業(yè)十年以來前列次看到這么緊。...

鐵電存儲技術(shù)早在1921年提出,直到1993年美國Ramtron國際公司成功開發(fā)出較早個4K位的鐵電存儲器FRAM產(chǎn)品,所有的FRAM產(chǎn)品均由Ramtron公司制造或授權(quán)。FRAM有新的發(fā)展,采用了um工藝,推出了3V產(chǎn)品,開發(fā)出“單管單容”存儲單元的FRAM,很大密度可達(dá)256K位。首先要說明的是鐵電存儲器和浮動?xùn)糯鎯ζ鞯募夹g(shù)差異?，F(xiàn)有閃存和EEPROM都是采用浮動?xùn)偶夹g(shù),浮動?xùn)糯鎯卧粋€電隔離門,浮動?xùn)盼挥跇?biāo)準(zhǔn)控制柵的下面及通道層的上面。浮動?xùn)攀怯梢粋€導(dǎo)電材料,通常是多芯片硅層形成的(如圖2所示)。浮動?xùn)糯鎯卧男畔⒋鎯κ峭ㄟ^保存浮動?xùn)艃?nèi)的電荷而完成的。利用改變浮動?xùn)糯鎯?..

動態(tài)隨機(jī)存儲器（DynamicRAM）介紹：“動態(tài)”兩字，指的是每隔一定的時間，就需要刷新充電一次，否則存儲器內(nèi)部的數(shù)據(jù)就會被去除。這是因?yàn)榇鎯ζ鱀RAM的每個基本單元，是由一個晶體管加一個電容所構(gòu)成，故存儲器的基本工作邏輯為二進(jìn)制。以電容中有無電荷來表示數(shù)字信號0或1。由于電容漏電快，存儲器為防止因電容漏電而致信息讀取出錯，需周期性地給DRAM電容進(jìn)行充電，故DRAM速度會比SRAM慢。同時，這種簡潔的存儲模式也使DRAM集成度遠(yuǎn)比SRAM要高。一個DRAM存儲單元只需要一個電容加一個晶體管，而每個SRAM單元則需要4-6個晶體管和其他元件，故DRAM在高密度/大容量及成本方面，均比SRAM...

國內(nèi)銷售?！苯堧娮佣麻L蔡華波指出。市場回暖自2016年以來的存儲器價格持續(xù)上漲曾讓三星打敗英特爾,成為全球比較大的半導(dǎo)體廠商。到了2018年9月,存儲器開始走下坡路。不過,在2019年第三季度跌至低谷后,存儲器市場又開始回暖。市場調(diào)研機(jī)構(gòu)ICInsights稱,2020年IC市場回暖,NANDFLASH2020年以19%的增長率領(lǐng)漲。集邦資訊稱,2020年前列季NANDFlash價格持續(xù)上漲。基于淡季需求表現(xiàn)不淡,供給增長保守以及供應(yīng)商庫存已下降,各類產(chǎn)品合約價在2020年前列季均可望持續(xù)上漲。潘健成告訴記者,目前NANDFLASH供應(yīng)非常緊缺,“我創(chuàng)業(yè)十年以來前列次看到這么緊。...

因此可以節(jié)省閃存所需的高擦除能耗,以及慢擦除周期引起的延遲(該屬性稱為原位編程)。與閃存相比,這些新技術(shù)的寫入過程能量要求非常低,減少或消除了對低效電荷泵的需求。所有這些新技術(shù)都提供隨機(jī)數(shù)據(jù)訪問,減少了保留兩個副本：一個在閃存,一個在DRAM的需求。不用說,無論何時使用任何新型的存儲器技術(shù)來取代當(dāng)今的傳統(tǒng)DRAM+NAND閃存架構(gòu),所有這些屬性都將帶來明顯的功率節(jié)省以及性能提升。新型存儲器類型包含下列幾種。大多數(shù)新型存儲器技術(shù)擁有下列屬性：所有這些都是非易失性或持久性的,對比于需要定期刷新、高耗電量需求的DRAM具有明顯的優(yōu)勢。它們都不需要閃存所需的高電荷泵擦除/寫入電壓。它們都沒有使用閃存(...

