折疊按信息的可保存性分1、非長久記憶的存儲器：斷電后信息即消失的存儲器。2、長久記憶性存儲器：斷電后仍能保存信息的存儲器。折疊按存儲器用途分1、根據(jù)存儲器在計算機系統(tǒng)中所起的作用，可分為（1）主存儲器、（2）輔助存儲器、（3）高速緩沖存儲器、（4）控制存儲器等。2、為了解決對存儲器要求容量大，速度快，成本低三者之間的矛盾，目前通常采用多級存儲器體系結(jié)構(gòu)，即使用高速緩沖存儲器、主存儲器和外存儲器。更好的提供服務。深圳存儲器芯片現(xiàn)貨，深圳千百路工業(yè)科技有限公司提供一站式服務，存儲器IC系列全型號選型。肇慶只讀存儲器全型號eMRAM可以作為工作內(nèi)存和企業(yè)級存儲的高速緩存等使用，輔以其具備的非易失性優(yōu)...

只讀存儲器(ReadOnlyMemory)ROM是只讀存儲器。顧名思義，它的特點是只能讀出原有的內(nèi)容，不能由用戶再寫入新內(nèi)容。原來存儲的內(nèi)容是采用掩膜技術由廠家一次性寫入的，并長久保存下來。它一般用來存放專門用的固定的程序和數(shù)據(jù)。不會因斷電而丟失。CMOS存儲器（ComplementaryMetalOxideSemiconductorMemory，互補金屬氧化物半導體內(nèi)存)COMS內(nèi)存是一種只需要極少電量就能存放數(shù)據(jù)的芯片。由于耗能極低，CMOS內(nèi)存可以由集成到主板上的一個小電池供電，這種電池在計算機通電時還能自動充電。因為CMOS芯片可以持續(xù)獲得電量，所以即使在關機后，他也能保存有關計算機系...

MOSFET（用于CMOS）—低功耗，現(xiàn)在應用廣。根據(jù)功能分類---異步—單獨的時鐘頻率，讀寫受控于地址線與控制使能信號。同步—所有工作是時鐘脈沖邊沿開始，地址線、數(shù)據(jù)線、控制線均與時鐘脈沖配合。根據(jù)特性分類---零總線翻轉(zhuǎn)（Zerobusturnaround，ZBT）—SRAM總線從寫到讀以及從讀到寫所需要的時鐘周期是0同步突發(fā)SRAM（synchronous-burstSRAM，syncBurstSRAM）—DDRSRAM—同步、單口讀/寫，雙數(shù)據(jù)率I/OQDRSRAM（QuadDataRate(QDR)SRAM）—同步，分開的讀/寫口，同時讀寫4個字（word）。根據(jù)觸發(fā)類型---二進制...

SRAM的主要用途---主要用于二級高速緩存（Level2Cache)。它利用晶體管來存儲數(shù)據(jù)。與DRAM相比，SRAM的速度快，但在相同面積中SRAM的容量要比其他類型的內(nèi)存小。SRAM的速度快但昂貴，一般用小容量的SRAM作為更高速CPU和較低速DRAM之間的緩存（cache）.SRAM也有許多種，如AsyncSRAM(AsynchronousSRAM，異步SRAM）、SyncSRAM(SynchronousSRAM，同步SRAM）、PBSRAM(PipelinedBurstSRAM，流水式突發(fā)SRAM），還有INTEL沒有公布細節(jié)的CSRAM等。SRAM一般可分為五大部分：存儲單元陣列（...

