動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（DynamicRAM），“動(dòng)態(tài)”兩字指的是每隔一段時(shí)間，要刷新充電一次，否則內(nèi)部的數(shù)據(jù)即會(huì)消失。這是因?yàn)镈RAM的基本單元是一個(gè)晶體管加一個(gè)電容，并用電容有無(wú)電荷來(lái)表示數(shù)字信息0和1，電容漏電很快，為防止電容漏電而導(dǎo)致讀取信息出錯(cuò)，需要周期性地給DRAM的電容充電，故DRAM速度比SRAM慢。另一方面，這種簡(jiǎn)單的存儲(chǔ)模式也使得DRAM的集成度遠(yuǎn)高于SRAM，一個(gè)DRAM存儲(chǔ)單元只需一個(gè)晶體管和一個(gè)小電容，而每個(gè)SRAM單元需要四到六個(gè)晶體管和其他零件，故DRAM在高密度（大容量）以及價(jià)格方面均比SRAM有優(yōu)勢(shì)。SRAM多用于對(duì)性能要求極高的地方（如CPU的一級(jí)二級(jí)緩沖），而DR...

其可擴(kuò)展性使STT-MRAM可能在未來(lái)幾年成為低密度和中密度應(yīng)用之DRAM和閃存的替代方案。阻變存儲(chǔ)器,稱(chēng)為ReRAM或RRAM,包括許多不同的技術(shù)類(lèi)別,其中包括氧空缺存儲(chǔ)器、導(dǎo)電橋存儲(chǔ)器、金屬離子存儲(chǔ)器、憶阻器、以及,納米碳管,有些人甚至認(rèn)為相變存儲(chǔ)器也應(yīng)該包括在這一類(lèi)中。所有這些技術(shù)的共同之處在于存儲(chǔ)器機(jī)制是由電阻器組成,依該電阻器處于高電阻或低電阻狀態(tài)以表示“1”或“0”。電流流過(guò)電阻器讀取它,并使用更高的電流來(lái)覆蓋它。ReRAM都承諾簡(jiǎn)化和縮小存儲(chǔ)器單元,因?yàn)樗鼈儾灰欢ㄊ褂镁w管作為選擇器,而是使用在位單元上方或下方構(gòu)建的雙端選擇器。這不當(dāng)應(yīng)該將存儲(chǔ)單元低降到其理論微小尺寸4f2,而且...

SRAM的特點(diǎn)---SRAM是英文StaticRAM的縮寫(xiě)，它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存，不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。而DRAM（DynamicRandomAccessMemory)每隔一段時(shí)間，要刷新充電一次，否則內(nèi)部的數(shù)據(jù)即會(huì)消失，因此SRAM具有較高的性能，缺點(diǎn)是集成度較低，功耗較DRAM大，相同容量的DRAM內(nèi)存可以設(shè)計(jì)為較小的體積，但是SRAM卻需要很大的體積。同樣面積的硅片可以做出更大容量的DRAM，因此SRAM顯得更貴?；咎攸c(diǎn)特點(diǎn)歸納：◎優(yōu)點(diǎn)，速度快，不必配合內(nèi)存刷新電路，可提高整體的工作效率。◎缺點(diǎn)，集成度低，功耗較大，相同的容量體積較大，而且價(jià)格較高，少量用于...

中心原子順著電場(chǎng)停在低能量狀態(tài)I位置,反之,當(dāng)電場(chǎng)反轉(zhuǎn)被施加到同一鐵晶體管時(shí),中心原子順著電場(chǎng)的方向在晶體里移動(dòng)并停在另一低能量狀態(tài)II。大量中心原子在晶體單胞中移動(dòng)耦合形成鐵電疇,鐵電疇在電場(chǎng)作用下形成極化電荷。鐵電疇在電場(chǎng)下反轉(zhuǎn)所形成的極化電荷較高,鐵電疇在電場(chǎng)下無(wú)反轉(zhuǎn)所形成的極化電荷較低,這種鐵電材料的二元穩(wěn)定狀態(tài)使得鐵電可以作為存儲(chǔ)器特別是當(dāng)移去電場(chǎng)后,中心原子處于低能量狀態(tài)保持不動(dòng),存儲(chǔ)器的狀態(tài)也得以保存不會(huì)消失,因此可利用鐵電疇在電場(chǎng)下反轉(zhuǎn)形成高極化電荷,或無(wú)反轉(zhuǎn)形成低極化電荷來(lái)判別存儲(chǔ)單元是在”1”或“0”狀態(tài)。鐵電疇的反轉(zhuǎn)不需要高電場(chǎng),只用一般的工作電壓就可以改變存儲(chǔ)單...

