萊蕪雙向可控硅模塊

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2025-07-11

可控硅模塊的設(shè)備與維護(hù)

(1)在模塊導(dǎo)熱底板表面與散熱器外表各均勻涂覆一層導(dǎo)熱硅脂,然后用四個(gè)螺釘把模塊固定于散熱器上,固定螺釘不要一次擰緊,幾個(gè)螺釘要順次固定,用力要均勻,重復(fù)幾回,直至強(qiáng)健,使模塊底板與散熱器外表嚴(yán)密觸摸。

(2)把散熱器和風(fēng)機(jī)按需求安裝好后,筆直固定于機(jī)箱合適方位。

(3)用接線端頭環(huán)帶將銅線扎緊,浸錫,然后套上絕緣熱縮管,用熱風(fēng)加熱縮短。將接線端頭固定于模塊電極上,并堅(jiān)持超卓的平面壓力觸摸,阻止將電纜銅線直接壓接在模塊電極上。  

(4)為延伸商品運(yùn)用壽數(shù),主張每隔3-4個(gè)月維護(hù)一次,替換一次導(dǎo)熱硅脂,鏟除外表塵土,緊固各壓線螺釘。 淄博正高電氣有限公司團(tuán)結(jié)、創(chuàng)新、合作、共贏。萊蕪雙向可控硅模塊

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可控硅模塊采用陶瓷覆銅工藝,電流承載能力大,熱循環(huán)負(fù)載次數(shù)是國(guó)標(biāo)的進(jìn)10倍,焊接工藝獨(dú)特,絕緣強(qiáng)度高,導(dǎo)熱性能好??煽毓枘K的工作場(chǎng)所應(yīng)干燥、無(wú)腐蝕性氣體、通風(fēng)、無(wú)塵,環(huán)境溫度范圍-25℃--45℃,下面為大家介紹可控硅模塊的安裝步驟:  1、散熱器和風(fēng)機(jī)按通風(fēng)要求裝配于機(jī)箱合適位置。散熱器表面必須平整光潔。在模塊導(dǎo)熱底板與散熱器表面均勻涂覆一層導(dǎo)熱硅脂,然后用螺釘把模塊固定于散熱器上,四個(gè)螺釘用力要均等。

  2、用接線端頭環(huán)帶將銅線扎緊,浸錫,套上絕緣熱縮管,用熱風(fēng)或熱水加熱收縮,導(dǎo)線截面積按電流密度<4A/mm2選取,禁止將銅線直接壓接在可控硅模塊電極上。

  3、 將接線端頭平放于可控硅模塊電極上用螺釘緊固,保持良好的平面壓力接觸。

  4、可控硅模塊的電極易掀起折斷,接線時(shí)應(yīng)防止重力將電極拉起折斷。 萊蕪雙向可控硅模塊淄博正高電氣有限公司和客戶(hù)攜手誠(chéng)信合作,共創(chuàng)輝煌!

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可控硅模塊特點(diǎn):

1 對(duì)耐壓級(jí)別的選擇:通常把VDRM(斷態(tài)重復(fù)峰值電壓)和VRRM(反向重復(fù)峰值電壓)中較小的值標(biāo)作該器件的額定電壓。

2 對(duì)電流的確定:由于雙向可控硅模塊通常用在交流電路中,因此不能用平均值而用有效值來(lái)表示它的額定電流值。由于可控硅的過(guò)載能力比一般電磁器件小,因而一般家電中選用可控硅模塊的電流值為實(shí)際工作電流值的2~3倍。同時(shí),可控硅承受斷態(tài)重復(fù)峰值電壓VDRM和反向重復(fù)峰值電壓VRRM 時(shí)的峰值電流應(yīng)小于器件規(guī)定的IDRM和IRRM。

3 對(duì)通態(tài)電壓VTM的選擇:它是可控硅模塊通以規(guī)定倍數(shù)額定電流時(shí)的瞬態(tài)峰值壓降。為了減少可控硅的熱損耗,應(yīng)盡可能選擇VTM小的可控硅。

4 對(duì)維持電流:IH是維持可控硅模塊保持通態(tài)所必 需的極小主電流,它與結(jié)溫有關(guān),結(jié)溫越高,則IH越小。

5 對(duì)電壓上升率的:dv/dt指的是在關(guān)斷狀態(tài)下電壓的上升斜率,這是防止誤觸發(fā)的一個(gè)關(guān)鍵參數(shù)。由于雙向可控硅模塊的制造工藝決定了A2與G之間會(huì)存在寄生電容。

