中頻電壓互感器過來的中頻電壓信號由CON2-1和CON2-2輸入后,分為兩路,一路由IC1A進(jìn)行電平轉(zhuǎn)換后送到IC6的30P,另一路經(jīng)D7-D10整流后,又分為兩路,一路送到電壓/電流調(diào)節(jié)器,另一路送到過電壓保護(hù)。由主回路交流互感器取得的電流信號,先在外部轉(zhuǎn)換成電壓信號,從CON2-3、CON2-4、CON2-5輸入,經(jīng)二極管D11-D16整流后,再分為兩路,一路作為過流保護(hù)信號,另一路作為電壓/電流調(diào)節(jié)器的反饋信號。本電路逆變觸發(fā)部分,采用的是掃頻式零壓軟起動,只需取一路中頻電壓反饋信號,無需槽路中頻電容器上的電流信號,其本質(zhì)上相當(dāng)于它激轉(zhuǎn)自激電路,屬于平均值反饋電路。由于主回路上無需附加任何起動電路,不需要預(yù)充磁或預(yù)充電的起動過程,因此,主回路得以簡化,調(diào)試過程簡單。起動過程大致是這樣的,在逆變電路起動前,先以一個高于槽路諧振頻率的它激信號去觸發(fā)逆變晶閘管,當(dāng)電路檢測到主回路開始有直流電流時,便控制它激信號的頻率從高向低掃描,同時加大主回路的直流電流,當(dāng)它激信號頻率下降到接近槽路諧振頻率時,中頻電壓便建立起來,并反饋到自動調(diào)頻電路。自動調(diào)頻電路一旦投入工作,便停止它激信號的頻率往低掃描動作,轉(zhuǎn)由自動調(diào)頻電路控制逆變動引前角。正高電氣生產(chǎn)的產(chǎn)品受到用戶的一致稱贊。濟(jì)南MTDC150晶閘管智能模塊批發(fā)
由于晶閘管在導(dǎo)通期間,載流子充滿元件內(nèi)部,所以元件在關(guān)斷過程中,正向電壓下降到零時,內(nèi)部仍殘存著載流子。這些積蓄的載流子在反向電壓作用下瞬時出現(xiàn)較大的反向電流,使積蓄載流子迅速消失,這時反向電流消失的極快,即di/dt極大。因此即使和元件串連的線路電感L很小,電感產(chǎn)生的感應(yīng)電勢L(di/dt)值仍很大,這個電勢與電源電壓串聯(lián),反向加在已恢復(fù)阻斷的元件上,可能導(dǎo)致晶閘管的反向擊穿。這種由于晶閘管關(guān)斷引起的過電壓,稱為關(guān)斷過電壓,其數(shù)值可達(dá)工作電壓峰值的5~6倍,所以必須采取措施。阻容吸收電路中電容器把過電壓的電磁能量變成靜電能量存貯,電阻防止電容與電感產(chǎn)生諧振、限制晶閘管開通損耗與電流上升率。這種吸收回路能晶閘管由導(dǎo)通到截止時產(chǎn)生的過電壓,有效避免晶閘管被擊穿。阻容吸收電路安裝位置要盡量靠近模塊主端子,即引線要短。比較好采用無感電阻,以取得較好的保護(hù)效果。各型號模塊對應(yīng)的電阻和電容值根據(jù)表10選取。(2)壓敏電阻吸收過電壓壓敏電阻能夠吸收由于雷擊等原因產(chǎn)生能量較大、持續(xù)時間較長的過電壓。壓敏電阻標(biāo)稱電壓(V1mA),是指壓敏電阻流過1mA電流時它兩端的電壓。壓敏電阻的選擇,主要考慮額定電壓和通流容量。濟(jì)南MTDC150晶閘管智能模塊批發(fā)正高電氣銳意進(jìn)取,持續(xù)創(chuàng)新為各行各業(yè)提供專業(yè)化服務(wù)。
可控硅與接觸器的選型可控硅投切開關(guān)與接觸器的選型無功補(bǔ)償中一個重要器件就是電容器投切開關(guān)。早期多采用的是接觸器,隨后呈現(xiàn)的是可控硅投切開關(guān),希拓小編帶你了解下兩者如何選型。接觸器在投入過程中涌流大,嚴(yán)重時,會發(fā)作觸頭熔焊現(xiàn)象。即便是帶有抑止涌流安裝的電容器投切**接觸器,在無功負(fù)荷動搖大,電容器投切頻繁的狀況下,也存在運(yùn)用壽命短,需求經(jīng)常停止檢修的問題。一般使用于負(fù)荷穩(wěn)定,投切次數(shù)較少的場合。可控硅投切開關(guān),具有零電壓投入、零電流切除,投切過程無涌流,對電網(wǎng)無沖擊,反響速度快等特性,會產(chǎn)生很高的溫升,需求運(yùn)用**散熱器,來處理其通風(fēng)散熱問題,一般應(yīng)用于負(fù)荷急劇變化的需頻繁投切的場合。希拓電氣(常州)有限公司是專業(yè)的可控硅投切開關(guān)生產(chǎn)供應(yīng)廠商,嚴(yán)格把控產(chǎn)品細(xì)節(jié),努力為客戶提供完善的服務(wù)。我司**產(chǎn)品主要包含德國進(jìn)口可控硅、可控硅觸發(fā)模塊(自主研發(fā))、溫控開關(guān)、鋁合金散熱器、冷卻風(fēng)機(jī)等,能實(shí)現(xiàn)可控硅的智能散熱及智能溫度保護(hù)的功能,可提高可控硅的運(yùn)行穩(wěn)定性。