SRAM的類(lèi)型------非揮發(fā)性SRAM（Non-volatileSRAM，nvSRAM）具有SRAM的標(biāo)準(zhǔn)功能，但在失去電源供電時(shí)可以保住其數(shù)據(jù)。非揮發(fā)性SRAM用于網(wǎng)絡(luò)、航天、醫(yī)療等需要關(guān)鍵場(chǎng)合—保住數(shù)據(jù)是關(guān)鍵的而且不可能用上電池。異步SRAM（AsynchronousSRAM）的容量從4Kb到64Mb。SRAM的快速訪問(wèn)使得異步SRAM適用于小型的cache很小的嵌入式處理器的主內(nèi)存，這種處理器廣用于工業(yè)電子設(shè)備、測(cè)量設(shè)備、硬盤(pán)、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備等等。根據(jù)晶體管類(lèi)型分類(lèi)---雙極性結(jié)型晶體管（用于TTL與ECL）—非常快速但是功耗巨大。專(zhuān)業(yè)存儲(chǔ)器代理經(jīng)銷(xiāo)，提供全系列進(jìn)口存儲(chǔ)器芯片IC-千百路工...

內(nèi)存的正式名字叫做“存儲(chǔ)器”，是半導(dǎo)體行業(yè)三大支柱之一。2016年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模為3400億美金，存儲(chǔ)器就占了768億美元。對(duì)于你身邊的手機(jī)、平板、PC、筆記本等所有電子產(chǎn)品來(lái)說(shuō)，存儲(chǔ)器就類(lèi)似于鋼鐵之于現(xiàn)代工業(yè)，是名副其實(shí)的電子行業(yè)“原材料”。存儲(chǔ)器芯片領(lǐng)域，主要分為兩類(lèi)：易失性和非易失性。易失性：斷電以后，存儲(chǔ)器內(nèi)的信息就流失了，例如DRAM，主要用來(lái)做PC機(jī)內(nèi)存(如DDR)和手機(jī)內(nèi)存(如LPDDR)，兩者各占三成。非易失性：斷電以后，存儲(chǔ)器內(nèi)的信息仍然存在，主要是閃存（NandFLASH和NORFLASH），NOR主要應(yīng)用于代碼存儲(chǔ)介質(zhì)中，而NAND則用于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。深圳進(jìn)口芯片代理，電...

大型數(shù)據(jù)中心的能耗不斷攀升,基于電池技術(shù)的物聯(lián)網(wǎng)及移動(dòng)設(shè)備也因功耗問(wèn)題被人詬病。手機(jī)待機(jī)功耗中,存儲(chǔ)是用電“大戶(hù)”。正因?yàn)閿?shù)據(jù)需要分級(jí)存儲(chǔ)、分級(jí)調(diào)取,速度較慢,為讓用戶(hù)體驗(yàn)較快的響應(yīng)速度,數(shù)據(jù)一般存儲(chǔ)在靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器和動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器上,斷電數(shù)據(jù)就會(huì)丟失,因此需要一直耗電。改變這些,就需要新一代存儲(chǔ)器件,既具有接近靜態(tài)存儲(chǔ)器的納秒級(jí)讀寫(xiě)速度,又具有閃存級(jí)別的容量和類(lèi)似Flash的數(shù)據(jù)斷電不丟失存儲(chǔ)特性。自旋轉(zhuǎn)移矩-磁隨機(jī)存儲(chǔ)器（STT-MRAM）就是一種接近“萬(wàn)用存儲(chǔ)器”要求的極具應(yīng)用潛力的下一代新型存儲(chǔ)器解決方案。STT-MRAM由于其數(shù)據(jù)以磁狀態(tài)存儲(chǔ),具有天然的抗輻照、高可靠性以及幾乎無(wú)限次...

這個(gè)問(wèn)題被稱(chēng)為閃存的”縮放限制”，無(wú)論芯片上其余的CMOS能夠縮小多少,閃存都無(wú)法跟上步伐。必須要有新的嵌入式存儲(chǔ)器技術(shù)能搭配這些先進(jìn)工藝制造的ASIC和MCU。嵌入式NOR閃存并不是獨(dú)一受到工藝演進(jìn)影響的。嵌入式SRAM也面臨著相似的問(wèn)題。隨著工藝縮小到幾十納米或更小,SRAM存儲(chǔ)單元(MemoryCell)的大小無(wú)法跟上。與NOR閃存不同,SRAM的問(wèn)題在于其存儲(chǔ)單元的尺寸不會(huì)與工藝成比例地縮小。當(dāng)工藝縮小50％時(shí),它可能只縮小25％。這限縮了嵌入式NOR和嵌入式SRAM的發(fā)展,我們需要新存儲(chǔ)單元技術(shù)能繼續(xù)與流程成比例地縮小。幸運(yùn)的是這些技術(shù)已經(jīng)存在,并且已經(jīng)開(kāi)發(fā)很多年了。另一個(gè)問(wèn)題為轉(zhuǎn)向...