可控硅模塊規(guī)格的選擇方法:考慮到可控硅產(chǎn)品一般為非正弦電流,存在導(dǎo)通角問(wèn)題,負(fù)載電流存在一些波動(dòng)和不穩(wěn)定因素,晶閘管芯片抗電流沖擊能力差,在選擇模塊電流規(guī)格時(shí)必須留出一定的裕度。

推薦選擇方法可按照以下公式計(jì)算:I>K×I負(fù)載×U∕U實(shí)際

K :安全系數(shù),阻性負(fù)載K= 1.5,感性負(fù)載K= 2;

I負(fù)載:負(fù)載流過(guò)的強(qiáng)大電流; U實(shí)際:負(fù)載上的小電壓;

U強(qiáng)大 模塊能輸出的強(qiáng)大電壓;(三相整流模塊為輸入電壓的1.35倍,單相整流模塊為輸入電壓的0.9倍,其余規(guī)格均為1.0倍);

I:需要選擇模塊的小電流,模塊標(biāo)稱(chēng)的電流必須大于該值。 淄博正高電氣有限公司一切從實(shí)際出發(fā)、注重實(shí)質(zhì)內(nèi)容。

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可控硅模塊選購(gòu)注意事項(xiàng):

(1)注明您需要的產(chǎn)品的型號(hào)、結(jié)構(gòu)(螺栓、凹臺(tái)、凸臺(tái))、配置散熱器型號(hào)。

(2)注明您關(guān)注的參數(shù)要求。

(3)選擇電流電壓時(shí)要留有適當(dāng)?shù)挠嗔浚?


可控硅模塊使用注意事項(xiàng):

(1)線路中須有過(guò)壓過(guò)流保護(hù)措施,串并聯(lián)使用時(shí)必須有均流措施。

(2)用萬(wàn)用表簡(jiǎn)單判斷器件是否損壞: 門(mén)陰極間電阻,應(yīng)有十幾或幾十Ω,否則門(mén)極已短路或開(kāi)路。陰陽(yáng)極間電阻,應(yīng)大于1MΩ,(整流管正向除外),電阻小于1MΩ表明器件極間絕緣性能不良,電阻近零時(shí)表明器件已擊穿。發(fā)現(xiàn)有短路或斷路現(xiàn)象時(shí),應(yīng)立即更換。

(3)嚴(yán)禁用兆歐表(即搖表)檢查元件的絕緣情況。

(4)電流為5A以上的可控硅模塊要裝散熱器,并且保證所規(guī)定的冷卻條件。為保證散熱器與可控硅模塊管心接觸良好,它們之間應(yīng)涂上一薄層有機(jī)硅油或硅脂,以幫于良好的散熱。

(5)按規(guī)定對(duì)主電路中的可控硅模塊采用過(guò)壓及過(guò)流保護(hù)裝置。

(6)要防止可控硅模塊控制極的正向過(guò)載和反向擊穿。

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一種以硅單晶為基本材料的P1N1P2N2四層三端器件,創(chuàng)制于1957年,由于它特性類(lèi)似于真空閘流管,所以國(guó)際上通稱(chēng)為硅晶體閘流管,簡(jiǎn)稱(chēng)晶閘管T。又由于晶閘管開(kāi)始應(yīng)用于可控整流方面所以又稱(chēng)為硅可控整流元件,簡(jiǎn)稱(chēng)為可控硅SCR。

在性能上,可控硅不僅具有單向?qū)щ娦?,而且還具有比硅整流元件(俗稱(chēng)“死硅”)更為可貴的可控性。它只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種狀態(tài)。

可控硅能以毫安級(jí)電流控制大功率的機(jī)電設(shè)備,如果超過(guò)此頻率,因元件開(kāi)關(guān)損耗明顯增加,允許通過(guò)的平均電流相降低,此時(shí),標(biāo)稱(chēng)電流應(yīng)降級(jí)使用。

可控硅的優(yōu)點(diǎn)很多,例如:以小功率控制大功率,功率放大倍數(shù)高達(dá)幾十萬(wàn)倍;反應(yīng)極快,在微秒級(jí)內(nèi)開(kāi)通、關(guān)斷;無(wú)觸點(diǎn)運(yùn)行,無(wú)火花、無(wú)噪音;效率高,成本低等等。

可控硅的弱點(diǎn):靜態(tài)及動(dòng)態(tài)的過(guò)載能力較差;容易受干擾而誤導(dǎo)通。

可控硅從外形上分類(lèi)主要有:螺栓形、平板形和平底形。 萊蕪雙向可控硅模塊

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