[1]單結(jié)管即單結(jié)晶體管,又稱為雙基極二極管,是一種具有一個PN結(jié)和兩個歐姆電極的負(fù)阻半導(dǎo)體器件。常見的有陶瓷封裝和金屬殼封裝的單結(jié)晶體管。[2]單結(jié)晶體管可分為N型基極單結(jié)管和P型基極單結(jié)管兩大類。單結(jié)晶體管的文字符號為“VT”,圖形符號如圖所示。[3]單結(jié)晶體管的主要參數(shù)有:①分壓比η,指單結(jié)晶體管發(fā)射極E至基極B1間的電壓(不包括PN結(jié)管壓降)在兩基極間電壓中所占的比例。②峰點(diǎn)電壓UP,是指單結(jié)晶體管剛開始導(dǎo)通時的發(fā)射極E與基極B1的電壓,其所對應(yīng)的發(fā)射極電流叫做峰點(diǎn)電流IP。③谷點(diǎn)電壓UV,是指單結(jié)晶體管由負(fù)阻區(qū)開始進(jìn)入飽和區(qū)時的發(fā)射極E與基極B1間的電壓,其所對應(yīng)的發(fā)射極電流叫做谷點(diǎn)電流IV。[4]單結(jié)晶體管共有三個管腳,分別是:發(fā)射極E、基極B1和第二基極B2。圖示為兩種典型單結(jié)晶體管的管腳電極。[5]單結(jié)晶體管**重要的特性是具有負(fù)阻性,其基本工作原理如圖示(以N基極單結(jié)管為例)。當(dāng)發(fā)射極電壓UE大于峰點(diǎn)電壓UP時,PN結(jié)處于正向偏置,單結(jié)管導(dǎo)通。隨著發(fā)射極電流IE的增加,大量空穴從發(fā)射極注入硅晶體,導(dǎo)致發(fā)射極與基極間的電阻急劇減小,其間的電位也就減小,呈現(xiàn)出負(fù)阻特性。[6]檢測單結(jié)晶體管時,萬用表置于“R×1k”擋。正高電氣過硬的產(chǎn)品質(zhì)量、質(zhì)量的售后服務(wù)、認(rèn)真嚴(yán)格的企業(yè)管理,贏得客戶的信譽(yù)。
晶閘管智能模塊過流保護(hù):
加熱爐在實(shí)際工作中因加熱絲溫度上升,會導(dǎo)致加熱絲變形,如果加熱絲沒有采取良好的固定措施,會慢慢變形直至兩處加熱絲挨到一塊,形成短路,短路后會使電流增大,電流過大后會超過模塊的額定電流,燒毀模塊,為了限制電流過大,必須采取過流保護(hù)措施,一般再模塊的輸入端分別串聯(lián)快速熔斷器來限制比較大電流,熔斷器額定電流值一般取負(fù)載的額定電流或略大于負(fù)載額定電流,必須保證小于晶閘管智能模塊的額定電流,快速熔斷器額定電流過大將起不到保護(hù)作用。 正高電氣是多層次的模式與管理模式。濟(jì)南MTDC150晶閘管智能模塊批發(fā)
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傳統(tǒng)的電加熱行業(yè)使用的功率器件一般采用分離晶閘管+晶閘管觸發(fā)板的方式來完成對變壓器初級或次級的調(diào)壓;加熱行業(yè)往往工作環(huán)境很惡劣,粉塵飛揚(yáng),溫度變化較大,濕度較高,長時間工作后會出現(xiàn)觸發(fā)板工作失常,造成晶閘管擊穿,導(dǎo)致設(shè)備停產(chǎn),產(chǎn)品報(bào)廢等,給生產(chǎn)造成嚴(yán)重?fù)p失。并且普通電工無法完成維修工作,必須專業(yè)人員進(jìn)行操作。為了避免出現(xiàn)上述問題,比較好采用密封性好,工作環(huán)境適應(yīng)能力強(qiáng),安裝維修方便的晶閘管智能模塊來替代傳統(tǒng)的方式。晶閘管智能模塊是把晶閘管主電路與移向觸發(fā)系統(tǒng)(即觸發(fā)板)集成共同封裝在一個塑料外殼內(nèi),從而省去了觸發(fā)板與晶閘管之間的連接線、晶閘管與晶閘管之間的連接線,減小了接線錯誤的幾率,維護(hù)方便,普通電工即可完成操作,省去人員成本。把觸發(fā)板封裝到模塊內(nèi),環(huán)境中的粉塵、濕氣等都不會對其產(chǎn)生影響,增加了可靠性。 濟(jì)南MTDC150晶閘管智能模塊批發(fā)
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