ATMEL的非易失性存儲(chǔ)技術(shù)：作為非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)元老,ATMEL將把非易失性這個(gè)重要技術(shù)集成到為計(jì)算和消費(fèi)產(chǎn)品服務(wù)的復(fù)雜產(chǎn)品之中,例如PC,存儲(chǔ)產(chǎn)品,DVD,娛樂(lè)平臺(tái),游戲產(chǎn)品和玩具等。除了與不斷涌現(xiàn)的電子設(shè)備制造商建立合作關(guān)系外,ATMEL的高密度存儲(chǔ)器產(chǎn)品、微控制器和ASIC同樣可以應(yīng)用到工控、圖像處理和汽車(chē)設(shè)備上。ATMEL公司是是世界上高級(jí)半導(dǎo)體產(chǎn)品設(shè)計(jì)、制造和行銷(xiāo)的先導(dǎo)者,產(chǎn)品包括了微處理器、可編程邏輯器件、非易失性存儲(chǔ)器、安全芯片、混合信號(hào)及RF射頻集成電路。通過(guò)這些重要技術(shù)的組合,ATMEL生產(chǎn)出了各種通用目的及特定應(yīng)用的系統(tǒng)級(jí)芯片,以滿(mǎn)足當(dāng)今電子工程師不斷增長(zhǎng)和演進(jìn)的需求。...

動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（DynamicRAM），“動(dòng)態(tài)”兩字指的是每隔一段時(shí)間，要刷新充電一次，否則內(nèi)部的數(shù)據(jù)即會(huì)消失。這是因?yàn)镈RAM的基本單元是一個(gè)晶體管加一個(gè)電容，并用電容有無(wú)電荷來(lái)表示數(shù)字信息0和1，電容漏電很快，為防止電容漏電而導(dǎo)致讀取信息出錯(cuò)，需要周期性地給DRAM的電容充電，故DRAM速度比SRAM慢。另一方面，這種簡(jiǎn)單的存儲(chǔ)模式也使得DRAM的集成度遠(yuǎn)高于SRAM，一個(gè)DRAM存儲(chǔ)單元只需一個(gè)晶體管和一個(gè)小電容，而每個(gè)SRAM單元需要四到六個(gè)晶體管和其他零件，故DRAM在高密度（大容量）以及價(jià)格方面均比SRAM有優(yōu)勢(shì)。SRAM多用于對(duì)性能要求極高的地方（如CPU的一級(jí)二級(jí)緩沖），而DR...

存儲(chǔ)器的基本概念元素----存儲(chǔ)器：存放程序和數(shù)據(jù)的器件。存儲(chǔ)位：存放一個(gè)二進(jìn)制數(shù)位的存儲(chǔ)單元，是存儲(chǔ)器比較小的存儲(chǔ)單位，或稱(chēng)記憶單元。存儲(chǔ)字：一個(gè)數(shù)（n位二進(jìn)制位）作為一個(gè)整體存入或取出時(shí)，稱(chēng)存儲(chǔ)字。存儲(chǔ)單元：存放一個(gè)存儲(chǔ)字的若干個(gè)記憶單元組成一個(gè)存儲(chǔ)單元。存儲(chǔ)體：大量存儲(chǔ)單元的組成存儲(chǔ)體。存儲(chǔ)單元地址：存儲(chǔ)單元的編號(hào)。字編址：對(duì)存儲(chǔ)單元按字編址。字節(jié)編址：對(duì)存儲(chǔ)單元按字節(jié)編址。尋址：由地址尋找數(shù)據(jù)，從對(duì)應(yīng)地址的存儲(chǔ)單元中訪存數(shù)據(jù)。全新全系列全型號(hào)存儲(chǔ)器芯片，現(xiàn)貨供應(yīng)商-千百路工業(yè)科技。福州順序存儲(chǔ)器現(xiàn)貨庫(kù)存ATMEL非易失性存儲(chǔ)器：ATMEL是非易失性存儲(chǔ)器NVM(掉電時(shí)數(shù)據(jù)仍然保持而不丟...