近年來，我國智能手機、物聯(lián)網(wǎng)、智能可穿戴設備、服務器等消費電子產(chǎn)品迅速增長，應用場景更加廣，對存儲器需求進一步提升。應用場景包括在所有類型的計算機系統(tǒng)、移動電話等移動裝置、數(shù)據(jù)記錄設備、打印機、控制系統(tǒng)、智能終端、物聯(lián)網(wǎng)、安防監(jiān)控、工業(yè)控制、汽車電子以及個人移動存儲等領域。車規(guī)級存儲器并進入了部分汽車行業(yè)客戶的供應鏈體系。消費電子也是存儲器芯片的應用場景之一。工規(guī)級存儲器屬于嵌入式存儲芯片系列，也是重點發(fā)展的方向。找存儲器IC芯片，選擇千百路工業(yè)科技，提供樣品，現(xiàn)貨質(zhì)量保證，為制造企業(yè)優(yōu)化成本。上海靜態(tài)只讀存儲器分類SRAM的主要規(guī)格--一種是置于cpu與主存間的高速緩存，分兩種規(guī)格：一種是固...

SRAM的主要規(guī)格--一種是置于cpu與主存間的高速緩存，分兩種規(guī)格：一種是固定在主板上的高速緩存（CacheMemory）；另一種是插在卡槽上的COAST（CacheOnAStick）擴充用的高速緩存，另外在CMOS芯片1468l8的電路里，它的內(nèi)部也有較小容量的128字節(jié)SRAM，存儲我們所設置的配置數(shù)據(jù)。還有為了加速CPU內(nèi)部數(shù)據(jù)的傳送，自80486CPU起，在CPU的內(nèi)部也設計有高速緩存，故在PentiumCPU就有所謂的L1Cache（一級高速緩存）和L2Cache（二級高速緩存）的名詞，一般L1Cache是建在CPU的內(nèi)部，L2Cache是設計在CPU的外部，但是PentiumPr...

內(nèi)存的正式名字叫做“存儲器”，是半導體行業(yè)三大支柱之一。2016年全球半導體市場規(guī)模為3400億美金，存儲器就占了768億美元。對于你身邊的手機、平板、PC、筆記本等所有電子產(chǎn)品來說，存儲器就類似于鋼鐵之于現(xiàn)代工業(yè)，是名副其實的電子行業(yè)“原材料”。存儲器芯片領域，主要分為兩類：易失性和非易失性。易失性：斷電以后，存儲器內(nèi)的信息就流失了，例如DRAM，主要用來做PC機內(nèi)存(如DDR)和手機內(nèi)存(如LPDDR)，兩者各占三成。非易失性：斷電以后，存儲器內(nèi)的信息仍然存在，主要是閃存（NandFLASH和NORFLASH），NOR主要應用于代碼存儲介質(zhì)中，而NAND則用于數(shù)據(jù)存儲。尋找存儲器芯片就找「...

推進存儲器產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，不僅是因為其處于集成電路產(chǎn)業(yè)的重要地位，更是基于信息安全的考量，只有在存儲器、CPU等芯片領域具備自主可控能力，才能確保信息安全。當前從外部發(fā)展環(huán)境來看，我國在應用固態(tài)硬盤、磁硬盤、磁帶、半導體等數(shù)據(jù)存儲領域都面臨“卡脖子”問題，亟須構(gòu)筑存儲領域發(fā)展長板。當前我國在電存儲和磁存儲領域尚不具備國際競爭優(yōu)勢，特別是磁盤存儲市場被壟斷。當前全球光存儲技術及產(chǎn)業(yè)尚未進入成熟期，我國企業(yè)與研發(fā)機構(gòu)有望與國際水平同步創(chuàng)新，甚至引導產(chǎn)業(yè)技術發(fā)展方向。從技術路線來看，全息光存儲被視為下一代光存儲技術。全息光存儲是一種高密度三維光存儲技術，采用與傳統(tǒng)二維存儲完全不同的機理。與目前存儲方式相...

數(shù)據(jù)顯示，中國特種氣體市場規(guī)模由2017年的175億元增長至2021年的342億元，復合年均增長率達18.24%。中商產(chǎn)業(yè)研究院預測，2022年我國特種氣體市場規(guī)模將達409億元。4.光刻機。全球半導體設備行業(yè)復蘇，受益于下游晶圓巨大需求、服務器云計算和5G基礎建設的發(fā)展，帶動相關芯片的需求，2020年光刻機銷售額與銷量增速穩(wěn)定提升。2021年全球集成電路、面板、LED用光刻機出貨約650臺，較2020年增加70臺。其中集成電路制造用光刻機出貨約500臺；面板、LED用光刻機出貨約150臺。2021年全球光刻機銷量為450臺，隨著下游市場需求持續(xù)升高，預計2022全球市場仍將持續(xù)增長，銷量將達...

