青島MTAC260晶閘管智能模塊廠家

    限流作用的強(qiáng)弱調(diào)節(jié)使靜止的。無接觸的。非機(jī)械式的，這就為微電子技術(shù)打開了大門。所以，在工作原理上磁控軟起動(dòng)和晶閘管軟起動(dòng)是完全相同的。說磁飽和軟起動(dòng)能實(shí)現(xiàn)軟停止，能夠具有晶閘管軟起動(dòng)所具有的幾乎全部功能，其原因概出于此。高壓磁飽和電抗器在原理和結(jié)構(gòu)上與低壓（380V）磁飽和電抗器沒有本質(zhì)的區(qū)別，只是在某些方面需要采取一些特殊的處理罷了。磁飽和電抗器具有，這使磁控軟起動(dòng)的快速性比晶閘管慢一個(gè)數(shù)量級。對于電動(dòng)機(jī)系統(tǒng)的大慣性來說，磁控軟起動(dòng)的慣性是不足為慮的。有人說磁控軟起動(dòng)不產(chǎn)生高次諧波，這是錯(cuò)誤的。只要飽和。就一定會有非線性，就一定會引起高次諧波，只是磁飽和電抗器產(chǎn)生的高次諧波會比工作于斬波狀態(tài)的晶閘管要小一些。磁控軟起動(dòng)裝置需要有相對較大功率的輔助電源，噪聲較大則是其不足之處。三、晶閘管軟起動(dòng)晶閘管軟起動(dòng)產(chǎn)品的問世是當(dāng)今電力電子器件長足進(jìn)步的結(jié)果。在很多年以前電氣工程界就有人指出，晶閘管軟起動(dòng)將引發(fā)軟起動(dòng)行業(yè)的一場**。晶閘管軟啟動(dòng)器主要性能優(yōu)于液阻軟起動(dòng)。與液阻軟起動(dòng)相比，它體積小，結(jié)構(gòu)緊湊，維護(hù)量小，功能齊全，菜單豐富，起動(dòng)重復(fù)性好，保護(hù)周全，這些都是液阻軟起動(dòng)難以望其項(xiàng)背的。正高電氣累積點(diǎn)滴改進(jìn)，邁向優(yōu)良品質(zhì)！青島MTAC260晶閘管智能模塊廠家

晶閘管智能模塊的輸出特性

模塊的控制電壓與控制角α的關(guān)系因負(fù)載性質(zhì)和電路形式的不同而有所區(qū)別：

單相交流調(diào)壓模塊用于阻性負(fù)載時(shí)，α有效范圍為0°～ 180°，控制電壓對應(yīng)0.5V～9.5V。

單相整流調(diào)壓模塊用于阻性負(fù)載時(shí)，α有效范圍為0°～180°，控制電壓對應(yīng)0.5V～9.5V；感性負(fù)載時(shí)α范圍為0°～90°，控制電壓對應(yīng)于5V～9.5V。

三相全控整流調(diào)壓模塊用于阻性負(fù)載時(shí)，α有效范圍為0°～120°，控制電壓對應(yīng)2V～8V；感性負(fù)載時(shí)α范圍為0°～90°，控制電壓對應(yīng)于3.5V～8V。

三相半控整流調(diào)壓模塊用于阻性負(fù)載時(shí)，α有效范圍為0°～180°，控制電壓對應(yīng)0.5V～9.5V。

三相全控交流調(diào)壓模塊用于阻性負(fù)載時(shí)，α有效范圍為0°～150°，控制電壓對應(yīng)1.5V～9V。

三相半控交流調(diào)壓模塊用于阻性負(fù)載時(shí)，α有效范圍為0°～210°，控制電壓對應(yīng)0.5V～9.5V。

三相整流充放電模塊逆變放電時(shí)，α有效范圍為90°～180°，控制電壓對應(yīng)0.5V～5V；整流充電時(shí)，α有效范圍為0°～90°，控制電壓對應(yīng)5V～9.5V。

注：交流調(diào)壓模塊用于感性負(fù)載時(shí)α應(yīng)大于負(fù)載阻抗角Ψ，即α≥Ψ；當(dāng)α≤Ψ時(shí)，模塊已輸出較大電壓，且不再隨α的改變而變化。 青島MTAC260晶閘管智能模塊廠家正高電氣為客戶服務(wù)，要做到更好。