數(shù)據(jù)顯示，中國(guó)特種氣體市場(chǎng)規(guī)模由2017年的175億元增長(zhǎng)至2021年的342億元，復(fù)合年均增長(zhǎng)率達(dá)18.24%。中商產(chǎn)業(yè)研究院預(yù)測(cè)，2022年我國(guó)特種氣體市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)409億元。4.光刻機(jī)。全球半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)復(fù)蘇，受益于下游晶圓巨大需求、服務(wù)器云計(jì)算和5G基礎(chǔ)建設(shè)的發(fā)展，帶動(dòng)相關(guān)芯片的需求，2020年光刻機(jī)銷(xiāo)售額與銷(xiāo)量增速穩(wěn)定提升。2021年全球集成電路、面板、LED用光刻機(jī)出貨約650臺(tái)，較2020年增加70臺(tái)。其中集成電路制造用光刻機(jī)出貨約500臺(tái)；面板、LED用光刻機(jī)出貨約150臺(tái)。2021年全球光刻機(jī)銷(xiāo)量為450臺(tái)，隨著下游市場(chǎng)需求持續(xù)升高，預(yù)計(jì)2022全球市場(chǎng)仍將持續(xù)增長(zhǎng)，銷(xiāo)量將達(dá)...

硬件工程師的工作內(nèi)容與單片機(jī)是怎樣的關(guān)系？硬件工程師就是電腦軟硬件設(shè)計(jì)、安裝、調(diào)試、解決故障的技術(shù)人員。硬件即計(jì)算機(jī)硬件簡(jiǎn)稱(chēng)，是對(duì)計(jì)算機(jī)中的電子、機(jī)械、光電元器件裝置的統(tǒng)稱(chēng)。當(dāng)前對(duì)于硬件工程師的崗位要求，是需要掌握電路的基本分析方法，掌握相關(guān)電路設(shè)計(jì)工具、數(shù)模電路知識(shí)、微控制器（單片機(jī)）應(yīng)用等。上述前后兩種描述，是有一點(diǎn)差別的。因?yàn)榍罢咧粚儆谟?jì)算機(jī)，后者則已經(jīng)拓寬到電子電路。而電子電路包羅萬(wàn)象，范圍要大得多。更因?yàn)楝F(xiàn)在電子線(xiàn)路中，已經(jīng)大量應(yīng)用了單片機(jī)，讓普通的電子設(shè)備都具備了自動(dòng)控制功能。單片機(jī)就像一部微型電腦，對(duì)電子設(shè)備和機(jī)械設(shè)備都可實(shí)現(xiàn)嵌入式應(yīng)用。因此單片機(jī)的應(yīng)用，已經(jīng)大為拓寬了硬件工程的...

之前部分研究者采用將NOR閃存作為主存，可以解決計(jì)算機(jī)掉電數(shù)據(jù)丟失問(wèn)題，但是閃存有擦寫(xiě)次數(shù)有限，隨機(jī)寫(xiě)性能較差，寫(xiě)延遲較大等的缺點(diǎn)，而采用相變存儲(chǔ)器或者基于相變存儲(chǔ)器的異構(gòu)主存方法可以更好地解決上述問(wèn)題；②相變存儲(chǔ)器的隨機(jī)讀寫(xiě)性能能夠有效地解決大規(guī)?？茖W(xué)計(jì)算中小粒度隨機(jī)I/O對(duì)磁盤(pán)訪問(wèn)所造成的I/O瓶頸，用相變存儲(chǔ)器代替?zhèn)鹘y(tǒng)的硬盤(pán)具有很大的優(yōu)勢(shì)；③閃存和相變存儲(chǔ)器都是新型非易失性存儲(chǔ)器，沒(méi)有機(jī)械裝置并且可隨機(jī)讀寫(xiě)，但是和相變存儲(chǔ)器相比，閃存的讀寫(xiě)性能略顯不足，特別是寫(xiě)入前需要整塊擦除的缺陷，導(dǎo)致閃存只能通過(guò)一系列更加復(fù)雜的技術(shù)化才能替代存儲(chǔ)系統(tǒng)的部分功能。存儲(chǔ)器芯片認(rèn)準(zhǔn)千百路科技，提供全系列存...

