故比STT-MRAM具備更快的讀寫速度和更低的功耗,但目前仍處于研發(fā)階段。所有這些元件都是使用隧道層的“巨磁阻效應”來讀取位單元：當該層兩側的磁性方向一致時,該層提供低電阻,因此電流大,但當磁性方向相反時,電阻會變很高,導致電流流量中斷?；締卧枰龑踊蚋鄬拥亩褩韺崿F(xiàn),兩個磁層和一個隧道層。STTMRAM有兩種,一種是尺寸較小但速度較慢的單晶體管(1T)單元,另一種是尺寸較大但速度較快的雙晶體管單元(2T)。單晶體管STTMRAM每個單元需要一個晶體管和一個磁隧道結(MTJ,稱為1T1R。它具有與DRAM相當?shù)男酒叽?但其200ns的寫入周期相對較慢。為了更快的類似SRAM的寫入速度,...

存儲器是計算機中的重要組成部分，它用于存儲計算機運行所需的數(shù)據(jù)和程序。存儲器的種類有很多，包括內存、硬盤、固態(tài)硬盤等。內存是計算機中**常用的存儲器，它可以快速地讀取和寫入數(shù)據(jù)，是計算機運行的關鍵。硬盤則是計算機中的主要存儲設備，它可以長期保存數(shù)據(jù)和程序，并且容量較大，適合存儲大量的文件和數(shù)據(jù)。固態(tài)硬盤則是一種新型的存儲器，它具有讀寫速度快、耐用、節(jié)能等優(yōu)點，逐漸成為計算機存儲器的主流。無論是哪種存儲器，都需要注意保護和維護，避免數(shù)據(jù)丟失和損壞。因此，我們應該定期備份數(shù)據(jù)，避免存儲器過度使用，以保證計算機的正常運行。儲器是許多存儲單元的總和，按單元號順序排列。廣州存儲器排行榜 電子產品只...

常用的外存儲器設備以兩種方式之一來存儲信息。磁帶以大的盤式裝置形式。在1970年代作為計算機存儲的一大支柱,現(xiàn)在則以小而封閉的盒式磁帶成為一種相對便宜的“離線”存儲選擇。盡管它在加載現(xiàn)代錄音磁帶和尋找到感興趣數(shù)據(jù)的存儲位置時,可能花費幾秒甚至幾分鐘,但購買和維修這一存儲媒質的長期花費是低廉的。各種光學存儲器裝置也是可得到的。在光學存儲器裝置中存取一串特定數(shù)據(jù)所需的時間,可能與在（磁）硬盤存取數(shù)據(jù)所需的時間一樣短。在光盤某一平滑鏡面上存在著微小的缺陷。在光盤表面燒一個孔洞表示二進制數(shù)1,沒有燒孔則表示0。燒制而成的光盤是寫一次,讀多次。這個特征使得它們適合于長期的檔案存儲,且保持較高的存取速率。...

存儲器分為內存儲器(簡稱主存或內存)和外存儲器(簡稱輔存或外存)。內存儲器：內存儲器是一個廣為的統(tǒng)稱,它包括寄存器、高速緩沖存儲器以及主存儲器。它用于暫時存放CPU中的運算數(shù)據(jù),與硬盤等外部存儲器交換的數(shù)據(jù)。只要計算機開始運行,操作系統(tǒng)就會把需要運算的數(shù)據(jù)從內存調到CPU中進行運算。當運算完成,CPU將結果傳送出來。動態(tài)隨機存儲器（DynamicRAM）,“動態(tài)”兩字指的是每隔一段時間,要刷新充電一次,否則內部的數(shù)據(jù)即會消失。這是因為DRAM的基本單元是一個晶體管加一個電容,并用電容有無電荷來表示數(shù)字信息0和1,電容漏電很快,為防止電容漏電而導致讀取信息出錯,需要周期性地給DRAM的電...

而是由存儲單元電容中鐵電晶體的中心原子位置進行記錄。直接對中心原子的位置進行檢測是不能實現(xiàn)的,實際的讀操作過程是：在存儲單元電容上施加一已知電場（即對電容充電）,如果原來晶體的中心原子的位置與所施加的電場方向使中心原子要達到的位置相同,則中心原子不會移動；若相反,則中心原子將越過晶體中間層的高能階到達另一位置,則在充電波形上就會出現(xiàn)一個尖峰,即產生原子移動的比沒有產生移動的多了一個尖峰,把這個充電波形同參考位（確定且已知）的充電波形進行比較,便可以判斷檢測的存儲單元中的內容是“1”或“0”。無論是2T2C還是1T1C的FRAM,對存儲單元進行讀操作時,數(shù)據(jù)位狀態(tài)可能改變而參考位則不會改...