鐵電存儲技術(shù)早在1921年提出,直到1993年美國Ramtron國際公司成功開發(fā)出較早個4K位的鐵電存儲器FRAM產(chǎn)品,所有的FRAM產(chǎn)品均由Ramtron公司制造或授權(quán)。FRAM有新的發(fā)展,采用了um工藝,推出了3V產(chǎn)品,開發(fā)出“單管單容”存儲單元的FRAM,很大密度可達(dá)256K位。首先要說明的是鐵電存儲器和浮動?xùn)糯鎯ζ鞯募夹g(shù)差異?，F(xiàn)有閃存和EEPROM都是采用浮動?xùn)偶夹g(shù),浮動?xùn)糯鎯卧粋€電隔離門,浮動?xùn)盼挥跇?biāo)準(zhǔn)控制柵的下面及通道層的上面。浮動?xùn)攀怯梢粋€導(dǎo)電材料,通常是多芯片硅層形成的(如圖2所示)。浮動?xùn)糯鎯卧男畔⒋鎯κ峭ㄟ^保存浮動?xùn)艃?nèi)的電荷而完成的。利用改變浮動?xùn)糯鎯?..

但是寫操作仍要保留一個"預(yù)充"時間,所以總的時間與讀操作相同。FRAM的寫操作與其它非易失性存儲器的寫操作相比,速度要快得多,而且功耗小。在FRAM讀操作后必須有個"預(yù)充電"過程,來恢復(fù)數(shù)據(jù)位。增加預(yù)充電時間后FRAM一個完整的讀操作周期為130ns,這是與SRAM和E2PROM不同的地方。Ramtron公司的FRAM主要包括兩大類：串行FRAM和并行FRAM。其中串行FRAM又分I2C兩線方式的FM24系列和SPI三線方式的FM25系列。串行FRAM與傳統(tǒng)的24、25型的E2PROM引腳及時序兼容,可以直接替換,如Microchip、Xicor公司的同型號產(chǎn)品,但各項(xiàng)性能要好得多,性...

這個問題被稱為閃存的”縮放限制”，無論芯片上其余的CMOS能夠縮小多少,閃存都無法跟上步伐。必須要有新的嵌入式存儲器技術(shù)能搭配這些先進(jìn)工藝制造的ASIC和MCU。嵌入式NOR閃存并不是獨(dú)一受到工藝演進(jìn)影響的。嵌入式SRAM也面臨著相似的問題。隨著工藝縮小到幾十納米或更小,SRAM存儲單元(MemoryCell)的大小無法跟上。與NOR閃存不同,SRAM的問題在于其存儲單元的尺寸不會與工藝成比例地縮小。當(dāng)工藝縮小50％時,它可能只縮小25％。這限縮了嵌入式NOR和嵌入式SRAM的發(fā)展,我們需要新存儲單元技術(shù)能繼續(xù)與流程成比例地縮小。幸運(yùn)的是這些技術(shù)已經(jīng)存在,并且已經(jīng)開發(fā)很多年了。另一個問題為轉(zhuǎn)向...

電子產(chǎn)品只有進(jìn)入應(yīng)用不斷迭代才能不斷提高。國產(chǎn)存儲器要壯大自然也離不開市場和生態(tài)。群聯(lián)長期專注于閃存主控的開發(fā)與存儲方案的整合,透過群聯(lián)自有技術(shù)與IP,整合長江存儲的3DNAND閃存,協(xié)助擴(kuò)大市場的應(yīng)用與普及率。潘健成談到,長江存儲與群聯(lián)不僅是NAND原廠與主控廠的關(guān)系,更是技術(shù)、產(chǎn)品、應(yīng)用及市場等多方位的長期伙伴關(guān)系?！拔覀儚那傲刑炀鸵黄鸸餐_發(fā),開發(fā)完之后產(chǎn)出東西就買走,前期可能有一些瑕疵,我們用自己的主控修好,應(yīng)用到所有不同的商品去,這是業(yè)務(wù)角度；我們運(yùn)用我們的能力,跟一群伙伴把閃存放射到所有系統(tǒng)應(yīng)用去,這就是生態(tài)。”他笑稱,這三年公司對長存傾注所有資源,“光飛武漢的班次不知道飛...