只讀存儲(chǔ)器(ReadOnlyMemory)ROM是只讀存儲(chǔ)器。顧名思義，它的特點(diǎn)是只能讀出原有的內(nèi)容，不能由用戶(hù)再寫(xiě)入新內(nèi)容。原來(lái)存儲(chǔ)的內(nèi)容是采用掩膜技術(shù)由廠家一次性寫(xiě)入的，并長(zhǎng)久保存下來(lái)。它一般用來(lái)存放專(zhuān)門(mén)用的固定的程序和數(shù)據(jù)。不會(huì)因斷電而丟失。CMOS存儲(chǔ)器（ComplementaryMetalOxideSemiconductorMemory，互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體內(nèi)存)COMS內(nèi)存是一種只需要極少電量就能存放數(shù)據(jù)的芯片。由于耗能極低，CMOS內(nèi)存可以由集成到主板上的一個(gè)小電池供電，這種電池在計(jì)算機(jī)通電時(shí)還能自動(dòng)充電。因?yàn)镃MOS芯片可以持續(xù)獲得電量，所以即使在關(guān)機(jī)后，他也能保存有關(guān)計(jì)算機(jī)系...

AT24C02芯片是怎么刪除所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)？這里分享一些工程師的經(jīng)驗(yàn)：刪除AT24C02的數(shù)據(jù)只要寫(xiě)255就行了。更具體的方法請(qǐng)?jiān)敿?xì)查證。AT24C02芯片是以IIC接口的EEPROM器件。所謂EEPROM即電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器，是ROM的一種。它是只讀存儲(chǔ)器，即掉電可繼續(xù)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，而同時(shí)又可以在高于普通電壓的作用下擦除和重寫(xiě)，這就方便了單片機(jī)對(duì)其的開(kāi)發(fā)，現(xiàn)在電腦上的ROM很多都是用的EEPROM。存儲(chǔ)器原理現(xiàn)以DRAM(動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器)為例來(lái)講解存儲(chǔ)器的工作原理。對(duì)動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器進(jìn)行寫(xiě)入操作時(shí)，行地址首先將RAS鎖存于芯片中，然后列地址將CAS鎖存于芯片中，WE有效，寫(xiě)入數(shù)據(jù)，則寫(xiě)入的數(shù)據(jù)被存儲(chǔ)于...

內(nèi)存的正式名字叫做“存儲(chǔ)器”，是半導(dǎo)體行業(yè)三大支柱之一。2016年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模為3400億美金，存儲(chǔ)器就占了768億美元。對(duì)于你身邊的手機(jī)、平板、PC、筆記本等所有電子產(chǎn)品來(lái)說(shuō)，存儲(chǔ)器就類(lèi)似于鋼鐵之于現(xiàn)代工業(yè)，是名副其實(shí)的電子行業(yè)“原材料”。存儲(chǔ)器芯片領(lǐng)域，主要分為兩類(lèi)：易失性和非易失性。易失性：斷電以后，存儲(chǔ)器內(nèi)的信息就流失了，例如DRAM，主要用來(lái)做PC機(jī)內(nèi)存(如DDR)和手機(jī)內(nèi)存(如LPDDR)，兩者各占三成。非易失性：斷電以后，存儲(chǔ)器內(nèi)的信息仍然存在，主要是閃存（NandFLASH和NORFLASH），NOR主要應(yīng)用于代碼存儲(chǔ)介質(zhì)中，而NAND則用于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。專(zhuān)業(yè)提供進(jìn)口原裝存儲(chǔ)...

動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）里面所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就需要周期性地更新。然而，當(dāng)電力供應(yīng)停止時(shí)，SRAM儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)還是會(huì)消失（被稱(chēng)為volatilememory），這與在斷電后還能儲(chǔ)存資料的ROM或閃存是不同的。SRAM不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。而DRAM（DynamicRandomAccessMemory)每隔一段時(shí)間，要刷新充電一次，否則內(nèi)部的數(shù)據(jù)即會(huì)消失，因此SRAM具有較高的性能，但是SRAM也有它的缺點(diǎn)，即它的集成度較低，功耗較DRAM大[1]，相同容量的DRAM內(nèi)存可以設(shè)計(jì)為較小的體積，但是SRAM卻需要很大的體積。同樣面積的硅片可以做出更大容量的DRAM，因此SRAM顯得...