國內銷售?！苯堧娮佣麻L蔡華波指出。市場回暖自2016年以來的存儲器價格持續(xù)上漲曾讓三星打敗英特爾,成為全球比較大的半導體廠商。到了2018年9月,存儲器開始走下坡路。不過,在2019年第三季度跌至低谷后,存儲器市場又開始回暖。市場調研機構ICInsights稱,2020年IC市場回暖,NANDFLASH2020年以19%的增長率領漲。集邦資訊稱,2020年前列季NANDFlash價格持續(xù)上漲?；诘拘枨蟊憩F(xiàn)不淡,供給增長保守以及供應商庫存已下降,各類產品合約價在2020年前列季均可望持續(xù)上漲。潘健成告訴記者,目前NANDFLASH供應非常緊缺,“我創(chuàng)業(yè)十年以來前列次看到這么緊。...

硬件工程師的工作內容與單片機是怎樣的關系？硬件工程師就是電腦軟硬件設計、安裝、調試、解決故障的技術人員。硬件即計算機硬件簡稱，是對計算機中的電子、機械、光電元器件裝置的統(tǒng)稱。當前對于硬件工程師的崗位要求，是需要掌握電路的基本分析方法，掌握相關電路設計工具、數(shù)模電路知識、微控制器（單片機）應用等。上述前后兩種描述，是有一點差別的。因為前者只屬于計算機，后者則已經拓寬到電子電路。而電子電路包羅萬象，范圍要大得多。更因為現(xiàn)在電子線路中，已經大量應用了單片機，讓普通的電子設備都具備了自動控制功能。單片機就像一部微型電腦，對電子設備和機械設備都可實現(xiàn)嵌入式應用。因此單片機的應用，已經大為拓寬了硬件工程的...

存儲器的簡稱和用途特點1、高速緩沖存儲器Cache高速存取指令和數(shù)據(jù)存取速度快，但存儲容量小。2、主存儲器內存存放計算機運行期間的大量程序和數(shù)據(jù)存取速度較快，存儲容量不大。3、外存儲器外存存放系統(tǒng)程序和大型數(shù)據(jù)文件及數(shù)據(jù)庫存儲容量大，位成本低。4、內存又稱為內存儲器或者主存儲器，是計算機中的主要部件，它是相對于外存而言的。內存的質量好壞與容量大小會影響計算機的運行速度。一般常用的微型計算機的存儲器有磁芯存儲器和半導體存儲器，目前微型機的內存都采用半導體存儲器。國產存儲器品類和質量都在不斷提高，越來越多的電子產品選型國產存儲器。程序存儲器原廠方案動態(tài)隨機存儲器（DynamicRAM），“動態(tài)”兩...

長江存儲正面臨產能爬坡的挑戰(zhàn)。根據(jù)長江存儲市場與銷售經驗豐富副總裁龔翊介紹,目前長江存儲有一座12英寸晶圓廠,規(guī)劃滿產的產能為10萬片/月,預計2020年底前產能將達5萬~10萬片/月,后續(xù)將根據(jù)市場情況進一步擴大。據(jù)前列財經了解,目前產能約為2萬片/月。據(jù)報道,長江存儲副董事長楊道虹日前表示,將盡早達成64層3D閃存產品月產能10萬片,并按期建成30萬片/月產能。龔翊披露,按計劃今年年底前集成長江存儲3DNAND閃存的產品將逐步面市。首先是針對電子消費產品和手機的市場,隨后將會針對PC和服務器提供SSD產品。其中,在固態(tài)閃存市場將會根據(jù)客戶需求,先后推出面向PC、服務器以及大數(shù)據(jù)中心...