存儲器的簡稱和用途特點(diǎn)1、高速緩沖存儲器Cache高速存取指令和數(shù)據(jù)存取速度快，但存儲容量小。2、主存儲器內(nèi)存存放計算機(jī)運(yùn)行期間的大量程序和數(shù)據(jù)存取速度較快，存儲容量不大。3、外存儲器外存存放系統(tǒng)程序和大型數(shù)據(jù)文件及數(shù)據(jù)庫存儲容量大，位成本低。4、內(nèi)存又稱為內(nèi)存儲器或者主存儲器，是計算機(jī)中的主要部件，它是相對于外存而言的。內(nèi)存的質(zhì)量好壞與容量大小會影響計算機(jī)的運(yùn)行速度。一般常用的微型計算機(jī)的存儲器有磁芯存儲器和半導(dǎo)體存儲器，目前微型機(jī)的內(nèi)存都采用半導(dǎo)體存儲器?！盖О俾饭I(yè)」-專注存儲器芯片經(jīng)營，多種品牌原裝芯片IC，多種解決方案，優(yōu)化廠家生產(chǎn)。蘇州靜態(tài)只讀存儲器原廠授權(quán)分銷商ATMEL的非易失...

所有的ATMEL地點(diǎn)都經(jīng)過ISO9001認(rèn)證,大多數(shù)經(jīng)過QS9000認(rèn)證,有一些還通過了旨在保護(hù)環(huán)境的ISO14001認(rèn)證。所有ATMEL的運(yùn)作都受公司內(nèi)部詳細(xì)的質(zhì)量規(guī)范所控制,并定期進(jìn)行回顧和更新。其目的就是進(jìn)行持續(xù)不斷的改進(jìn),提高客戶的總體滿意度。ATMDL的質(zhì)量體系二：ATMEL的質(zhì)量小組與客戶合作進(jìn)行質(zhì)量審計,以保證ATMEL符合客戶的質(zhì)量要求。從客戶項(xiàng)目獲得的經(jīng)驗(yàn)將反饋到下一次產(chǎn)品的生產(chǎn)。ATMEL保持產(chǎn)品和技術(shù)更新的方法是已經(jīng)在實(shí)行的研究和開發(fā)的合作。研發(fā)項(xiàng)目與主要客戶和大學(xué)合作進(jìn)行,從而獲得先進(jìn)的功能模塊,以及工藝技術(shù)的改進(jìn)。存儲器的工作原理：對動態(tài)存儲器進(jìn)行寫入操作時,...

MRAM(MagneticRandomAccessMemory)是一種非易失性(Non-Volatile)的磁性隨機(jī)存儲器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲器(SRAM)的高速讀取寫入能力，以及動態(tài)隨機(jī)存儲器(DRAM)的高集成度，而且基本上可以無限次地重復(fù)寫入。特點(diǎn)：1.非易失性、能耗低：非易失性指的是在關(guān)閉電源的情況下，數(shù)據(jù)也能得以保存而不丟失。相對而言，傳統(tǒng)半導(dǎo)體存儲器如eSRAM需要依賴持續(xù)供電以保存數(shù)據(jù)（易失性）。另外，相比于同樣是非易失性的eFlash，eMRAM能耗要小的多，其所需工作電壓與邏輯電壓一致（1.1V），而不像eFlash那樣需要高電壓（8-12V），且其寫入過程不需要先進(jìn)行擦寫操...