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晶閘管模塊產(chǎn)品特點:
1、芯片與基板電絕緣,電壓2500V;
2、 國際標(biāo)準(zhǔn)封裝;
3、壓接結(jié)構(gòu),優(yōu)良的溫度特性和動力循環(huán)能力;
4、輸入-輸出端之間隔離耐壓≥2500VAC;
5、200A以下為強制風(fēng)冷,300A以上模塊,可以選擇風(fēng)冷或水冷。
6、安裝簡單,使用維修方便,體積小,重量輕。
典型應(yīng)用:
直流電源、交流開關(guān)、焊接設(shè)備、電機控制、調(diào)光、變頻器、UPS電源、無觸點開關(guān)、電機軟起動、蓄電池充放電、靜態(tài)無功功率補償、工業(yè)加熱控制、各種整流電源。 正高電氣是多層次的模式與管理模式。河南快恢復(fù)晶閘管模塊報價
晶體閘流管工作過程編輯晶閘管是四層三端器件,它有J1、J2、J3三個PN結(jié)圖1,可以把它中間的NP分成兩部分,構(gòu)成一個PNP型三極管和一個NPN型三極管的復(fù)合管當(dāng)晶閘管承受正向陽極電壓時,為使晶閘管導(dǎo)通,必須使承受反向電壓的PN結(jié)J2失去阻擋作用。因此,兩個互相復(fù)合的晶體管電路,當(dāng)有足夠的門極電流Ig流入時,就會形成強烈的正反饋,造成兩晶體管飽和導(dǎo)通,晶體管飽和導(dǎo)通。設(shè)PNP管和NPN管的集電極電流相應(yīng)為Ic1和Ic2;發(fā)射極電流相應(yīng)為Ia和Ik;電流放大系數(shù)相應(yīng)為a1=Ic1/Ia和a2=Ic2/Ik,設(shè)流過J2結(jié)的反相漏電電流為Ic0,晶閘管的陽極電流等于兩管的集電極電流和漏電流的總和:Ia=Ic1+Ic2+Ic0或Ia=a1Ia+a2Ik+Ic0若門極電流為Ig,則晶閘管陰極電流為Ik=Ia+Ig從而可以得出晶閘管陽極電流為:I=(Ic0+Iga2)/(1-(a1+a2))(1—1)式硅PNP管和硅NPN管相應(yīng)的電流放大系數(shù)a1和a2隨其發(fā)射極電流的改變而急劇變化如圖3所示。當(dāng)晶閘管承受正向陽極電壓,而門極未受電壓的情況下,式(1—1)中,Ig=0,(a1+a2)很小,故晶閘管的陽極電流Ia≈Ic0晶閘關(guān)處于正向阻斷狀態(tài)。當(dāng)晶閘管在正向陽極電壓下。從門極G流入電流Ig,由于足夠大的Ig流經(jīng)NPN管的發(fā)射結(jié),從而提高起點流放大系數(shù)a2。東營大功率晶閘管模塊品牌正高電氣竭誠為您服務(wù),期待與您的合作,歡迎大家前來!
簡稱過零型)和隨機導(dǎo)通型(簡稱隨機型);按輸出開關(guān)元件分有雙向可控硅輸出型(普通型)和單向可控硅反并聯(lián)型(增強型);按安裝方式分有印刷線路板上用的針插式(自然冷卻,不必帶散熱器)和固定在金屬底板上的裝置式(靠散熱器冷卻);另外輸入端①直流恒流控制型(D3),電壓為3-36Vdc寬范圍,驅(qū)動電流為5-15mA;②直流抗干擾控制型(D2),電壓為18-30Vdc;③串電阻限流型(D1),電壓為4-8Vdc,**于隨機型LSR;④交流控制型(A3),電壓為90-430Vac寬范圍。⑴過零型(Z型)與隨機型(P型)LSR的區(qū)別由于觸發(fā)信號方式不同,過零型和隨機型之間的區(qū)別主要在于負(fù)載交流電流導(dǎo)通的條件不同。當(dāng)輸入端施加有效的控制信號時,隨機型LSR負(fù)載輸出端立即導(dǎo)通(速度為微秒級),而過零型LSR則要等到負(fù)載電壓過零區(qū)域(約±15V)時才開啟導(dǎo)通。當(dāng)輸入端撤消控制信號后,過零型和隨機型LSR均在小于維持電流時關(guān)斷,這兩種類型的關(guān)斷條件相同。雖然過零型LSR有可能造成比較大半個周期的延時,但卻減少了對負(fù)載的沖擊和產(chǎn)生的射頻干擾,在負(fù)載上可以得到一個完整的正弦波形,成為理想的開關(guān)器件,在“單刀單擲”的開關(guān)場合中應(yīng)用**為。隨機型LSR的特點是反應(yīng)速度快。
產(chǎn)生足夠大的極電極電流Ic2流過PNP管的發(fā)射結(jié),并提高了PNP管的電流放大系數(shù)a1,產(chǎn)生更大的極電極電流Ic1流經(jīng)NPN管的發(fā)射結(jié)。這樣強烈的正反饋過程迅速進(jìn)行。從圖3,當(dāng)a1和a2隨發(fā)射極電流增加而(a1+a2)≈1時,式(1—1)中的分母1-(a1+a2)≈0,因此提高了晶閘管的陽極電流Ia.這時,流過晶閘管的電流完全由主回路的電壓和回路電阻決定。晶閘管已處于正向?qū)顟B(tài)。式(1—1)中,在晶閘管導(dǎo)通后,1-(a1+a2)≈0,即使此時門極電流Ig=0,晶閘管仍能保持原來的陽極電流Ia而繼續(xù)導(dǎo)通。晶閘管在導(dǎo)通后,門極已失去作用。在晶閘管導(dǎo)通后,如果不斷的減小電源電壓或增大回路電阻,使陽極電流Ia減小到維持電流IH以下時,由于a1和a1迅速下降,當(dāng)1-(a1+a2)≈0時,晶閘管恢復(fù)阻斷狀態(tài)。可關(guān)斷晶閘管GTO(GateTurn-OffThyristor)亦稱門控晶閘管。其主要特點為,當(dāng)門極加負(fù)向觸發(fā)信號時晶閘管能自行關(guān)斷。前已述及,普通晶閘管(SCR)靠門極正信號觸發(fā)之后,撤掉信號亦能維持通態(tài)。欲使之關(guān)斷,必須切斷電源,使正向電流低于維持電流IH,或施以反向電壓強近關(guān)斷。這就需要增加換向電路。不僅使設(shè)備的體積重量增大,而且會降低效率,產(chǎn)生波形失真和噪聲。可關(guān)斷晶閘管克服了上述缺點。正高電氣愿與各界朋友攜手共進(jìn),共創(chuàng)未來!