據(jù)悉,國內微電子集成電路先導工藝研發(fā)團隊經過三年攻關,成功制備國內首例80納米自旋轉移矩-磁隨機存儲器器件,此項技術應用后,電腦死機也會保留所有數(shù)據(jù),手機待機時間也有望大幅提高。存儲器是電子系統(tǒng)的重要組成部分。目前絕大多數(shù)電子系統(tǒng)均采用寄存、主存加硬盤的存儲體系結構。與之相對應,靜態(tài)隨機存儲器（SRAM）、動態(tài)隨機存儲器（DRAM）、閃存（Flash）或硬盤（HDD）成為實現(xiàn)這三種存儲體系的傳統(tǒng)存儲技術。一臺電腦中,靜態(tài)隨機存儲器對應的是CPU內的存儲器,其特點是速度快,但容量??；動態(tài)隨機存儲器對應的是電腦主板上的內存條；閃存或者硬盤對應的就是電腦里的固態(tài)硬盤或者機械硬盤,其特點是速度慢,但容...

但是寫操作仍要保留一個"預充"時間,所以總的時間與讀操作相同。FRAM的寫操作與其它非易失性存儲器的寫操作相比,速度要快得多,而且功耗小。在FRAM讀操作后必須有個"預充電"過程,來恢復數(shù)據(jù)位。增加預充電時間后FRAM一個完整的讀操作周期為130ns,這是與SRAM和E2PROM不同的地方。Ramtron公司的FRAM主要包括兩大類：串行FRAM和并行FRAM。其中串行FRAM又分I2C兩線方式的FM24系列和SPI三線方式的FM25系列。串行FRAM與傳統(tǒng)的24、25型的E2PROM引腳及時序兼容,可以直接替換,如Microchip、Xicor公司的同型號產品,但各項性能要好得多,性...

它可存儲一個二進制代碼。由若干個存儲元組成一個存儲單元,然后再由許多存儲單元組成一個存儲器。根據(jù)存儲材料的性能及使用方法的不同,存儲器有幾種不同的分類方法。如半導體存儲器：用半導體器件組成的存儲器。磁表面存儲器：用磁性材料做成的存儲器。按存儲方式分為隨機存儲器：任何存儲單元的內容都能被隨機存取,且存取時間和存儲單元的物理位置無關。順序存儲器：只能按某種順序來存取,存取時間與存儲單元的物理位置有關。按存儲器的讀寫功能分類：為只讀存儲器(ROM)：存儲的內容是固定不變的,只能讀出而不能寫入的半導體存儲器。隨機讀寫存儲器(RAM)：既能讀出又能寫入的半導體存儲器。按信息的可保存性分類非長憶存儲器：斷...

ATMEL對質量有哪些承諾？ATMEL在全球擁有40個設計中心,分別專注于產品開發(fā)、工程支持以及深度應用開發(fā)。為了開發(fā)復雜的SoC產品,ATMEL設立了先進的基于平臺的設計流程,在投片之前大量使用仿真平臺進行軟硬件驗證。這種方法大幅度減少了設計周期并消除了很多錯誤。為了支持高附加值的產品,ATMEL建立了一個豐富的IP庫。庫里包括RISC微控制器和外設,DSP核,嵌入式存儲器,工業(yè)標準的接口,高精度、高速度的模擬轉換器,RF電路和電源管理宏單元。ATMEL在各個層次都對質量有明確的承諾。所有的ATMEL地點都經過ISO9001認證,大多數(shù)經過QS9000認證,有一些還通過了ISO14001認證...

SRAM的特點---SRAM是英文StaticRAM的縮寫，它是一種具有靜止存取功能的內存，不需要刷新電路即能保存它內部存儲的數(shù)據(jù)。而DRAM（DynamicRandomAccessMemory)每隔一段時間，要刷新充電一次，否則內部的數(shù)據(jù)即會消失，因此SRAM具有較高的性能，缺點是集成度較低，功耗較DRAM大，相同容量的DRAM內存可以設計為較小的體積，但是SRAM卻需要很大的體積。同樣面積的硅片可以做出更大容量的DRAM，因此SRAM顯得更貴。基本特點特點歸納：◎優(yōu)點，速度快，不必配合內存刷新電路，可提高整體的工作效率?！蛉秉c，集成度低，功耗較大，相同的容量體積較大，而且價格較高，少量用于...

SRAM的類型------非揮發(fā)性SRAM（Non-volatileSRAM，nvSRAM）具有SRAM的標準功能，但在失去電源供電時可以保住其數(shù)據(jù)。非揮發(fā)性SRAM用于網絡、航天、醫(yī)療等需要關鍵場合—保住數(shù)據(jù)是關鍵的而且不可能用上電池。異步SRAM（AsynchronousSRAM）的容量從4Kb到64Mb。SRAM的快速訪問使得異步SRAM適用于小型的cache很小的嵌入式處理器的主內存，這種處理器廣用于工業(yè)電子設備、測量設備、硬盤、網絡設備等等。根據(jù)晶體管類型分類---雙極性結型晶體管（用于TTL與ECL）—非?？焖俚枪木薮?。內存儲器在程序執(zhí)行期間被計算機頻繁地使用，并且在一個指令周...