數(shù)據(jù)顯示，中國特種氣體市場規(guī)模由2017年的175億元增長至2021年的342億元，復合年均增長率達18.24%。中商產(chǎn)業(yè)研究院預測，2022年我國特種氣體市場規(guī)模將達409億元。4.光刻機。全球半導體設備行業(yè)復蘇，受益于下游晶圓巨大需求、服務器云計算和5G基礎建設的發(fā)展，帶動相關芯片的需求，2020年光刻機銷售額與銷量增速穩(wěn)定提升。2021年全球集成電路、面板、LED用光刻機出貨約650臺，較2020年增加70臺。其中集成電路制造用光刻機出貨約500臺；面板、LED用光刻機出貨約150臺。2021年全球光刻機銷量為450臺，隨著下游市場需求持續(xù)升高，預計2022全球市場仍將持續(xù)增長，銷量將達...

折疊按信息的可保存性分1、非長久記憶的存儲器：斷電后信息即消失的存儲器。2、長久記憶性存儲器：斷電后仍能保存信息的存儲器。折疊按存儲器用途分1、根據(jù)存儲器在計算機系統(tǒng)中所起的作用，可分為（1）主存儲器、（2）輔助存儲器、（3）高速緩沖存儲器、（4）控制存儲器等。2、為了解決對存儲器要求容量大，速度快，成本低三者之間的矛盾，目前通常采用多級存儲器體系結(jié)構(gòu)，即使用高速緩沖存儲器、主存儲器和外存儲器。更好的提供服務。深圳存儲器專家，提供系列存儲器芯片IC，性價比高?；葜莞咚倬彌_存儲器哪家好半導體存儲器從使用功能上分，有隨機存儲器（RandomAccessMemory，簡稱RAM），又稱讀寫存儲器；只...

eMRAM可以作為工作內(nèi)存和企業(yè)級存儲的高速緩存等使用，輔以其具備的非易失性優(yōu)勢，使得采用eMRAM作為存儲解決方案的電子設備在具備高速運算能力的同時，實現(xiàn)低功耗。集成密度高、隨工藝節(jié)點等比微縮：集成密度高，指的是單位面積內(nèi)存儲容量大，高于eSRAM，因此成本低。隨工藝節(jié)點等比微縮，指的是隨著技術工藝的持續(xù)微小化，eMRAM的存儲單元尺寸可相應等比例縮?。晌⒖s到7納米及以下），而eFlash因受到自身物理機理的限制，在28納米以下工藝節(jié)點便無法繼續(xù)微縮。eMRAM可持續(xù)發(fā)展性（技術壽命周期長），是工業(yè)界在考量該項新興技術時關注的一點；天然抗輻射：同傳統(tǒng)的存儲技術相比，eMRAM的存儲器件MT...

存儲器的產(chǎn)業(yè)鏈簡單介紹：存儲器行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈上游主要為材料及設備供應環(huán)節(jié)；中游為存儲器生產(chǎn)供應環(huán)節(jié)；下游廣泛應用于計算機、消費電子、網(wǎng)絡通信、汽車電子、智能終端等各個領域。中游存儲芯片可分為掉電易失和掉電非易失兩種，其中易失存儲芯片主要包含靜態(tài)隨機存取存儲器（SRAM）和動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM），非易失性存儲器主要包括可編程只讀存儲器（PROM），閃存存儲器（Flash）等；下游主要應用于消費電子、信息通信、汽車電子、服務器、工業(yè)電子等領域。上游參與者為硅片、光刻膠、電子特種氣體等原材料供應商和光刻設備、刻蝕設備、檢測設備等設備供應商。存儲器芯片庫存報價。東莞隨機存儲器怎么樣動態(tài)存儲器(DR...

