廣西DDR3測試市場價

來源: 發(fā)布時間:2025-06-29

DDR 規(guī)范的時序要求

在明確了規(guī)范中的 DC 和 AC 特性要求之后,下一步,我們還應(yīng)該了解規(guī)范中對于信號的時序要求。這是我們所設(shè)計(jì)的 DDR 系統(tǒng)能夠正常工作的基本條件。

在規(guī)范文件中,有很多時序圖,筆者大致計(jì)算了一下,有 40 個左右。作為高速電路設(shè)計(jì)的工程師,我們不可能也沒有時間去做全部的仿真波形來和規(guī)范的要求一一對比驗(yàn)證,那么哪些時序圖才是我們關(guān)注的重點(diǎn)?事實(shí)上,在所有的這些時序圖中,作為 SI 工程師,我們需要關(guān)注的只有兩個,那就是規(guī)范文件的第 69 頁,關(guān)于數(shù)據(jù)讀出和寫入兩個基本的時序圖(注意,這里的讀出和寫入是從 DDR 控制器,也即 FPGA 的角度來講的)。為方便讀者閱讀,筆者把這兩個時序圖拼在了一起,而其他的時序圖的實(shí)現(xiàn)都是以這兩個圖為基礎(chǔ)的。在板級系統(tǒng)設(shè)計(jì)中,只要滿足了這兩個時序圖的質(zhì)量,其他的時序關(guān)系要求都是對這兩個時序圖邏輯功能的擴(kuò)展,應(yīng)該是 DDR 控制器的邏輯設(shè)計(jì)人員所需要考慮的事情。 是否可以通過重新插拔DDR3內(nèi)存模塊解決一致性問題?廣西DDR3測試市場價

廣西DDR3測試市場價,DDR3測試

時序要求:DDR系統(tǒng)中的內(nèi)存控制器需要遵循DDR規(guī)范中定義的時序要求來管理和控制內(nèi)存模塊的操作。時序要求包括初始時序、數(shù)據(jù)傳輸時序、刷新時序等,確保內(nèi)存模塊能夠按照規(guī)范工作,并實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的數(shù)據(jù)傳輸和操作。容量與組織:DDR系統(tǒng)中的內(nèi)存模塊可以有不同的容量和組織方式。內(nèi)存模塊的容量可以根據(jù)規(guī)范支持不同的大小,如1GB、2GB、4GB等。內(nèi)存模塊通常由多個內(nèi)存芯片組成,每個內(nèi)存芯片被稱為一個芯粒(die),多個芯??梢越M成密集的內(nèi)存模塊。兼容性:DDR技術(shù)考慮了兼容性問題,以確保DDR內(nèi)存模塊能夠與兼容DDR接口的主板和控制器正常配合。例如,保留向后兼容性,允許支持DDR接口的控制器在較低速度的DDR模式下工作。HDMI測試DDR3測試方案商DDR3一致性測試是否包括高負(fù)載或長時間運(yùn)行測試?

廣西DDR3測試市場價,DDR3測試

DDR 規(guī)范的 DC 和 AC 特性

眾所周知,對于任何一種接口規(guī)范的設(shè)計(jì),首先要搞清楚系統(tǒng)中傳輸?shù)氖鞘裁礃拥男盘?,也就是?qū)動器能發(fā)出什么樣的信號,接收器能接受和判別什么樣的信號,用術(shù)語講,就是信號的DC和AC特性要求。

在DDR規(guī)范文件JEDEC79R的TABLE6:ELECTRICALCHARACTERISTICSANDDOOPERATINGCONDITIONS」中對DDR的DC有明確要求:VCC=+2.5v+0.2V,Vref=+1.25V+0.05VVTT=Vref+0.04V.