長期被國際巨頭壟斷的存儲器市場終于迎來了中國玩家。在面對和長江存儲一起經歷國產NANDFLASH從無到有的八家主要合作伙伴時,長江存儲CEO楊士寧(Simon)說道：“存儲不是一個好做的行業(yè),我可以很負責任跟大家說,比我在英特爾做CPU還要難?！倍L江存儲董事長、紫光集團董事長兼CEO趙偉國在現(xiàn)場也坦言,從2016年7月成立到現(xiàn)在三年多,長江存儲這一“中國半導體有史以來比較大的項目”,經歷了從32層到64層研發(fā),過程非常不容易,“回想這三年多,真的是有一種雄關漫道真如鐵的感覺?！迸c此同時,經歷了一年多大蕭條的存儲器市場逐漸回暖,長江存儲這一國產存儲器廠商將迎來發(fā)展良機。“超出預期”存儲...

其可擴展性使STT-MRAM可能在未來幾年成為低密度和中密度應用之DRAM和閃存的替代方案。阻變存儲器,稱為ReRAM或RRAM,包括許多不同的技術類別,其中包括氧空缺存儲器、導電橋存儲器、金屬離子存儲器、憶阻器、以及,納米碳管,有些人甚至認為相變存儲器也應該包括在這一類中。所有這些技術的共同之處在于存儲器機制是由電阻器組成,依該電阻器處于高電阻或低電阻狀態(tài)以表示“1”或“0”。電流流過電阻器讀取它,并使用更高的電流來覆蓋它。ReRAM都承諾簡化和縮小存儲器單元,因為它們不一定使用晶體管作為選擇器,而是使用在位單元上方或下方構建的雙端選擇器。這不當應該將存儲單元低降到其理論微小尺寸4f2,而且...

同樣的,容量越大,速度也就越慢,速度和容量不可兼得,速度高必然貴并且容量小。鐵電存儲器（FRAM,ferroelectricRAM）是一種隨機存取存儲器,它將動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）的快速讀取和寫入訪問——它是個人電腦存儲中很常用的類型——與在電源關掉后保留數(shù)據(jù)能力（就像其他穩(wěn)定的存儲設備一樣,如只讀存儲器和閃存）結合起來。鐵電存儲器（FRAM,ferroelectricRAM）是一種隨機存取存儲器,它將動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）的快速讀取和寫入訪問——它是個人電腦存儲中很常用的類型——與在電源關掉后保留數(shù)據(jù)能力（就像其他穩(wěn)定的存儲設備一樣,如只讀存儲器和閃存）結合起來。由于...

動態(tài)隨機存儲器（DynamicRAM）介紹：“動態(tài)”兩字，指的是每隔一定的時間，就需要刷新充電一次，否則存儲器內部的數(shù)據(jù)就會被去除。這是因為存儲器DRAM的每個基本單元，是由一個晶體管加一個電容所構成，故存儲器的基本工作邏輯為二進制。以電容中有無電荷來表示數(shù)字信號0或1。由于電容漏電快，存儲器為防止因電容漏電而致信息讀取出錯，需周期性地給DRAM電容進行充電，故DRAM速度會比SRAM慢。同時，這種簡潔的存儲模式也使DRAM集成度遠比SRAM要高。一個DRAM存儲單元只需要一個電容加一個晶體管，而每個SRAM單元則需要4-6個晶體管和其他元件，故DRAM在高密度/大容量及成本方面，均比SRAM...

程序存儲器為只讀存儲器,數(shù)據(jù)存儲器為隨機存取存儲器。從物理地址空間看,共有4個存儲地址空間,即片內程序存儲器、片外程序存儲器、片內數(shù)據(jù)存儲器和片外數(shù)據(jù)存儲器,I/O接口與外部數(shù)據(jù)存儲器統(tǒng)一編址。存儲器存儲系統(tǒng)的層次結構：為提高存儲器的性能,通常把各種不同存儲容量、存取速度和價格的存儲器按層次結構組成多層存儲器,并通過管理軟件和輔助硬件有機組合成統(tǒng)一的整體,使所存放的程序和數(shù)據(jù)按層次分布在各存儲器中。主要采用三級層次結構來構成存儲系統(tǒng),由高速緩沖存儲器Cache、主存儲器和輔助存儲器組成。自上向下容量逐漸增大,速度逐級降低,成本則逐次減少。整個結構可看成主存一輔存和Cache-主存兩個層次。在輔...