近年來，我國智能手機、物聯(lián)網(wǎng)、智能可穿戴設備、服務器等消費電子產(chǎn)品迅速增長，應用場景更加廣，對存儲器需求進一步提升。應用場景包括在所有類型的計算機系統(tǒng)、移動電話等移動裝置、數(shù)據(jù)記錄設備、打印機、控制系統(tǒng)、智能終端、物聯(lián)網(wǎng)、安防監(jiān)控、工業(yè)控制、汽車電子以及個人移動存儲等領域。車規(guī)級存儲器并進入了部分汽車行業(yè)客戶的供應鏈體系。消費電子也是存儲器芯片的應用場景之一。工規(guī)級存儲器屬于嵌入式存儲芯片系列，也是重點發(fā)展的方向。存儲器芯片IC哪家好？選擇千百路科技，服務好，價格實惠，現(xiàn)貨庫存。天河只讀存儲器需多少錢新聞資訊-----業(yè)界人士認為：2023年存儲器供過于求的情況將逐漸好轉(zhuǎn)據(jù)鈦媒體12月28日消...

AT24C08提供8192位的串行電可擦寫可編程只讀存儲器(EEPROM)，組織形式為1024字×8位字長。AT24C08適用于許多要求低功耗和低電壓操作的工業(yè)級或商業(yè)級應用。工作溫度范圍:-40°C~+85°C。器件標號:24，器件標記:24C04，存儲器電壓Vcc:2.5V，存儲器類型:EEPROM，接口類型:Serial,I2C，電壓,Vcc:5.5V，電源電壓:5.5V，電源電壓:1.8V，片標號:24C04，表面安裝器件:通孔安裝，邏輯功能號:24C04，頻率:1MHz。AT24C02是一個在突然掉電的情況下存儲數(shù)據(jù)的芯片，即掉電存儲芯片。中文名稱ATt24c04,存儲器配置512x...

存儲器的存儲介質(zhì)是什么：目前主要采用半導體器件和磁性材料。存儲器中比較小的存儲單位就是一個雙穩(wěn)態(tài)半導體電路或一個CMOS晶體管或磁性材料的存儲元，它可存儲一個二進制代碼。由若干個存儲元組成一個存儲單元，然后再由許多存儲單元組成一個存儲器。一個存儲器包含許多存儲單元，每個存儲單元可存放一個字節(jié)（按字節(jié)編址）。每個存儲單元的位置都有一個編號，即地址，一般用十六進制表示。一個存儲器中所有存儲單元可存放數(shù)據(jù)的總和稱為它的存儲容量。假設一個存儲器的地址碼由20位二進制數(shù)（即5位十六進制數(shù)）組成，則可表示2的20次方，即1M個存儲單元地址。每個存儲單元存放一個字節(jié)，則該存儲器的存儲容量為1MB?！盖О俾贰?..

存儲器的產(chǎn)業(yè)鏈簡單介紹：存儲器行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈上游主要為材料及設備供應環(huán)節(jié)；中游為存儲器生產(chǎn)供應環(huán)節(jié)；下游廣泛應用于計算機、消費電子、網(wǎng)絡通信、汽車電子、智能終端等各個領域。中游存儲芯片可分為掉電易失和掉電非易失兩種，其中易失存儲芯片主要包含靜態(tài)隨機存取存儲器（SRAM）和動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM），非易失性存儲器主要包括可編程只讀存儲器（PROM），閃存存儲器（Flash）等；下游主要應用于消費電子、信息通信、汽車電子、服務器、工業(yè)電子等領域。上游參與者為硅片、光刻膠、電子特種氣體等原材料供應商和光刻設備、刻蝕設備、檢測設備等設備供應商。尋找存儲器芯片就找「千百路」，提供樣板，幫助選型，用心選...