    ：觸發(fā)脈峰值電壓：≥22V觸發(fā)脈峰值電流：≥3A觸發(fā)脈沖前沿陡度：≥2A/μS（逆變的觸發(fā)脈沖變壓器是外接的）比較大外型尺寸：238×175×40mm。：控制板在檢測到故障信號時(shí)，輸出一組接點(diǎn)信號，該接點(diǎn)容量為AC：5A/220V：DC：10A/28V。6、電路原理整個(gè)控制電路除逆變末級觸發(fā)單元外，做成一塊印刷電路板結(jié)構(gòu)。功能上包括電源、整流觸發(fā)、調(diào)節(jié)器、逆變、啟動(dòng)演算等，除調(diào)節(jié)器為模擬運(yùn)算電路外，其余均為數(shù)字電路。組成該控制板的集成電路為IC6，型號為MPU-2，它是一塊**超大規(guī)模數(shù)字集成電路，有3路時(shí)鐘輸入口，31路輸入/輸出口，內(nèi)部功能包括整流移相觸發(fā)、相序自適應(yīng)、逆變觸發(fā)、逆變引前角鎖定、逆變重復(fù)起動(dòng)、過流保護(hù)、過壓保護(hù)、缺相保護(hù)、水壓低保護(hù)、控制板欠壓保護(hù)，另外還有三個(gè)。這部分電路包括三相同步、相序自適應(yīng)、壓控時(shí)鐘、數(shù)字觸發(fā)、末級驅(qū)動(dòng)等電路。三相同步信號直接由晶閘管的門極引線K4、K6、K2從主回路的三相進(jìn)線上取得，由R3、C1、R7、C2、R11、C3進(jìn)行濾波，再經(jīng)6只光電耦合器進(jìn)行電位隔離，獲得6個(gè)相位互差60度的矩形波同步信號（低電平有效），輸入到IC6的5P-10P。在IC6的內(nèi)部有相序自適應(yīng)電路，確保了中頻電源的三相交流輸入可以不分相序。

    對其它情況電阻值均為無窮大。由此可迅速判定G、K極，剩下的就是A極。2．檢查觸發(fā)能力如圖2(a)所示，首先將表Ⅰ的黑表筆接A極，紅表筆接K極，電阻為無窮大；然后用黑表筆尖也同時(shí)接觸G極，加上正向觸發(fā)信號，表針向右偏轉(zhuǎn)到低阻值即表明GTO已經(jīng)導(dǎo)通；脫開G極，只要GTO維持通態(tài)，就說明被測管具有觸發(fā)能力。3．檢查關(guān)斷能力現(xiàn)采用雙表法檢查GTO的關(guān)斷能力，如圖2(b)所示，表Ⅰ的檔位及接法保持不變。將表Ⅱ撥于R×10檔，紅表筆接G極，黑表筆接K極，施以負(fù)向觸發(fā)信號，如果表Ⅰ的指針向左擺到無窮大位置，證明GTO具有關(guān)斷能力。4．估測關(guān)斷增益βoff進(jìn)行到第3步時(shí)，先不接入表Ⅱ，記下在GTO導(dǎo)通時(shí)表Ⅰ的正向偏轉(zhuǎn)格數(shù)n1；再接上表Ⅱ強(qiáng)迫GTO關(guān)斷，記下表Ⅱ的正向偏轉(zhuǎn)格數(shù)n2。根據(jù)讀取電流法按下式估算關(guān)斷增益：βoff=IATM/IGM≈IAT/IG＝K1n1/K2n2式中K1—表Ⅰ在R×1檔的電流比例系數(shù)；K2—表Ⅱ在R×10檔的電流比例系數(shù)。βoff≈10×n1/n2此式的優(yōu)點(diǎn)是，不需要具體計(jì)算IAT、IG之值，只要讀出二者所對應(yīng)的表針正向偏轉(zhuǎn)格數(shù)，即可迅速估測關(guān)斷增益值。注意事項(xiàng)：（1）在檢查大功率GTO器件時(shí)，建議在R×1檔外邊串聯(lián)一節(jié)′，以提高測試電壓和測試電流，使GTO可靠地導(dǎo)通。。正高電氣在客戶和行業(yè)中樹立了良好的企業(yè)形象。