動態(tài)隨機存儲器（DynamicRAM），“動態(tài)”兩字指的是每隔一段時間，要刷新充電一次，否則內部的數(shù)據(jù)即會消失。這是因為DRAM的基本單元是一個晶體管加一個電容，并用電容有無電荷來表示數(shù)字信息0和1，電容漏電很快，為防止電容漏電而導致讀取信息出錯，需要周期性地給DRAM的電容充電，故DRAM速度比SRAM慢。另一方面，這種簡單的存儲模式也使得DRAM的集成度遠高于SRAM，一個DRAM存儲單元只需一個晶體管和一個小電容，而每個SRAM單元需要四到六個晶體管和其他零件，故DRAM在高密度（大容量）以及價格方面均比SRAM有優(yōu)勢。SRAM多用于對性能要求極高的地方（如CPU的一級二級緩沖），而DR...

而是由存儲單元電容中鐵電晶體的中心原子位置進行記錄。直接對中心原子的位置進行檢測是不能實現(xiàn)的,實際的讀操作過程是：在存儲單元電容上施加一已知電場（即對電容充電）,如果原來晶體的中心原子的位置與所施加的電場方向使中心原子要達到的位置相同,則中心原子不會移動；若相反,則中心原子將越過晶體中間層的高能階到達另一位置,則在充電波形上就會出現(xiàn)一個尖峰,即產生原子移動的比沒有產生移動的多了一個尖峰,把這個充電波形同參考位（確定且已知）的充電波形進行比較,便可以判斷檢測的存儲單元中的內容是“1”或“0”。無論是2T2C還是1T1C的FRAM,對存儲單元進行讀操作時,數(shù)據(jù)位狀態(tài)可能改變而參考位則不會改...

動態(tài)隨機存儲器（DynamicRAM），“動態(tài)”兩字指的是每隔一段時間，要刷新充電一次，否則內部的數(shù)據(jù)即會消失。這是因為DRAM的基本單元是一個晶體管加一個電容，并用電容有無電荷來表示數(shù)字信息0和1，電容漏電很快，為防止電容漏電而導致讀取信息出錯，需要周期性地給DRAM的電容充電，故DRAM速度比SRAM慢。另一方面，這種簡單的存儲模式也使得DRAM的集成度遠高于SRAM，一個DRAM存儲單元只需一個晶體管和一個小電容，而每個SRAM單元需要四到六個晶體管和其他零件，故DRAM在高密度（大容量）以及價格方面均比SRAM有優(yōu)勢。SRAM多用于對性能要求極高的地方（如CPU的一級二級緩沖），而DR...

SRAM的特點---SRAM是英文StaticRAM的縮寫，它是一種具有靜止存取功能的內存，不需要刷新電路即能保存它內部存儲的數(shù)據(jù)。而DRAM（DynamicRandomAccessMemory)每隔一段時間，要刷新充電一次，否則內部的數(shù)據(jù)即會消失，因此SRAM具有較高的性能，缺點是集成度較低，功耗較DRAM大，相同容量的DRAM內存可以設計為較小的體積，但是SRAM卻需要很大的體積。同樣面積的硅片可以做出更大容量的DRAM，因此SRAM顯得更貴?；咎攸c特點歸納：◎優(yōu)點，速度快，不必配合內存刷新電路，可提高整體的工作效率?！蛉秉c，集成度低，功耗較大，相同的容量體積較大，而且價格較高，少量用于...

可以很容易地存取其內部的每一個字節(jié)。NAND器件使用復雜的I/O口來串行地存取數(shù)據(jù),各個產品或廠商的方法可能各不相同。8個引腳用來傳送控制、地址和數(shù)據(jù)信息。NAND讀和寫操作采用512字節(jié)的塊,這一點有點像硬盤管理此類操作,很自然地,基于NAND的存儲器就可以取代硬盤或其他塊設備。Flash存儲器容量和成本NANDflash的單元尺寸幾乎是NOR器件的一半,由于生產過程更為簡單,NAND結構可以在給定的模具尺寸內提供更高的容量,也就相應地降低了價格。NORflash占據(jù)了容量為1～16MB閃存市場的大部分,而NANDflash只是用在8MB～128GB的產品當中,這也說明NOR主要應用...