存儲器的基本概念元素----存儲器：存放程序和數(shù)據(jù)的器件。存儲位：存放一個二進制數(shù)位的存儲單元，是存儲器比較小的存儲單位，或稱記憶單元。存儲字：一個數(shù)（n位二進制位）作為一個整體存入或取出時，稱存儲字。存儲單元：存放一個存儲字的若干個記憶單元組成一個存儲單元。存儲體：大量存儲單元的組成存儲體。存儲單元地址：存儲單元的編號。字編址：對存儲單元按字編址。字節(jié)編址：對存儲單元按字節(jié)編址。尋址：由地址尋找數(shù)據(jù)，從對應地址的存儲單元中訪存數(shù)據(jù)。深圳采購存儲器芯片IC，選擇千百路科技，一家專注存儲器經(jīng)營的公司。福建存儲器組成存儲器產(chǎn)業(yè)鏈上游分析1.硅片半導體硅片是生產(chǎn)集成電路、存儲器、傳感器等半導體產(chǎn)品的...

SRAM(靜態(tài)數(shù)據(jù)隨機存取存儲器)主要用于：嵌入式使用。工業(yè)生產(chǎn)與科學研究用的很多字系統(tǒng)，汽車電子產(chǎn)品等都采用了SRAM存儲器。電動玩具，數(shù)碼相機、智能手機、音響合成器等通常用了幾兆字節(jié)的SRAM。實時信號處理電源電路通常使用雙口(dual-ported)的SRAM。用于電子計算機。SRAM用于PC、服務中心、無線路由器及外部設備：內(nèi)部的CPU高速緩存，外界的突發(fā)模式使用的SRAM緩存，電腦硬盤緩沖區(qū)，無線路由器緩沖區(qū)等。LCD顯示器或是打印機也一般用SRAM來緩存文件數(shù)據(jù)。SRAM做的小型緩沖區(qū)也常常用于CDROM與CDRW的驅(qū)動器中，一般為256KiB或是更多，用來緩存音軌數(shù)據(jù)。電纜線...

存儲器的主要功能：存儲器的主要功能是存儲程序和各種數(shù)據(jù)，并能在計算機運行過程中高速、自動地完成程序或數(shù)據(jù)的存取。存儲器是具有“記憶”功能的設備，它采用具有兩種穩(wěn)定狀態(tài)的物理器件來存儲信息。這些器件也稱為記憶元件。在計算機中采用只有兩個數(shù)碼“0”和“1”的二進制來表示數(shù)據(jù)。中國聯(lián)保網(wǎng)記憶元件的兩種穩(wěn)定狀態(tài)分別表示為“0”和“1”。日常使用的十進制數(shù)必須轉(zhuǎn)換成等值的二進制數(shù)才能存入存儲器中。計算機中處理的各種字符，例如英文字母、運算符號等，也要轉(zhuǎn)換成二進制代碼才能存儲和操作。專業(yè)存儲芯片，需要存儲器芯片IC選千百路科技，提供樣品，技術服務。佛山靜態(tài)只讀存儲器哪家好MRAM(MagneticRand...

半導體存儲器從使用功能上分，有隨機存儲器（RandomAccessMemory，簡稱RAM），又稱讀寫存儲器；只讀存儲器（ReadOnlyMemory，簡稱為ROM）。一種內(nèi)存儲器1.隨機存儲器（RandomAccessMemory）RAM有以下特點：可以讀出，也可以寫入。讀出時并不損壞原來存儲的內(nèi)容，只有寫入時才修改原來所存儲的內(nèi)容。斷電后，存儲內(nèi)容立即消失，即具有易失性。RAM可分為動態(tài)（DynamicRAM）和靜態(tài)（StaticRAM）兩大類。DRAM的特點是集成度高，主要用于大容量內(nèi)存儲器；SRAM的特點是存取速度快，主要用于高速緩沖存儲器。深圳采購存儲器芯片IC，選擇千百路科技，一家...

