常見的載帶寬度有 4mm、8mm、12mm、16mm、24mm、32mm、44mm、56mm、72mm、88mm、104mm 等?？诖叽缧枰罁?jù)所承載的電子元器件大小而定。例如承載小型電阻、電容等，口袋可能是幾毫米見方；若承載較大的集成電路芯片等，口袋尺寸可能達(dá)到十幾毫米甚至更大。以常見的8mm載帶...

脈沖能量則直接決定了中紅外脈沖激光與物質(zhì)相互作用的強(qiáng)度。對于需要較強(qiáng)能量作用的應(yīng)用，如激光燒蝕、材料表面改性等，高脈沖能量的激光器種子更為適用。例如，在材料科學(xué)研究中，通過調(diào)整中紅外脈沖激光的能量，可以研究材料在不同能量沖擊下的物理和化學(xué)性質(zhì)變化，為新材料的開發(fā)和性能優(yōu)化提供依據(jù)。而在一些對能量敏感...

上海高傳電子科技有限公司氧氣傳感器電化學(xué)反應(yīng)中，鉛極參與到氧化反應(yīng)中，使得這些傳感器具有一定的使用期限，一旦所有可利用的鉛完全被氧化，傳感器將停止運(yùn)作。通常氧氣傳感器的使用壽命為1-2年，但也可以通過增加陽極鉛的含量或限制接觸陽極的氧氣量來延長傳感器的使用壽命。毛細(xì)微孔氧傳感器和分壓氧傳感器城市技術(shù)...

膠殼還可以起到美觀的作用。膠殼可以為產(chǎn)品增添色彩，提升產(chǎn)品的外觀吸引力。這對于一些消費(fèi)品尤為重要。例如，手機(jī)膠殼可以根據(jù)用戶的喜好選擇不同的顏色和圖案，使手機(jī)更具個(gè)性化；家居用品的膠殼可以選擇與室內(nèi)裝飾相協(xié)調(diào)的顏色和材質(zhì)，提升整體美觀度。綜上所述，膠殼具有保護(hù)、密封、隔熱、防水、防塵、防震和美觀等多...

通過適當(dāng)減小耗盡區(qū)寬度和減小擴(kuò)散區(qū)電阻率，耗盡區(qū)寬度減小導(dǎo)致響應(yīng)度的降低，再通過增加高反層使得光子在較薄的耗盡區(qū)中二次吸收來補(bǔ)償，以減小耗盡區(qū)變薄對光響應(yīng)度的影響(參見圖3)；高反層的形成使得器件保持對長波響應(yīng)度的同時(shí)，降低響應(yīng)時(shí)間；進(jìn)一步，通過在高反層上刻孔形成均勻的電流路徑同時(shí)獲得高的響應(yīng)速度(...

電吹風(fēng)機(jī)的風(fēng)速和溫度調(diào)節(jié)依賴于精確的電機(jī)和加熱絲控制。TrenchMOSFET應(yīng)用于電吹風(fēng)機(jī)的電機(jī)驅(qū)動(dòng)和加熱絲控制電路。在電機(jī)驅(qū)動(dòng)方面，其低導(dǎo)通電阻使電機(jī)運(yùn)行更加高效，降低了電能消耗，同時(shí)寬開關(guān)速度能夠快速響應(yīng)風(fēng)速調(diào)節(jié)指令，實(shí)現(xiàn)不同檔位風(fēng)速的平穩(wěn)切換。在加熱絲控制上，TrenchMOSFET可以精細(xì)...

作用： 電路控制與隔離：通過觸點(diǎn)閉合/斷開控制電路通斷，實(shí)現(xiàn)設(shè)備啟停、模式切換等功能。隔離控制電路與被控電路，防止高壓或大電流對控制元件（如微處理器）的損害，提升系統(tǒng)安全性。 信號轉(zhuǎn)換與傳輸：將數(shù)字信號（如0/1）轉(zhuǎn)換為觸點(diǎn)動(dòng)作，實(shí)現(xiàn)信號形式轉(zhuǎn)換。支持多路信號傳輸，例如通過多觸點(diǎn)繼電...

按時(shí)甚至提前交付產(chǎn)品，絕不延誤您的項(xiàng)目進(jìn)度。Advocate（鼓勵(lì)用戶推薦）：眾多與我們攜手合作過的客戶都對我們的定制電路板加工服務(wù)贊譽(yù)有加。例如，一家專注于智能家居產(chǎn)品研發(fā)的企業(yè)，在與我們合作后，其產(chǎn)品憑借定制電路板的***性能與精巧設(shè)計(jì)，迅速在市場上嶄露頭角，市場份額不斷擴(kuò)大。他們不僅自...

高性價(jià)比 FPGA 在數(shù)據(jù)中心的網(wǎng)絡(luò)加速方面發(fā)揮著重要作用。一款應(yīng)用于數(shù)據(jù)中心的 FPGA，具備高速的數(shù)據(jù)處理能力和靈活的架構(gòu)。它可以對網(wǎng)絡(luò)數(shù)據(jù)包進(jìn)行快速分類、過濾和轉(zhuǎn)發(fā)，減輕服務(wù)器 CPU 的負(fù)擔(dān)，提升數(shù)據(jù)中心網(wǎng)絡(luò)的整體性能。例如在處理大規(guī)模數(shù)據(jù)傳輸時(shí)，F(xiàn)PGA 能夠在短時(shí)間內(nèi)完成復(fù)雜的網(wǎng)絡(luò)協(xié)議解...

門極輸入電容Cies 由CGE 和CGC 來表示，它是計(jì)算IGBT 驅(qū)動(dòng)器電路所需輸出功率的關(guān)鍵參數(shù)。該電容幾乎不受溫度影響，但與IGBT集電極-發(fā)射極電壓VCE 的電壓有密切聯(lián)系。在IGBT數(shù)據(jù)手冊中給出的電容Cies 的值，在實(shí)際電路應(yīng)用中不是一個(gè)特別有用的參數(shù)，因?yàn)樗峭ㄟ^電橋測得的，在測量電...

IGBT 的開關(guān)特性主要取決于IGBT的門極電荷及內(nèi)部和外部的電阻。圖1是IGBT 門極電容分布示意圖，其中CGE 是柵極-發(fā)射極電容、CCE 是集電極-發(fā)射極電容、CGC 是柵極-集電極電容或稱米勒電容（Miller Capacitor）。門極輸入電容Cies 由CGE 和CGC 來表示，它是計(jì)算...

1967年，發(fā)表了增層法之一的“Plated-up technology”。[1][3]1969年，F(xiàn)D-R以聚酰亞胺制造了軟性印刷電路板。[1]1979年，Pactel發(fā)表了增層法之一的“Pactel法”。[1]1984年，NTT開發(fā)了薄膜回路的“Copper Polyimide法”。[1]198...