它可存儲一個二進制代碼。由若干個存儲元組成一個存儲單元,然后再由許多存儲單元組成一個存儲器。根據(jù)存儲材料的性能及使用方法的不同,存儲器有幾種不同的分類方法。如半導體存儲器：用半導體器件組成的存儲器。磁表面存儲器：用磁性材料做成的存儲器。按存儲方式分為隨機存儲器：任何存儲單元的內容都能被隨機存取,且存取時間和存儲單元的物理位置無關。順序存儲器：只能按某種順序來存取,存取時間與存儲單元的物理位置有關。按存儲器的讀寫功能分類：為只讀存儲器(ROM)：存儲的內容是固定不變的,只能讀出而不能寫入的半導體存儲器。隨機讀寫存儲器(RAM)：既能讀出又能寫入的半導體存儲器。按信息的可保存性分類非長憶存儲器：斷...

在此之前的1956年出現(xiàn)的“庫珀對”及BCS理論被公認為是對超導現(xiàn)象的完美解釋,單電子隧道效應無疑是對超導理論的一個重要補充。1962年,22歲的英國劍橋大學實驗物理學研究生約瑟夫森（BrianDavidJosephson,1940～）預言,當兩個超導體之間設置一個絕緣薄層構成時,電子可以穿過絕緣體從一個超導體到達另一個超導體。約瑟夫森的這一預言不久就為——電子對通過兩塊超導金屬間的薄絕緣層（厚度約為10埃）時發(fā)生了隧道效應,于是稱之為“約瑟夫森效應”。宏觀量子隧道效應確立了微電子器件進一步微型化的極限,當微電子器件進一步微型化時必須要考慮上述的量子效應。例如在制造半導體集成電路時,當...

每個NAND存儲器塊在給定的時間內的刪除次數(shù)要少一些。Flash存儲器位交換所有flash器件都受位交換現(xiàn)象的困擾。在某些情況下(很少見,NAND發(fā)生的次數(shù)要比NOR多),一個比特位會發(fā)生反轉或被報告反轉了。比特位反轉一位的變化可能不很明顯,但是如果發(fā)生在一個關鍵文件上,這個小小的故障可能導致系統(tǒng)停機。如果只是報告有問題,多讀幾次就可能解決了。當然,如果這個位真的改變了,就必須采用錯誤探測/錯誤更正(EDC/ECC)算法。位反轉的問題更多見于NAND閃存,NAND的供應商建議使用NAND閃存的時候,同時使用EDC/ECC算法。這個問題對于用NAND存儲多媒體信息時倒不是致命的。當然,如...

硬件工程師的工作內容與單片機是怎樣的關系？硬件工程師就是電腦軟硬件設計、安裝、調試、解決故障的技術人員。硬件即計算機硬件簡稱，是對計算機中的電子、機械、光電元器件裝置的統(tǒng)稱。當前對于硬件工程師的崗位要求，是需要掌握電路的基本分析方法，掌握相關電路設計工具、數(shù)模電路知識、微控制器（單片機）應用等。上述前后兩種描述，是有一點差別的。因為前者只屬于計算機，后者則已經拓寬到電子電路。而電子電路包羅萬象，范圍要大得多。更因為現(xiàn)在電子線路中，已經大量應用了單片機，讓普通的電子設備都具備了自動控制功能。單片機就像一部微型電腦，對電子設備和機械設備都可實現(xiàn)嵌入式應用。因此單片機的應用，已經大為拓寬了硬件工程的...

可以很容易地存取其內部的每一個字節(jié)。NAND器件使用復雜的I/O口來串行地存取數(shù)據(jù),各個產品或廠商的方法可能各不相同。8個引腳用來傳送控制、地址和數(shù)據(jù)信息。NAND讀和寫操作采用512字節(jié)的塊,這一點有點像硬盤管理此類操作,很自然地,基于NAND的存儲器就可以取代硬盤或其他塊設備。Flash存儲器容量和成本NANDflash的單元尺寸幾乎是NOR器件的一半,由于生產過程更為簡單,NAND結構可以在給定的模具尺寸內提供更高的容量,也就相應地降低了價格。NORflash占據(jù)了容量為1～16MB閃存市場的大部分,而NANDflash只是用在8MB～128GB的產品當中,這也說明NOR主要應用...