可控硅(SCR是可控硅整流器的簡(jiǎn)稱。可控硅有單向、雙向、可關(guān)斷和光控幾種類型。它具有體積小、重量輕、效率高、壽命長(zhǎng)、控制方便等優(yōu)點(diǎn),被***用于可控整流、調(diào)壓、逆變以及無觸點(diǎn)開關(guān)等各種自動(dòng)控制和大功率的電能轉(zhuǎn)換的場(chǎng)合。單向可控硅是一種可控整流電子元件,能在外部控制信號(hào)作用下由關(guān)斷變?yōu)閷?dǎo)通,但一旦導(dǎo)通,外部信號(hào)就無法使其關(guān)斷,只能靠去除負(fù)載或降低其兩端電壓使其關(guān)斷。單向可控硅是由三個(gè)PN結(jié)PNPN組成的四層三端半導(dǎo)體器件與具有一個(gè)PN結(jié)的二極管相比,單向可控硅正向?qū)ㄊ芸刂茦O電流控制;與具有兩個(gè)PN結(jié)的三極管相比,差別在于可控硅對(duì)控制極電流沒有放大作用。過零觸發(fā)-一般是調(diào)功,即當(dāng)正弦交流電交流電電壓相位過零點(diǎn)觸發(fā),必須是過零點(diǎn)才觸發(fā),導(dǎo)通可控硅。吳中區(qū)加工可控硅模塊聯(lián)系方式
1、智能功率模塊(ipms) 智能功率模塊的特點(diǎn)在于除了功率半導(dǎo)體器件外,還有驅(qū)動(dòng)電路。許多ipm模塊也配備了溫度傳感器和電流平衡電路或用于電流測(cè)量的分流電阻。通常智能功率模塊也集成了額外保護(hù)和監(jiān)測(cè)功能,如過電流和短路保護(hù),驅(qū)動(dòng)器電源電壓控制和直流母線電壓測(cè)量等。 然而,大部分智能功率模塊沒有對(duì)功率側(cè)的信號(hào)輸入進(jìn)行電氣隔離。只有極少數(shù)的ipm包含了一個(gè)集成光耦。另一種隔離方案是采用變壓器 進(jìn)行隔離。 吳江區(qū)加工可控硅模塊廠家現(xiàn)貨反向阻斷峰值電壓VPR 當(dāng)可控硅加反向電壓,處于反向關(guān)斷狀態(tài)時(shí),可以重復(fù)加在可控硅兩端的反向峰值電壓。
·電流的確定: 由于雙向可控硅通常用在交流電路中,因此不用平均值而用有效值來表示它的額定電流值。由于可控硅的過載能力比一般電磁器件小,因而一般家電中選用可控硅的電流值為實(shí)際工作電流值的2~3倍。 同時(shí), 可控硅承受斷態(tài)重復(fù)峰值電壓VD R M 和反向重復(fù)峰值電壓 V R R M 時(shí)的峰值電流應(yīng)小于器件規(guī)定的IDRM 和 IRRM。 [1]·通態(tài)(峰值)電壓 VT M 的選擇: 它是可控硅通以規(guī)定倍數(shù)額定電流時(shí)的瞬態(tài)峰值壓降。為減少可控硅的熱損耗,應(yīng)盡可能選擇VT M 小的可控硅。 [1]·維持電流: IH 是維持可控硅保持通態(tài)所必需的**小主電流,它與結(jié)溫有關(guān),結(jié)溫越高, 則 IH 越小。 [1]
在性能上,可控硅不僅具有單向?qū)щ娦?,而且還具有比硅整流元件(俗稱"死硅")更為可貴的可控性。它只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種狀態(tài)。可控硅能以毫安級(jí)電流控制大功率的機(jī)電設(shè)備,如果超過此功率,因元件開關(guān)損耗***增加,允許通過的平均電流相降低,此時(shí),標(biāo)稱電流應(yīng)降級(jí)使用??煽毓璧膬?yōu)點(diǎn)很多,例如:以小功率控制大功率,功率放大倍數(shù)高達(dá)幾十萬倍;反應(yīng)極快,在微秒級(jí)內(nèi)開通、關(guān)斷;無觸點(diǎn)運(yùn)行,無火花、無噪音;效率高,成本低等等。可控硅的弱點(diǎn):靜態(tài)及動(dòng)態(tài)的過載能力較差;容易受干擾而誤導(dǎo)通??煽毓鑿耐庑紊戏诸愔饕校郝菟ㄐ巍⑵桨逍魏推降仔?。
可控硅質(zhì)量好壞的判別可以從四個(gè)方面進(jìn)行。***是三個(gè)PN結(jié)應(yīng)完好;第二是當(dāng)陰極和陽極間電壓反向連接時(shí)能夠阻斷,不導(dǎo)通;第三是當(dāng)控制極開路時(shí),陽極和陰極間的電壓正向連接時(shí)也不導(dǎo)通;第四是給控制極加上正向電流,給陰極和陽極加正向電壓時(shí),可控硅應(yīng)當(dāng)導(dǎo)通,把控制極電流去掉,仍處于導(dǎo)通狀態(tài)。用萬用表的歐姆擋測(cè)量可控硅的極間電阻,就可對(duì)**個(gè)方面的好壞進(jìn)行判斷。具體方法是:用R×1k或R×10k擋測(cè)陰極和陽極之間的正反向電阻(控制極不接電壓),此兩個(gè)阻值均應(yīng)很大。電阻值越大,表明正反向漏電電流愈小。如果測(cè)得的阻值很低,或近于無窮大,說明可控硅已經(jīng)擊穿短路或已經(jīng)開路,此可控硅不能使用了。在自動(dòng)控制系統(tǒng)中,可作為大功率驅(qū)動(dòng)器件,實(shí)現(xiàn)用小功率控件控制大功率設(shè)備。吳江區(qū)加工可控硅模塊廠家現(xiàn)貨
它具有體積小、效率高、壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)。吳中區(qū)加工可控硅模塊聯(lián)系方式
測(cè)量方法鑒別可控硅三個(gè)極的方法很簡(jiǎn)單,根據(jù)P-N結(jié)的原理,只要用萬用表測(cè)量一下三個(gè)極之間的電阻值就可以。陽極與陰極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上,陽極和控制極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上(它們之間有兩個(gè)P-N結(jié),而且方向相反,因此陽極和控制極正反向都不通) [1]??刂茦O與陰極之間是一個(gè)P-N結(jié),因此它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的范圍,反向電阻比正向電阻要大。可是控制極二極管特性是不太理想的,反向不是完全呈阻斷狀態(tài)的,可以有比較大的電流通過,因此,有時(shí)測(cè)得控制極反向電阻比較小,并不能說明控制極特性不好。另外,在測(cè)量控制極正反向電阻時(shí),萬用表應(yīng)放在R*10或R*1擋,防止電壓過高控制極反向擊穿。吳中區(qū)加工可控硅模塊聯(lián)系方式
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