eMRAM可以作為工作內(nèi)存和企業(yè)級(jí)存儲(chǔ)的高速緩存等使用，輔以其具備的非易失性?xún)?yōu)勢(shì)，使得采用eMRAM作為存儲(chǔ)解決方案的電子設(shè)備在具備高速運(yùn)算能力的同時(shí)，實(shí)現(xiàn)低功耗。集成密度高、隨工藝節(jié)點(diǎn)等比微縮：集成密度高，指的是單位面積內(nèi)存儲(chǔ)容量大，高于eSRAM，因此成本低。隨工藝節(jié)點(diǎn)等比微縮，指的是隨著技術(shù)工藝的持續(xù)微小化，eMRAM的存儲(chǔ)單元尺寸可相應(yīng)等比例縮?。晌⒖s到7納米及以下），而eFlash因受到自身物理機(jī)理的限制，在28納米以下工藝節(jié)點(diǎn)便無(wú)法繼續(xù)微縮。eMRAM可持續(xù)發(fā)展性（技術(shù)壽命周期長(zhǎng)），是工業(yè)界在考量該項(xiàng)新興技術(shù)時(shí)關(guān)注的一點(diǎn)；天然抗輻射：同傳統(tǒng)的存儲(chǔ)技術(shù)相比，eMRAM的存儲(chǔ)器件MT...

存儲(chǔ)器的簡(jiǎn)稱(chēng)和用途特點(diǎn)1、高速緩沖存儲(chǔ)器Cache高速存取指令和數(shù)據(jù)存取速度快，但存儲(chǔ)容量小。2、主存儲(chǔ)器內(nèi)存存放計(jì)算機(jī)運(yùn)行期間的大量程序和數(shù)據(jù)存取速度較快，存儲(chǔ)容量不大。3、外存儲(chǔ)器外存存放系統(tǒng)程序和大型數(shù)據(jù)文件及數(shù)據(jù)庫(kù)存儲(chǔ)容量大，位成本低。4、內(nèi)存又稱(chēng)為內(nèi)存儲(chǔ)器或者主存儲(chǔ)器，是計(jì)算機(jī)中的主要部件，它是相對(duì)于外存而言的。內(nèi)存的質(zhì)量好壞與容量大小會(huì)影響計(jì)算機(jī)的運(yùn)行速度。一般常用的微型計(jì)算機(jī)的存儲(chǔ)器有磁芯存儲(chǔ)器和半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，目前微型機(jī)的內(nèi)存都采用半導(dǎo)體存儲(chǔ)器。深圳存儲(chǔ)器芯片采購(gòu)就是選千百路科技，一家專(zhuān)注存儲(chǔ)器系列芯片的公司，超全型號(hào)。天河非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)服務(wù)存儲(chǔ)器的主要功能：存儲(chǔ)器的主要功能...

SRAM的主要用途---主要用于二級(jí)高速緩存（Level2Cache)。它利用晶體管來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。與DRAM相比，SRAM的速度快，但在相同面積中SRAM的容量要比其他類(lèi)型的內(nèi)存小。SRAM的速度快但昂貴，一般用小容量的SRAM作為更高速CPU和較低速DRAM之間的緩存（cache）.SRAM也有許多種，如AsyncSRAM(AsynchronousSRAM，異步SRAM）、SyncSRAM(SynchronousSRAM，同步SRAM）、PBSRAM(PipelinedBurstSRAM，流水式突發(fā)SRAM），還有INTEL沒(méi)有公布細(xì)節(jié)的CSRAM等。SRAM一般可分為五大部分：存儲(chǔ)單元陣列（...

ATMEL的質(zhì)量體系一：ATMEL在各個(gè)層次都對(duì)質(zhì)量有明確的承諾。所有的ATMEL地點(diǎn)都經(jīng)過(guò)ISO9001認(rèn)證，大多數(shù)經(jīng)過(guò)QS9000認(rèn)證，有一些還通過(guò)了旨在保護(hù)環(huán)境的ISO14001認(rèn)證。所有ATMEL的運(yùn)作都受公司內(nèi)部詳細(xì)的質(zhì)量規(guī)范所控制，并定期進(jìn)行回顧和更新。其目的就是進(jìn)行持續(xù)不斷的改進(jìn)，提高客戶(hù)的總體滿(mǎn)意度。ATMDL的質(zhì)量體系二：ATMEL的質(zhì)量小組與客戶(hù)合作進(jìn)行質(zhì)量審計(jì)，以保證ATMEL符合客戶(hù)的質(zhì)量要求。從客戶(hù)項(xiàng)目獲得的經(jīng)驗(yàn)將反饋到下一次產(chǎn)品的生產(chǎn)。ATMEL保持產(chǎn)品和技術(shù)更新的方法是已經(jīng)在實(shí)行的研究和開(kāi)發(fā)的合作。研發(fā)項(xiàng)目與主要客戶(hù)和大學(xué)合作進(jìn)行，從而獲得先進(jìn)的功能模塊，以及工藝...