存儲器的產(chǎn)業(yè)鏈簡單介紹：存儲器行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈上游主要為材料及設備供應環(huán)節(jié)；中游為存儲器生產(chǎn)供應環(huán)節(jié)；下游廣泛應用于計算機、消費電子、網(wǎng)絡通信、汽車電子、智能終端等各個領域。中游存儲芯片可分為掉電易失和掉電非易失兩種，其中易失存儲芯片主要包含靜態(tài)隨機存取存儲器（SRAM）和動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM），非易失性存儲器主要包括可編程只讀存儲器（PROM），閃存存儲器（Flash）等；下游主要應用于消費電子、信息通信、汽車電子、服務器、工業(yè)電子等領域。上游參與者為硅片、光刻膠、電子特種氣體等原材料供應商和光刻設備、刻蝕設備、檢測設備等設備供應商。存儲器芯片IC哪家好？選擇千百路科技，服務好，價格實惠，...

存儲器的主要功能：存儲器的主要功能是存儲程序和各種數(shù)據(jù)，并能在計算機運行過程中高速、自動地完成程序或數(shù)據(jù)的存取。存儲器是具有“記憶”功能的設備，它采用具有兩種穩(wěn)定狀態(tài)的物理器件來存儲信息。這些器件也稱為記憶元件。在計算機中采用只有兩個數(shù)碼“0”和“1”的二進制來表示數(shù)據(jù)。中國聯(lián)保網(wǎng)記憶元件的兩種穩(wěn)定狀態(tài)分別表示為“0”和“1”。日常使用的十進制數(shù)必須轉(zhuǎn)換成等值的二進制數(shù)才能存入存儲器中。計算機中處理的各種字符，例如英文字母、運算符號等，也要轉(zhuǎn)換成二進制代碼才能存儲和操作。深圳存儲器芯片選擇千百路科技公司，系列存儲器全型號，一家專注存儲器科技的公司。南沙可擦可編程只讀存儲器哪家便宜作為非易失性存...

MicrochipTechnologyInc.（納斯達克股市代號：MCHP）是全球的整合單片機、模擬器件、FPGA、聯(lián)網(wǎng)器件及電源管理半導體器件的供應商。其簡單易用的開發(fā)工具和豐富的產(chǎn)品組合讓客戶能夠打造比較好設計，在降低風險的同時降低系統(tǒng)總成本，縮短上市時間。公司的解決方案已為工業(yè)、汽車、消費、航天和通信以及計算市場中超過13萬家客戶提供服務。Microchip總部位于美國亞利桑那州Chandler市，提供出色的技術支持、可靠的產(chǎn)品和卓yue的質(zhì)量。專業(yè)存儲器代理經(jīng)銷，提供全系列進口存儲器芯片IC-千百路工業(yè)科技。白云只讀存儲器電話咨詢SRAM的主要規(guī)格--一種是置于cpu與主存間的高速緩存...

作為非易失性存儲器技術的創(chuàng)建之父，ATMEL將繼續(xù)把這個重要能力集成到為計算和消費產(chǎn)品(比如PC，存儲產(chǎn)品，DVD，娛樂平臺，游戲和玩具)服務的復雜產(chǎn)品之中。除了與不斷涌現(xiàn)的電子設備制造商建立合作關系之外，ATMEL的高密度存儲器產(chǎn)品、微控制器和ASIC同樣可以應用到工業(yè)控制、圖像處理和汽車設備ATMEL公司是是世界上高級半導體產(chǎn)品設計、制造和行銷的先導者，產(chǎn)品包括了微處理器、可編程邏輯器件、非易失性存儲器、安全芯片、混合信號及RF射頻集成電路。通過這些重要技術的組合，ATMEL生產(chǎn)出了各種通用目的及特定應用的系統(tǒng)級芯片，以滿足當今電子系統(tǒng)設計工程師不斷增長和演進的需求。存儲器芯片代理分銷企業(yè)...

存儲器的分類：按存儲介質(zhì)分1、半導體存儲器：用半導體器件組成的存儲器。2、磁表面存儲器：用磁性材料做成的存儲器。折疊按存儲方式分1、隨機存儲器：任何存儲單元的內(nèi)容都能被隨機存取，且存取時間和存儲單元的物理位置無關。2、順序存儲器：只能按某種順序來存取，存取時間和存儲單元的物理位置有關。折疊按存儲器的讀寫功能分1、只讀存儲器(ROM)：存儲的內(nèi)容是固定不變的，只能讀出而不能寫入的半導體存儲器。2、隨機讀寫存儲器(RAM)：既能讀出又能寫入的半導體存儲器。深圳存儲器芯片代理，選擇千百路科技，全系列型號滿足不同電子廠家的選型需求。中山可擦可編程只讀存儲器怎么樣只讀存儲器(ReadOnlyMemory...

