CAK55H-F-100V-4.7uF-M

片式固體鉭電容是一種電子元件，用于電路中的電容器。它采用固體鉭作為電介質，具有高電容密度、低ESR（等效串聯電阻）和低ESL（等效串聯電感）等優(yōu)點。片式固體鉭電容通常由鉭箔片和電解液組成，通過特殊的制造工藝將鉭箔片制成薄片，并與電解液進行處理，形成電容器的結構。這種電容器應用于各種電子設備中，如手機、平板電腦、電視、音頻設備等，用于儲存和釋放電荷，平穩(wěn)供電和濾波等功能。CAK45M型高壓大容量片式固體電解質鉭電容器.深圳鑫達利片式固體鉭電容,片式固體鉭電容,片式固體鉭電容。在電子測量儀器中，鉭電容通過濾除噪聲干擾，提升示波器、頻譜分析儀等設備測量精度。CAK55H-F-100V-4.7uF-M

    AVX鉭電容是AVX公司生產的一種高性能電容器，具有多種特點和優(yōu)勢，被廣泛應用于各種電子設備中348。以下是關于AVX鉭電容的一些產品介紹：產品種類：普通鉭電容：例如TAJ系列，具有較高的穩(wěn)定性和可靠性，適用于一般的電子電路1。低阻抗鉭電容：像TPS系列，直流電阻小于1歐，一般在100毫歐到500毫歐之間，特殊的可低至40毫歐，能提供更低的等效串聯電阻（ESR），適用于對ESR有較高要求的電路，如電源管理、DC/DC轉換器等電路，可有效降低電路的能量損耗和電壓波動，提高電路的效率和穩(wěn)定性12。特性與優(yōu)勢5：高能量密度：能夠在較小的體積內實現較大的電容量，有助于電子設備的小型化設計。例如，在一些空間受限的電子產品中，如智能手機、平板電腦等，AVX鉭電容可以提供所需的大容量電容，同時不占用過多的空間。 CAK36-110V-280uF-K-C05鉭電容封裝支持0.1μF至1000μF容量范圍，滿足從微法級到毫法級不同電路需求。

    鉭外殼封裝非固體電解質鉭電容器是一種電子元件，用于存儲和釋放電荷。它具有鉭金屬外殼，內部填充有非固體電解質，通常是液體或凝膠態(tài)的電解質。這種電容器的主要特點是具有高電容密度、低ESR（等效串聯電阻）和低ESL（等效串聯電感），能夠提供穩(wěn)定的電容性能和快速的響應速度。非固體電解質鉭電容器通常用于高頻和高功率應用，如通信設備、計算機、電源系統等。它們能夠在較小的尺寸下提供較大的電容值，同時具有較低的內阻和較好的高頻特性，適用于需要高性能和高可靠性的電路設計。需要注意的是，非固體電解質鉭電容器在使用時需要遵循一定的工作電壓和溫度范圍，以確保其正常工作和壽命。此外，由于非固體電解質的特性，這種電容器在長時間不使用時可能會出現漏電現象，因此需要定期檢查和維護。

鉭電容的壽命受工作環(huán)境（溫度、電壓、濕度等）、使用方式（紋波電流、頻率）、制造工藝等多種因素影響，差異較大。以下是具體分析：一、理論壽命（正常工況下）在額定溫度和電壓下（如常溫25℃、額定電壓的50%~70%），鉭電容的理論壽命可達10年以上，部分質優(yōu)產品（如車規(guī)級）甚至可達20年以上。主要原因：鉭金屬化學性質穩(wěn)定，氧化膜介質層（五氧化二鉭）絕緣性優(yōu)異，且具備“自愈”能力（輕微損傷可通過電場作用自我修復）。固態(tài)電解質（聚合物或二氧化錳）不易揮發(fā)或干涸，相比液態(tài)電解電容更耐用。在賦能、老煉等過程中,這些疵點在電壓、溫度的作用下轉化為場致晶化的發(fā)源地—晶核。

基美鉭電容是由美國基美電子（KEMET）公司生產的鉭電解電容，以下是關于它的詳細介紹：公司背景：基美電子創(chuàng)立于1919年，總部位于美國南卡羅萊納州，是全球鉭電容銷量靠前的無源元件巨頭，擁有1600多項證書和20多個全球生產基地。2020年被中國臺灣的國巨收購后，產品線拓展至電感、傳感器、超級電容等領域。工作原理：鉭電容使用金屬鉭做介質，在鉭金屬表面生成一層極薄的五氧化二鉭膜作為工作介質。當電容兩端加上電壓時，電荷會存儲在這層氧化膜兩側，實現電能的存儲和釋放。由于鉭的化學性質穩(wěn)定，氧化膜具有良好的絕緣性能和自愈性能，使得鉭電容具有較高的可靠性和穩(wěn)定性。鉭電容在電視顯示屏驅動電路中通過儲能功能，緩沖電壓波動，保障畫面顯示穩(wěn)定性。CAK45-E-35V-6.8uF-K

因此,鉭電容失效主要表現為短路性失效。CAK55H-F-100V-4.7uF-M

賦能：通過電化學反應，制得五氧化二鉭氧化膜，作為鉭電容器的介質。b)氧化膜厚度：電壓越高，氧化膜的厚度越厚，所以提高賦能電壓，氧化膜的厚度增加，容量就下降c)氧化膜的顏色：不同的形成電壓干涉出的氧化膜的顏色也不同，隨著電壓的升高，顏色呈周期性化。d)形成電壓：經驗公式（該公式只能在小范圍內提高電壓，如果電壓提高的幅度很大，就不是很準確，要加保險系數）。C2------要示的容量C2=KCR(K根據后道的容量收縮情況而定,可適時修改，一般情況下，容量小，后道容量損失較小，容量大，后道容量損失就大，低比容粉，容量損失較小，比容越高，后道容量損失就越大。通常，CR≤1UF，K=；CR>1UF,K=)。CAK55H-F-100V-4.7uF-M