可控硅是可控硅整流元件的簡稱,是一種具有三個PN 結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件,一般由兩晶閘管反向連接而成.它的功用不僅是整流,還可以用作無觸點開關(guān)以快速接通或切斷電路,實現(xiàn)將直流電變成交流電的逆變,將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電等等??煽毓韬推渌雽?dǎo)體器件一樣,具有體積小、效率高、穩(wěn)定性好、工作可靠等優(yōu)點。它的出現(xiàn),使半導(dǎo)體技術(shù)從弱電領(lǐng)域進入了強電領(lǐng)域,成為工業(yè)、農(nóng)業(yè)、交通運輸、***科研以至商業(yè)、民用電器等方面爭相采用的元件。鑒別可控硅三個極的方法很簡單,根據(jù)P-N結(jié)的原理,只要用萬用表測量一下三個極之間的電阻值就可以。奉賢區(qū)制造可控硅售價
大家使用的是單向晶閘管,也就是人們常說的普通晶閘管,它是由四層半導(dǎo)體材料組成的,有三個PN結(jié),對外有三個電極〔圖2(P型半導(dǎo)體引出的電極叫陽極A,第三層P型半導(dǎo)體引出的電極叫控制極G,第四層N型半導(dǎo)體引出的電極叫陰極K。從晶閘管的電路符號〔圖2(以硅單晶為基本材料的P1N1P2N2四層三端器件,起始于1957年,因為它的特性類似于真空閘流管,所以國際上通稱為硅晶體閘流管,簡稱晶閘管T,又因為晶閘管**初的在靜止整流方面,所以又被稱之為硅可控整流元件,簡稱為可控硅SCR。虹口區(qū)挑選可控硅現(xiàn)價雙向可控硅在結(jié)構(gòu)上相當(dāng)于兩個單向可控硅反向連接,這種可控硅具有雙向?qū)üδ堋?/p>
測量方法鑒別可控硅三個極的方法很簡單,根據(jù)P-N結(jié)的原理,只要用萬用表測量一下三個極之間的電阻值就可以。陽極與陰極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上,陽極和控制極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上(它們之間有兩個P-N結(jié),而且方向相反,因此陽極和控制極正反向都不通) [1]??刂茦O與陰極之間是一個P-N結(jié),因此它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的范圍,反向電阻比正向電阻要大??墒强刂茦O二極管特性是不太理想的,反向不是完全呈阻斷狀態(tài)的,可以有比較大的電流通過,因此,有時測得控制極反向電阻比較小,并不能說明控制極特性不好。另外,在測量控制極正反向電阻時,萬用表應(yīng)放在R*10或R*1擋,防止電壓過高控制極反向擊穿。
安裝過程中,螺絲刀決不能對器件塑料體施加任何力量;和接頭片接觸的散熱器表面應(yīng)處理,保證平坦,10mm上允許偏差0.02mm;安裝力矩(帶墊圈)應(yīng)在0.55nm 和0.8nm 之間;應(yīng)避免使用自攻絲螺釘,因為擠壓可能導(dǎo)致安裝孔周圍的隆起,影響器件和散熱器之間的熱接觸。安裝力矩?zé)o法控制,也是這種安裝方法的缺點;器件應(yīng)首先機械固定,然后焊接引線。這可減少引線的不適當(dāng)應(yīng)力。IT(AV)--通態(tài)平均電流VRRM--反向反復(fù)峰值電壓IDRM--斷態(tài)重復(fù)峰值電流ITSM--通態(tài)一個周波不反復(fù)浪涌電流VTM--通態(tài)峰值電壓其中,金屬封裝可控硅又分為螺栓形、平板形、圓殼形等多種;
從晶閘管的內(nèi)部分析工作過程:晶閘管是四層三端器件,它有J1、J2、J3三個PN結(jié),可以把它中間的NP分成兩部分,構(gòu)成一個PNP型三極管和一個NPN型三極管的復(fù)合管.當(dāng)晶閘管承受正向陽極電壓時,為使晶閘管導(dǎo)通,必須使承受反向電壓的PN結(jié)J2失去阻擋作用。中每個晶體管的集電極電流同時就是另一個晶體管的基極電流。因此,兩個互相復(fù)合的晶體管電路,當(dāng)有足夠的門極電流Ig流入時,就會形成強烈的正反饋,造成兩晶體管飽和導(dǎo)通,晶體管飽和導(dǎo)通。在規(guī)定環(huán)境溫度和散熱條件下,允許通過陰極和陽極的電流平均值。徐匯區(qū)挑選可控硅設(shè)計
按關(guān)斷速度分類:可控硅按其關(guān)斷速度可分為普通可控硅和高頻(快速)可控硅。奉賢區(qū)制造可控硅售價
耐壓級別的選擇: 通常把VDRM(斷態(tài)重復(fù)峰值電壓)和 VR R M(反向重復(fù)峰值電壓)中較小的值標(biāo)作該器件的額定電壓。 選用時,額定電壓應(yīng)為正常工作峰值電壓的2~3倍,作為允許的操作過電壓裕量。 [1]·電流的確定: 由于雙向可控硅通常用在交流電路中,因此不用平均值而用有效值來表示它的額定電流值。由于可控硅的過載能力比一般電磁器件小,因而一般家電中選用可控硅的電流值為實際工作電流值的2~3倍。 同時, 可控硅承受斷態(tài)重復(fù)峰值電壓VD R M 和反向重復(fù)峰值電壓 V R R M 時的峰值電流應(yīng)小于器件規(guī)定的IDRM 和 IRRM。奉賢區(qū)制造可控硅售價
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