滿足可控硅模塊工作的必要條件:
(1)+12V直流電源:可控硅模塊內(nèi)部控制電路的工作電源。
①可控硅模塊輸出電壓要求:+12V電源:12±0.5V ,紋波電壓小于20mv 。
②可控硅模塊輸出電流要求:標稱電流小于500安培產(chǎn)品:I+12V>0.5A,標稱電流大于500安培產(chǎn)品:I+12V> 1A。
(2)可控硅模塊控制信號:0~10V或4~20mA控制信號,用于對輸出電壓大小進行調(diào)整的控制信號,正極接CON10V或CON20mA,負極接GND1。
(3)可控硅模塊供電電源和負載:供電電源一般為電網(wǎng)電源,電壓460V以下的或者供電變壓器,接可控硅模塊的輸入端子;負載為用電器,接可控硅模塊的輸出端子。 淄博正高電氣有限公司不斷提高產(chǎn)品的質(zhì)量。菏澤可控硅模塊品牌
可控硅模塊的出現(xiàn)已經(jīng)歷史悠久,它的出現(xiàn)也幫助人們解決了很多難題,憑借它的優(yōu)勢,使可控硅模塊在電氣行業(yè)中非常的受歡迎,下面正高來詳細的說下可控硅模塊。
可控硅模塊通常被稱之為功率半導體模塊(semiconductormodule)。剛開始是在1970年出現(xiàn)在電力電子技術(shù)領(lǐng)域,是采用模塊封裝形式,具有三個PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導體器件。
可控硅模塊的優(yōu)點體積小、重量輕、結(jié)構(gòu)緊湊、可靠性高、外接線簡單、互換性好、便于維修和安裝;結(jié)構(gòu)重復性好,裝置的機械設(shè)計可以簡化,價格比分立器件低等諸多優(yōu)點,因而在一誕生就受到了各大電力半導體廠家的熱捧,并因此得到長足發(fā)展。 重慶高壓可控硅模塊報價淄博正高電氣有限公司和客戶攜手誠信合作,共創(chuàng)輝煌!
雙向可控硅***陽極A1與第二陽極A2間,無論所加電壓極性是正向還是反向,只要控制極G和***陽極A1間加有正負極性不同的觸發(fā)電壓,就可觸發(fā)導通呈低阻狀態(tài)。此時A1、A2間壓降也約為1V。雙向可控硅一旦導通,即使失去觸發(fā)電壓,也能繼續(xù)保持導通狀態(tài)。只有當***陽極A1、第二陽極A2電流減小,小于維持電流或A1、A2間當電壓極性改變且沒有觸發(fā)電壓時,雙向可控硅才截斷,此時只有重新加觸發(fā)電壓方可導通。
淄博正高電氣有限公司,生產(chǎn)各類規(guī)格型號的晶閘管智能模塊、固態(tài)繼電器模塊、橋臂模塊、整流橋模塊、各類控制柜和配套模塊使用的觸發(fā)板、控制板等產(chǎn)品,真誠期待與各公司和采購人員的合作,提供價格低廉、質(zhì)量可靠的電子元件。
可控硅模塊規(guī)格的選擇方法:考慮到可控硅產(chǎn)品一般為非正弦電流,存在導通角問題,負載電流存在一些波動和不穩(wěn)定因素,晶閘管芯片抗電流沖擊能力差,在選擇模塊電流規(guī)格時必須留出一定的裕度。
推薦選擇方法可按照以下公式計算:I>K×I負載×U∕U實際
K :安全系數(shù),阻性負載K= 1.5,感性負載K= 2;
I負載:負載流過的強大電流; U實際:負載上的小電壓;
U強大 模塊能輸出的強大電壓;(三相整流模塊為輸入電壓的1.35倍,單相整流模塊為輸入電壓的0.9倍,其余規(guī)格均為1.0倍);
I:需要選擇模塊的小電流,模塊標稱的電流必須大于該值。 淄博正高電氣有限公司生產(chǎn)的產(chǎn)品受到用戶的一致稱贊。
可控硅模塊的應(yīng)用領(lǐng)域
可控硅模塊應(yīng)用于溫度控制、調(diào)光、勵磁、電鍍、電解、充放電、電焊機、等離子弧、逆變電源等需要調(diào)節(jié)和改變電能的場合,如工業(yè)、通信、電力系統(tǒng)、電力系統(tǒng)等及其它各種電控、電源等,根據(jù)此也可通過模塊的控制端口與多功能控制板相連,完成電流穩(wěn)定、電壓穩(wěn)定和軟啟動。并可結(jié)束過流、過電壓、過溫、缺乏平衡維護功能。
可控硅模塊由于它在電路應(yīng)用中的效率高、控制特性好、壽命長、體積小、功能強等優(yōu)點,自上個世紀六十長代以來,獲得了迅猛發(fā)展,并已形成了一門**的學科。
可控硅模塊發(fā)展到現(xiàn)在,在工藝上已經(jīng)非常成熟,品質(zhì)更好,成品率大幅提高,并向高壓大電流發(fā)展。 淄博正高電氣有限公司一切從實際出發(fā)、注重實質(zhì)內(nèi)容。重慶高壓可控硅模塊報價
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單向可控硅模塊有陽極A、陰極K、控制極G三個引出腳。雙向可控硅有一陽極A1(T1),二陽極A2(T2)、控制極G三個引出腳。 只有當單向可控硅陽極A與陰極K之間加有正向電壓,同時控制極G與陰極間加上所需的正向觸發(fā)電壓時,方可被觸發(fā)導通。此時A、K間呈低阻導通狀態(tài),陽極A與陰極K間壓降約1V。
單向可控硅導通后,控制器G即使失去觸發(fā)電壓,只要陽極A和陰極K之間仍保持正向電壓,單向可控硅繼續(xù)處于低阻導通狀態(tài)。只有把陽極A電壓拆除或陽極A、陰極K間電壓極性發(fā)生改變(交流過零)時,單向可控硅才由低阻導通狀態(tài)轉(zhuǎn)換為高阻截止狀態(tài)。單向可控硅一旦截止,即使陽極A和陰極K間又重新加上正向電壓,仍需在控制極G和陰極K間有重新加上正向觸發(fā)電壓方可導通。單向可控硅的導通與截止狀態(tài)相當于開關(guān)的閉合與斷開狀態(tài),用它可制成無觸點開關(guān)。 菏澤可控硅模塊品牌
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