    [1]單結(jié)管即單結(jié)晶體管，又稱為雙基極二極管，是一種具有一個(gè)PN結(jié)和兩個(gè)歐姆電極的負(fù)阻半導(dǎo)體器件。常見的有陶瓷封裝和金屬殼封裝的單結(jié)晶體管。[2]單結(jié)晶體管可分為N型基極單結(jié)管和P型基極單結(jié)管兩大類。單結(jié)晶體管的文字符號為“VT”，圖形符號如圖所示。[3]單結(jié)晶體管的主要參數(shù)有：①分壓比η，指單結(jié)晶體管發(fā)射極E至基極B1間的電壓（不包括PN結(jié)管壓降）在兩基極間電壓中所占的比例。②峰點(diǎn)電壓UP，是指單結(jié)晶體管剛開始導(dǎo)通時(shí)的發(fā)射極E與基極B1的電壓，其所對應(yīng)的發(fā)射極電流叫做峰點(diǎn)電流IP。③谷點(diǎn)電壓UV，是指單結(jié)晶體管由負(fù)阻區(qū)開始進(jìn)入飽和區(qū)時(shí)的發(fā)射極E與基極B1間的電壓，其所對應(yīng)的發(fā)射極電流叫做谷點(diǎn)電流IV。[4]單結(jié)晶體管共有三個(gè)管腳，分別是：發(fā)射極E、基極B1和第二基極B2。圖示為兩種典型單結(jié)晶體管的管腳電極。[5]單結(jié)晶體管**重要的特性是具有負(fù)阻性，其基本工作原理如圖示（以N基極單結(jié)管為例）。當(dāng)發(fā)射極電壓UE大于峰點(diǎn)電壓UP時(shí)，PN結(jié)處于正向偏置，單結(jié)管導(dǎo)通。隨著發(fā)射極電流IE的增加，大量空穴從發(fā)射極注入硅晶體，導(dǎo)致發(fā)射極與基極間的電阻急劇減小，其間的電位也就減小，呈現(xiàn)出負(fù)阻特性。[6]檢測單結(jié)晶體管時(shí)，萬用表置于“R×1k”擋。正高電氣是多層次的模式與管理模式。青島MTAC260晶閘管智能模塊廠家

正高電氣產(chǎn)品**國內(nèi)。青島MTAC260晶閘管智能模塊廠家

晶閘管智能模塊電流規(guī)格的選取方法

考慮到晶閘管智能模塊產(chǎn)品一般都是非正弦電流，存在導(dǎo)通角的問題并且負(fù)載電流有一定的波動(dòng)性和不穩(wěn)定因素，且晶閘管芯片抗電流沖擊能力較差，在選取模塊電流規(guī)格時(shí)需要留出一定余量。推薦選擇方法可按照以下公式計(jì)算：

I>K×I負(fù)載×U較大∕U實(shí)際

K ：安全系數(shù)，阻性負(fù)載K= 1.5，感性負(fù)載K= 2；

I負(fù)載：負(fù)載流過的較大電流；    U實(shí)際：負(fù)載上的較大電壓；

U較大：模塊能輸出的較大電壓；（三相整流模塊為輸入電壓的1.35倍，單相整流模塊為輸入電壓的0.9倍，其余規(guī)格均為1.0倍）；

I：需要選擇模塊的較大電流,模塊標(biāo)稱的電流一定要大于該值。

例：某系統(tǒng)用三相整流模塊電爐調(diào)溫，380V輸入，輸出電流130A，輸出直流電壓可調(diào)350V～450V，應(yīng)選擇什么型號的模塊？

選擇方法：三相整流模塊，380V輸入，較大輸出直流電壓為380×1.35=513V,電爐為阻性負(fù)載,按公式輸出電流應(yīng)不小于1.5×130×513/350=285.81A,可選取接近（但一定要大于）值，即320A的模塊，型號為:3MTDC320。 青島MTAC260晶閘管智能模塊廠家

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