變?nèi)荻O管將萬(wàn)用表紅、黑表筆怎樣對(duì)調(diào)測(cè)量,變?nèi)荻O管的兩引腳間的電阻值均應(yīng)為無(wú)窮大。如果在測(cè)量中,發(fā)現(xiàn)萬(wàn)用表指針向右有輕微擺動(dòng)或阻值為零,說(shuō)明被測(cè)變?nèi)荻O管有漏電故障或已經(jīng)擊穿壞。 [8]單色發(fā)光二極管在萬(wàn)用表外部附接一節(jié)能1.5V干電池,將萬(wàn)用表置R×10或R×100擋。這種接法就相當(dāng)于給予萬(wàn)用表串接上了1.5V的電壓,使檢測(cè)電壓增加至3V(發(fā)光二極管的開啟電壓為2V)。檢測(cè)時(shí),用萬(wàn)用表兩表筆輪換接觸發(fā)光二極管的兩管腳。若管子性能良好,必定有一次能正常發(fā)光,此時(shí),黑表筆所接的為正極紅表筆所接的為負(fù)極。PN結(jié)的反向擊穿有齊納擊穿和雪崩擊穿之分。黃浦區(qū)特點(diǎn)二極管專賣店
反向電流反向電流是指二極管在常溫(25℃)和比較高反向電壓作用***過(guò)二極管的反向電流。反向電流越小,管子的單方向?qū)щ娦阅茉胶?。值得注意的是反向電流與溫度有著密切的關(guān)系,大約溫度每升高10℃,反向電流增大一倍。例如2AP1型鍺二極管,在25℃時(shí)反向電流若為250μA,溫度升高到35℃,反向電流將上升到500μA,依此類推,在75℃時(shí),它的反向電流已達(dá)8mA,不僅失去了單方向?qū)щ娞匦?,還會(huì)使管子過(guò)熱而損壞。又如,2CP10型硅二極管,25℃時(shí)反向電流*為5μA,溫度升高到75℃時(shí),反向電流也不過(guò)160μA。故硅二極管比鍺二極管在高溫下具有較好的穩(wěn)定性。 [4]閔行區(qū)特點(diǎn)二極管服務(wù)熱線穩(wěn)壓管與普通二極管的主要區(qū)別在于,穩(wěn)壓管是工作在PN結(jié)的反向擊穿狀態(tài)。
穩(wěn)壓管與一般二極管不一樣,它的反向擊穿是可逆的,只要不超過(guò)穩(wěn)壓管電流的允許值,PN結(jié)就不會(huì)過(guò)熱損壞,當(dāng)外加反向電壓去除后,穩(wěn)壓管恢復(fù)原性能,所以穩(wěn)壓管具有良好的重復(fù)擊穿特性。 [4]光電二極管光電二極管光電二極管又稱光敏二極管。它的管殼上備有一個(gè)玻璃窗口,以便于接受光照。其特點(diǎn)是,當(dāng)光線照射于它的PN結(jié)時(shí),可以成對(duì)地產(chǎn)生自由電子和空穴,使半導(dǎo)體中少數(shù)載流子的濃度提高,在一定的反向偏置電壓作用下,使反向電流增加。因此它的反向電流隨光照強(qiáng)度的增加而線性增加。 [4]
反向擊穿按機(jī)理分為齊納擊穿和雪崩擊穿兩種情況。在高摻雜濃度的情況下,因勢(shì)壘區(qū)寬度很小,反向電壓較大時(shí),破壞了勢(shì)壘區(qū)內(nèi)共價(jià)鍵結(jié)構(gòu),使價(jià)電子脫離共價(jià)鍵束縛,產(chǎn)生電子-空穴對(duì),致使電流急劇增大,這種擊穿稱為齊納擊穿。如果摻雜濃度較低,勢(shì)壘區(qū)寬度較寬,不容易產(chǎn)生齊納擊穿。 [5]另一種擊穿為雪崩擊穿。當(dāng)反向電壓增加到較大數(shù)值時(shí),外加電場(chǎng)使電子漂移速度加快,從而與共價(jià)鍵中的價(jià)電子相碰撞,把價(jià)電子撞出共價(jià)鍵,產(chǎn)生新的電子-空穴對(duì)。新產(chǎn)生的電子-空穴被電場(chǎng)加速后又撞出其它價(jià)電子,載流子雪崩式地增加,致使電流急劇增加,這種擊穿稱為雪崩擊穿。無(wú)論哪種擊穿,若對(duì)其電流不加限制,都可能造成PN結(jié)長(zhǎng)久性損壞。 [5]發(fā)光二極管是一種將電能直接轉(zhuǎn)換成光能的半導(dǎo)體固體顯示器件,簡(jiǎn)稱LED(Light Emitting Diode)。
PN結(jié)單向?qū)щ娦栽赑N結(jié)外加正向電壓V,在這個(gè)外加電場(chǎng)的作用下,PN結(jié)的平衡狀態(tài)被打破,P區(qū)中的空穴和N區(qū)的電子都往PN結(jié)方向移動(dòng),空穴和PN結(jié)P區(qū)的負(fù)離子中和,電子和PN結(jié)N區(qū)的正離子中和,這樣就使PN結(jié)變窄。隨著外加電場(chǎng)的增加,擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)進(jìn)一步增強(qiáng),漂移運(yùn)動(dòng)減弱。當(dāng)外加電壓超過(guò)門檻電壓,PN結(jié)相當(dāng)于一個(gè)阻值很小的電阻,也就是PN結(jié)導(dǎo)通。 [6]點(diǎn)接觸型二極管點(diǎn)接觸型二極管的PN結(jié)接觸面積小,不能通過(guò)較大的正向電流和承受較高的反向電壓,但它的高頻性能好,適宜在高頻檢波電路和開關(guān)電路中使用 [5]。當(dāng)外界有正向電壓偏置時(shí),外界電場(chǎng)和自建電場(chǎng)的互相抑消作用使載流子的擴(kuò)散電流增加引起了正向電流。黃浦區(qū)特點(diǎn)二極管專賣店
隨著外加電場(chǎng)的增加,擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)進(jìn)一步增強(qiáng),漂移運(yùn)動(dòng)減弱。黃浦區(qū)特點(diǎn)二極管專賣店
常用的紅外發(fā)光二極管有SIR系列、SIM系列、PLT系列、GL系列、HIR系列和HG系列等。紫外發(fā)光二極管基于半導(dǎo)體材料的紫外發(fā)光二極管(UV LED)具有節(jié)能、環(huán)保和壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn),在殺菌消毒、醫(yī)療和生化檢測(cè)等領(lǐng)域有重大的應(yīng)用價(jià)值。近年來(lái),半導(dǎo)體紫外光電材料和器件在全球引起越來(lái)越多的關(guān)注,成為研發(fā)熱點(diǎn)。 2018年12月9一12日,由中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所主辦的第三屆“國(guó)際紫外材料與器件研討會(huì)” (IWUMD一2018)在云南昆明召開,來(lái)自十二個(gè)國(guó)家的270余位**出席了會(huì)議。本次會(huì)議匯聚了國(guó)內(nèi)外在紫外發(fā)光二極管材料和器件相關(guān)領(lǐng)域的多位前列**的***研發(fā)成果報(bào)告黃浦區(qū)特點(diǎn)二極管專賣店
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