低壓MOS管：結(jié)構(gòu)與基礎(chǔ)原理MOSFET的中心結(jié)構(gòu)由源極（Source）、柵極（Gate）、漏極（Drain）和位于柵極下方的溝道區(qū)構(gòu)成。其...
寬禁帶半導(dǎo)體器件（SiC & GaN）： 這表示了功率電子技術(shù)的未來(lái)方向。碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）材料憑借其遠(yuǎn)超傳統(tǒng)硅材料的禁帶寬...
功率半導(dǎo)體分立器件的基石：中低壓MOS管的技術(shù)演進(jìn)與應(yīng)用解析在電力電子系統(tǒng)的精密架構(gòu)中，**率MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）如...
開(kāi)關(guān)速度（td(on), td(off), tr, tf）： 指器件開(kāi)啟與關(guān)斷過(guò)程的快慢?？焖俚拈_(kāi)關(guān)有利于降低開(kāi)關(guān)損耗，提升系統(tǒng)效率，但也可...
東海半導(dǎo)體是國(guó)內(nèi)前沿的功率器件產(chǎn)品供應(yīng)商，專注于先進(jìn)功率器件的研發(fā)設(shè)計(jì)、封裝制造和應(yīng)用研究，為客戶提供IGBT單管/模塊、中低壓MOS、高壓MOS、FRD、SiC Diode/MOS/模塊、GaN、IPM等功率器件產(chǎn)品解決方案。東海半導(dǎo)體成立于2004年，總部位于無(wú)錫；公司致力于為客戶提供高質(zhì)量、高性價(jià)比功率器件產(chǎn)品，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于光伏儲(chǔ)能、新能源汽車(chē)、工業(yè)控制、逆變焊機(jī)、電源、電動(dòng)工具、輕型電動(dòng)車(chē)、鋰電保護(hù)等領(lǐng)域。