ATMEL的主要市場。ATMEL專注于高增長的電子設備市場，如通訊、計算、消費類產(chǎn)品、安全產(chǎn)品、汽車電子和工業(yè)應用。在通訊領域，ATMEL可以提供一系列從手機的FLASH存儲器到無線語音和數(shù)據(jù)通訊所需的復雜元件和芯片集。不斷壯大的基帶控制器和射頻元件家族則瞄準了傳統(tǒng)的市場以及新興的市場，如WLAN和藍牙，以及正為網(wǎng)絡和消費產(chǎn)品快速接受的高帶寬無線互連技術。根據(jù)預測，隨著移動電話技術從2.5G到3G的演進，一個基于公共通訊協(xié)議UMTS，地域上覆蓋歐洲、USA和亞洲，數(shù)量高達幾十億的手機市場將得以產(chǎn)生。ATMEL可以為這個市場提供基于SiGe工藝的RF射頻元件，基帶處理器和非易失性存儲器。作為非易...

SRAM的主要規(guī)格--一種是置于cpu與主存間的高速緩存，分兩種規(guī)格：一種是固定在主板上的高速緩存（CacheMemory）；另一種是插在卡槽上的COAST（CacheOnAStick）擴充用的高速緩存，另外在CMOS芯片1468l8的電路里，它的內(nèi)部也有較小容量的128字節(jié)SRAM，存儲我們所設置的配置數(shù)據(jù)。還有為了加速CPU內(nèi)部數(shù)據(jù)的傳送，自80486CPU起，在CPU的內(nèi)部也設計有高速緩存，故在PentiumCPU就有所謂的L1Cache（一級高速緩存）和L2Cache（二級高速緩存）的名詞，一般L1Cache是建在CPU的內(nèi)部，L2Cache是設計在CPU的外部，但是PentiumPr...

動態(tài)隨機存儲器（DynamicRAM），“動態(tài)”兩字指的是每隔一段時間，要刷新充電一次，否則內(nèi)部的數(shù)據(jù)即會消失。這是因為DRAM的基本單元是一個晶體管加一個電容，并用電容有無電荷來表示數(shù)字信息0和1，電容漏電很快，為防止電容漏電而導致讀取信息出錯，需要周期性地給DRAM的電容充電，故DRAM速度比SRAM慢。另一方面，這種簡單的存儲模式也使得DRAM的集成度遠高于SRAM，一個DRAM存儲單元只需一個晶體管和一個小電容，而每個SRAM單元需要四到六個晶體管和其他零件，故DRAM在高密度（大容量）以及價格方面均比SRAM有優(yōu)勢。SRAM多用于對性能要求極高的地方（如CPU的一級二級緩沖），而DR...

AT24C02是Ateml公司的2KB的電可擦除存儲芯片，采用兩線。是一個在突然掉電的情況下存儲數(shù)據(jù)的芯片，即掉電存儲。1.數(shù)據(jù)線上的看門狗定時器。2.可編程復位門欄電平。3.高數(shù)據(jù)傳送速率為400KHz和IIC總線兼容。4.2.7V至7V的工作電壓。5.低功耗CMOS工藝。6.8字節(jié)頁寫緩沖區(qū)。7.片內(nèi)防誤擦除寫保護。8.高低電平復位信號輸出。9.100萬次擦寫周期。10.數(shù)據(jù)保存可達100年。11.商業(yè)級、工業(yè)級和汽車溫度范圍。AT24C02的存儲容量為2Kbit，內(nèi)容分成32頁，每頁8Byte，共256Byte，操作時有兩種尋址方式:芯片尋址和片內(nèi)子地址尋址。(1)芯片尋址:AT24C0...