作為非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)的創(chuàng)建之父，ATMEL將繼續(xù)把這個(gè)重要能力集成到為計(jì)算和消費(fèi)產(chǎn)品(比如PC，存儲(chǔ)產(chǎn)品，DVD，娛樂(lè)平臺(tái)，游戲和玩具)服務(wù)的復(fù)雜產(chǎn)品之中。除了與不斷涌現(xiàn)的電子設(shè)備制造商建立合作關(guān)系之外，ATMEL的高密度存儲(chǔ)器產(chǎn)品、微控制器和ASIC同樣可以應(yīng)用到工業(yè)控制、圖像處理和汽車(chē)設(shè)備ATMEL公司是是世界上高級(jí)半導(dǎo)體產(chǎn)品設(shè)計(jì)、制造和行銷(xiāo)的先導(dǎo)者，產(chǎn)品包括了微處理器、可編程邏輯器件、非易失性存儲(chǔ)器、安全芯片、混合信號(hào)及RF射頻集成電路。通過(guò)這些重要技術(shù)的組合，ATMEL生產(chǎn)出了各種通用目的及特定應(yīng)用的系統(tǒng)級(jí)芯片，以滿(mǎn)足當(dāng)今電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)工程師不斷增長(zhǎng)和演進(jìn)的需求。存儲(chǔ)器芯片代理，提供全...

動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器(DRAM)的工作原理----動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器每片只有一條輸入數(shù)據(jù)線(xiàn)，而地址引腳只有8條。為了形成64K地址，必須在系統(tǒng)地址總線(xiàn)和芯片地址引線(xiàn)之間專(zhuān)門(mén)設(shè)計(jì)一個(gè)地址形成電路。使系統(tǒng)地址總線(xiàn)信號(hào)能分時(shí)地加到8個(gè)地址的引腳上，借助芯片內(nèi)部的行鎖存器、列鎖存器和譯碼電路選定芯片內(nèi)的存儲(chǔ)單元，鎖存信號(hào)也靠著外部地址電路產(chǎn)生。當(dāng)要從DRAM芯片中讀出數(shù)據(jù)時(shí)，CPU首先將行地址加在A0-A7上，而后送出RAS鎖存信號(hào)，該信號(hào)的下降沿將地址鎖存在芯片內(nèi)部。接著將列地址加到芯片的A0-A7上，再送CAS鎖存信號(hào)，也是在信號(hào)的下降沿將列地址鎖存在芯片內(nèi)部。然后保持WE=1，則在CAS有效期間數(shù)據(jù)輸出并保持。「...

MicrochipTechnologyInc.（納斯達(dá)克股市代號(hào)：MCHP）是全球的整合單片機(jī)、模擬器件、FPGA、聯(lián)網(wǎng)器件及電源管理半導(dǎo)體器件的供應(yīng)商。其簡(jiǎn)單易用的開(kāi)發(fā)工具和豐富的產(chǎn)品組合讓客戶(hù)能夠打造比較好設(shè)計(jì)，在降低風(fēng)險(xiǎn)的同時(shí)降低系統(tǒng)總成本，縮短上市時(shí)間。公司的解決方案已為工業(yè)、汽車(chē)、消費(fèi)、航天和通信以及計(jì)算市場(chǎng)中超過(guò)13萬(wàn)家客戶(hù)提供服務(wù)。Microchip總部位于美國(guó)亞利桑那州Chandler市，提供出色的技術(shù)支持、可靠的產(chǎn)品和卓yue的質(zhì)量。專(zhuān)業(yè)存儲(chǔ)器代理分銷(xiāo)公司，提供全系列存儲(chǔ)器芯片，配套元器件。北京可編程存儲(chǔ)器好不好SRAM主要用于二級(jí)高速緩存（Level2Cache)。它利用晶...

存儲(chǔ)器的簡(jiǎn)稱(chēng)和用途特點(diǎn)1、高速緩沖存儲(chǔ)器Cache高速存取指令和數(shù)據(jù)存取速度快，但存儲(chǔ)容量小。2、主存儲(chǔ)器內(nèi)存存放計(jì)算機(jī)運(yùn)行期間的大量程序和數(shù)據(jù)存取速度較快，存儲(chǔ)容量不大。3、外存儲(chǔ)器外存存放系統(tǒng)程序和大型數(shù)據(jù)文件及數(shù)據(jù)庫(kù)存儲(chǔ)容量大，位成本低。4、內(nèi)存又稱(chēng)為內(nèi)存儲(chǔ)器或者主存儲(chǔ)器，是計(jì)算機(jī)中的主要部件，它是相對(duì)于外存而言的。內(nèi)存的質(zhì)量好壞與容量大小會(huì)影響計(jì)算機(jī)的運(yùn)行速度。一般常用的微型計(jì)算機(jī)的存儲(chǔ)器有磁芯存儲(chǔ)器和半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，目前微型機(jī)的內(nèi)存都采用半導(dǎo)體存儲(chǔ)器。存儲(chǔ)器芯片IC哪家好？選擇千百路科技，服務(wù)好，價(jià)格實(shí)惠，現(xiàn)貨庫(kù)存。大連只讀存儲(chǔ)器專(zhuān)賣(mài)靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(sram)多年來(lái)被應(yīng)用于各種場(chǎng)合...