在我們的實(shí)際設(shè)計(jì)中,除了要精確設(shè)計(jì)供電電源模塊之外,還需要對整個電源系統(tǒng)進(jìn)行PI仿真,而這是高速系統(tǒng)設(shè)計(jì)中另一個需要考慮的問題,在這里我們先不討論它,暫時認(rèn)為系統(tǒng)能夠提供穩(wěn)定的供電電源。

單擊NetCouplingSummary,出現(xiàn)耦合總結(jié)表格,包括網(wǎng)絡(luò)序號、網(wǎng)絡(luò)名稱、比較大干擾源網(wǎng)絡(luò)、比較大耦合系數(shù)、比較大耦合系數(shù)所占走線長度百分比、耦合系數(shù)大于0.05的走線 長度百分比、耦合系數(shù)為0.01?0.05的走線長度百分比、總耦合參考值。

單擊Impedance Plot (Collapsed),查看所有網(wǎng)絡(luò)的走線阻抗彩圖。注意,在彩圖 上方有一排工具欄,通過下拉按鈕可以選擇查看不同的網(wǎng)絡(luò)組,選擇不同的接收端器件,選 擇查看單端線還是差分線。雙擊Plot±的任何線段,對應(yīng)的走線會以之前定義的顏色(白色) 在Layout窗口中高亮顯示。 是否可以通過調(diào)整時序設(shè)置來解決一致性問題?

廣西DDR3測試市場價,DDR3測試

DDRx接口信號的時序關(guān)系

DDR3的時序要求大體上和DDR2類似,作為源同步系統(tǒng),主要有3組時序設(shè)計(jì)要求。 一組是DQ和DQS的等長關(guān)系,也就是數(shù)據(jù)和選通信號的時序;一組是CLK和ADDR/CMD/ CTRL的等長關(guān)系,也就是時鐘和地址控制總線的關(guān)系;一組是CLK和DQS的關(guān)系, 也就是時鐘和選通信號的關(guān)系。其中數(shù)據(jù)和選通信號的時序關(guān)系又分為讀周期和寫周期兩個 方向的時序關(guān)系。

要注意各組時序的嚴(yán)格程度是不一樣的,作為同組的數(shù)據(jù)和選通信號,需要非常嚴(yán)格的 等長關(guān)系。Intel或者一些大芯片廠家,對DQ組的等長關(guān)系經(jīng)常在土25mil以內(nèi),在高速的 DDR3設(shè)計(jì)時,甚至?xí)笤凇?mil以內(nèi)。相對來說地址控制和時鐘組的時序關(guān)系會相對寬松 一些,常見的可能有幾百mil。同時要留意DQS和CLK的關(guān)系,在絕大多數(shù)的DDR設(shè)計(jì)里 是松散的時序關(guān)系,DDR3進(jìn)行Fly-by設(shè)計(jì)后更是降低了 DQS和CLK之間的時序控制要求。 如何確保DDR3一致性測試的可靠性和準(zhǔn)確性?HDMI測試DDR3測試方案商

DDR3一致性測試是否需要經(jīng)常進(jìn)行?廣西DDR3測試市場價

單擊Check Stackup,設(shè)置PCB板的疊層信息。比如每層的厚度(Thickness)、介 電常數(shù)(Permittivity (Er))及介質(zhì)損耗(LossTangent)。

 單擊 Enable Trace Check Mode,確保 Enable Trace Check Mode 被勾選。在走線檢查 流程中,可以選擇檢查所有信號網(wǎng)絡(luò)、部分信號網(wǎng)絡(luò)或者網(wǎng)絡(luò)組(Net Gr。叩s)。可以通過 Prepare Nets步驟來選擇需要檢查的網(wǎng)絡(luò)。本例釆用的是檢查網(wǎng)絡(luò)組。檢查網(wǎng)絡(luò)組會生成較詳 細(xì)的阻抗和耦合檢查結(jié)果。單擊Optional: Setup Net Groups,出現(xiàn)Setup Net Groups Wizard 窗口。

在Setup NG Wizard窗口中依次指定Tx器件、Rx器件、電源地網(wǎng)絡(luò)、無源器件及 其模型。 廣西DDR3測試市場價