由于晶閘管在導(dǎo)通期間,載流子充滿元件內(nèi)部,所以元件在關(guān)斷過程中,正向電壓下降到零時,內(nèi)部仍殘存著載流子。這些積蓄的載流子在反向電壓作用下瞬時出現(xiàn)較大的反向電流,使積蓄載流子迅速消失,這時反向電流消失的極快,即di/dt極大。因此即使和元件串連的線路電感L很小,電感產(chǎn)生的感應(yīng)電勢L(di/dt)值仍很大,這個電勢和電源電壓串聯(lián),反向加在已恢復(fù)阻斷的元件上,可能導(dǎo)致晶閘管的反向擊穿。這種由于晶閘管關(guān)斷引起的過電壓,稱為關(guān)斷過電壓,其數(shù)值可達(dá)工作電壓峰值的5~6倍,所以必須采取措施。阻容吸收電路中電容器把過電壓的電磁能量變成靜電能量存貯,電阻防止電容和電感產(chǎn)生諧振、限制晶閘管開通損耗和電流上升率。這種吸收回路能晶閘管由導(dǎo)通到截止時產(chǎn)生的過電壓,有效避免晶閘管被擊穿。阻容吸收電路安裝位置要盡量靠近模塊主端子,即引線要短。比較好采用無感電阻,以取得較好的保護(hù)效果。各型號模塊對應(yīng)的電阻和電容值根據(jù)表10選取。(2)壓敏電阻吸收過電壓壓敏電阻能夠吸收由于雷擊等原因產(chǎn)生能量較大、持續(xù)時間較長的過電壓。壓敏電阻標(biāo)稱電壓(V1mA),是指壓敏電阻流過1mA電流時它兩端的電壓。壓敏電阻的選擇,主要考慮額定電壓和通流容量。正高電氣我們完善的售后服務(wù),讓客戶買的放心,用的安心。吉林三相交流調(diào)壓模塊價格
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1晶閘管模塊被廣泛應(yīng)用于工業(yè)行業(yè)中,對于一些專業(yè)的電力技術(shù)人員,都知道晶閘管模塊的來歷及各種分類。不過現(xiàn)在從事這一行的人越來越多,有的采購人員對這方面還不是很了解。有的客戶也經(jīng)常問起我們晶閘管模塊的來歷。現(xiàn)在晶閘管廠家昆二晶就為大家分享一下:2晶閘管模塊誕生后,其結(jié)構(gòu)的改進(jìn)和工藝的,為新器件的不斷出現(xiàn)提供了條件。1964年,雙向晶閘管在GE公司開發(fā)成功,應(yīng)用于調(diào)光和馬達(dá)控制;1965年,小功率光觸發(fā)晶閘管出現(xiàn),為其后出現(xiàn)的光耦合器打下了基礎(chǔ);60年代后期,大功率逆變晶閘管問世,成為當(dāng)時逆變電路的基本元件;1974年,逆導(dǎo)晶閘管和非對稱晶閘管研制完成。3普通晶閘管廣泛應(yīng)用于交直流調(diào)速、調(diào)光、調(diào)溫等低頻(400Hz以下)領(lǐng)域,運用由它所構(gòu)成的電路對電網(wǎng)進(jìn)行控制和變換是一種簡便而經(jīng)濟的辦法。不過,這種裝置的運行會產(chǎn)生波形畸變和降低功率因數(shù)、影響電網(wǎng)的質(zhì)量。目前水平為12kV/1kA和6500V/4000A。4雙向晶閘管可視為一對反并聯(lián)的普通晶閘管的集成,常用于交流調(diào)壓和調(diào)功電路中。正、負(fù)脈沖都可觸發(fā)導(dǎo)通,因而其控制電路比較簡單。其缺點是換向能力差、觸發(fā)靈敏度低、關(guān)斷時間較長,其水平已超過2000V/500A。河南快恢復(fù)晶閘管模塊報價
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