ATMEL的質(zhì)量體系三：分布世界的專(zhuān)業(yè)設(shè)計(jì)能力和IPATMEL在全球擁有40個(gè)設(shè)計(jì)中心，分別專(zhuān)注于產(chǎn)品開(kāi)發(fā)、工程支持以及深度應(yīng)用開(kāi)發(fā)。為了開(kāi)發(fā)復(fù)雜的SoC產(chǎn)品，ATMEL設(shè)立了先進(jìn)的基于平臺(tái)的設(shè)計(jì)流程，在投片之前大量使用仿真平臺(tái)進(jìn)行軟硬件驗(yàn)證。這種方法大幅度減少了設(shè)計(jì)周期并消除了許多錯(cuò)誤。為了支持這些高附加值的產(chǎn)品，ATMEL建立了一個(gè)豐富的IP庫(kù)。庫(kù)里包括先進(jìn)的RISC微控制器和外設(shè)，DSP核，嵌入式存儲(chǔ)器，工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的接口，高精度、高速度的模擬轉(zhuǎn)換器，RF電路和電源管理宏單元。ASIC、ASSP和標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品之間的IP重用可以減少開(kāi)發(fā)時(shí)間和成本，并提高硅片一次成功的可能性。存儲(chǔ)器芯片IC哪家好？...

AT24C02芯片是怎么刪除所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)？這里分享一些工程師的經(jīng)驗(yàn)：刪除AT24C02的數(shù)據(jù)只要寫(xiě)255就行了。更具體的方法請(qǐng)?jiān)敿?xì)查證。AT24C02芯片是以IIC接口的EEPROM器件。所謂EEPROM即電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器，是ROM的一種。它是只讀存儲(chǔ)器，即掉電可繼續(xù)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，而同時(shí)又可以在高于普通電壓的作用下擦除和重寫(xiě)，這就方便了單片機(jī)對(duì)其的開(kāi)發(fā)，現(xiàn)在電腦上的ROM很多都是用的EEPROM。存儲(chǔ)器原理現(xiàn)以DRAM(動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器)為例來(lái)講解存儲(chǔ)器的工作原理。對(duì)動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器進(jìn)行寫(xiě)入操作時(shí)，行地址首先將RAS鎖存于芯片中，然后列地址將CAS鎖存于芯片中，WE有效，寫(xiě)入數(shù)據(jù)，則寫(xiě)入的數(shù)據(jù)被存儲(chǔ)于...

SRAM的主要用途---主要用于二級(jí)高速緩存（Level2Cache)。它利用晶體管來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。與DRAM相比，SRAM的速度快，但在相同面積中SRAM的容量要比其他類(lèi)型的內(nèi)存小。SRAM的速度快但昂貴，一般用小容量的SRAM作為更高速CPU和較低速DRAM之間的緩存（cache）.SRAM也有許多種，如AsyncSRAM(AsynchronousSRAM，異步SRAM）、SyncSRAM(SynchronousSRAM，同步SRAM）、PBSRAM(PipelinedBurstSRAM，流水式突發(fā)SRAM），還有INTEL沒(méi)有公布細(xì)節(jié)的CSRAM等。SRAM一般可分為五大部分：存儲(chǔ)單元陣列（...

SRAM的主要用途---主要用于二級(jí)高速緩存（Level2Cache)。它利用晶體管來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。與DRAM相比，SRAM的速度快，但在相同面積中SRAM的容量要比其他類(lèi)型的內(nèi)存小。SRAM的速度快但昂貴，一般用小容量的SRAM作為更高速CPU和較低速DRAM之間的緩存（cache）.SRAM也有許多種，如AsyncSRAM(AsynchronousSRAM，異步SRAM）、SyncSRAM(SynchronousSRAM，同步SRAM）、PBSRAM(PipelinedBurstSRAM，流水式突發(fā)SRAM），還有INTEL沒(méi)有公布細(xì)節(jié)的CSRAM等。SRAM一般可分為五大部分：存儲(chǔ)單元陣列（...