蘇州應(yīng)用可控硅模塊現(xiàn)價(jià)

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2025-07-30

從控制原理上可等效為一只 PNP 三極管和一只 NPN 三極管的連接電路, 兩管的基極電 流和集電極電流互為通路,具有強(qiáng)烈的正反反饋?zhàn)饔谩R坏?G、K 回路輸入 NPN 管子的 基極電流,由于正反饋?zhàn)饔?,兩管將迅即進(jìn)入飽合導(dǎo)通狀態(tài)??煽毓鑼?dǎo)通之后,它的導(dǎo)通狀 態(tài)完全依靠管子本身的正反饋?zhàn)饔脕?lái)維持,即使控制電流(電壓)消失,可控硅仍處于導(dǎo)通 狀態(tài)??刂菩盘?hào) UGK 的作用**是觸發(fā)可控硅使其導(dǎo)通,導(dǎo)通之后,控制信號(hào)便失去控制 作用。單向可控硅的導(dǎo)通需要兩個(gè)條件:1) A、K 之間加正向電壓;2) G、K 之間輸入一個(gè)正向觸發(fā)電流信號(hào),無(wú)論是直流或脈沖信號(hào)。可控硅從外形上分主要有螺旋式、平板式和平底式三種,螺旋式的應(yīng)用較多。蘇州應(yīng)用可控硅模塊現(xiàn)價(jià)

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大家使用的是單向晶閘管,也就是人們常說(shuō)的普通晶閘管,它是由四層半導(dǎo)體材料組成的,有三個(gè)PN結(jié),對(duì)外有三個(gè)電極〔圖2(P型半導(dǎo)體引出的電極叫陽(yáng)極A,第三層P型半導(dǎo)體引出的電極叫控制極G,第四層N型半導(dǎo)體引出的電極叫陰極K。從晶閘管的電路符號(hào)〔圖2(以硅單晶為基本材料的P1N1P2N2四層三端器件,起始于1957年,因?yàn)樗奶匦灶愃朴谡婵臻l流管,所以國(guó)際上通稱為硅晶體閘流管,簡(jiǎn)稱晶閘管T,又因?yàn)榫чl管**初的在靜止整流方面,所以又被稱之為硅可控整流元件,簡(jiǎn)稱為可控硅SCR。常熟使用可控硅模塊報(bào)價(jià)可控硅(Silicon Controlled Rectifier) 簡(jiǎn)稱SCR,是一種大功率電器元件,也稱晶閘管。

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Ug到來(lái)得早,晶閘管導(dǎo)通的時(shí)間就早;Ug到來(lái)得晚,晶閘管導(dǎo)通的時(shí)間就晚。通過(guò)改變控制極上觸發(fā)脈沖Ug到來(lái)的時(shí)間,就可以調(diào)節(jié)負(fù)載上輸出電壓的平均值UL。在電工技術(shù)中,常把交流電的半個(gè)周期定為180°,稱為電角度。這樣,在U2的每個(gè)正半周,從零值開(kāi)始到觸發(fā)脈沖到來(lái)瞬間所經(jīng)歷的電角度稱為控制角α;在每個(gè)正半周內(nèi)晶閘管導(dǎo)通的電角度叫導(dǎo)通角θ。很明顯,α和θ都是用來(lái)表示晶閘管在承受正向電壓的半個(gè)周期的導(dǎo)通或阻斷范圍的。通過(guò)改變控制角α或?qū)ń铅?,改變?fù)載上脈沖直流電壓的平均值UL,實(shí)現(xiàn)了可控整流。

可控硅質(zhì)量好壞的判別可以從四個(gè)方面進(jìn)行。***是三個(gè)PN結(jié)應(yīng)完好;第二是當(dāng)陰極和陽(yáng)極間電壓反向連接時(shí)能夠阻斷,不導(dǎo)通;第三是當(dāng)控制極開(kāi)路時(shí),陽(yáng)極和陰極間的電壓正向連接時(shí)也不導(dǎo)通;第四是給控制極加上正向電流,給陰極和陽(yáng)極加正向電壓時(shí),可控硅應(yīng)當(dāng)導(dǎo)通,把控制極電流去掉,仍處于導(dǎo)通狀態(tài)。用萬(wàn)用表的歐姆擋測(cè)量可控硅的極間電阻,就可對(duì)**個(gè)方面的好壞進(jìn)行判斷。具體方法是:用R×1k或R×10k擋測(cè)陰極和陽(yáng)極之間的正反向電阻(控制極不接電壓),此兩個(gè)阻值均應(yīng)很大。電阻值越大,表明正反向漏電電流愈小。如果測(cè)得的阻值很低,或近于無(wú)窮大,說(shuō)明可控硅已經(jīng)擊穿短路或已經(jīng)開(kāi)路,此可控硅不能使用了。晶閘管導(dǎo)通后,松開(kāi)按鈕開(kāi)關(guān),去掉觸發(fā)電壓,仍然維持導(dǎo)通狀態(tài)。

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可控硅從外形上分類主要有:螺栓形、平板形和平底形。可控硅元件的結(jié)構(gòu)不管可控硅的外形如何,它們的管芯都是由P型硅和N型硅組成的四層P1N1P2N2結(jié)構(gòu)。見(jiàn)圖1。它有三個(gè)PN結(jié)(J1、J2、J3),從J1結(jié)構(gòu)的P1層引出陽(yáng)極A,從N2層引出陰級(jí)K,從P2層引出控制極G,所以它是一種四層三端的半導(dǎo)體器件。結(jié)構(gòu)原件可控硅類型可控硅是P1N1P2N2四層三端結(jié)構(gòu)元件,共有三個(gè)PN結(jié),分析原理時(shí),可以把它看作由一個(gè)PNP管和一個(gè)NPN管所組成,其等效圖解如右圖所示。雙向可控硅:雙向可控硅是一種硅可控整流器件,也稱作雙向晶閘管。這種器件在電路中能夠?qū)崿F(xiàn)交流電的無(wú)觸點(diǎn)控制,以小電流控制大電流,具有無(wú)火花、動(dòng)作快、壽命長(zhǎng)、可靠性高以及簡(jiǎn)化電路結(jié)構(gòu)等優(yōu)點(diǎn)。從外表上看,雙向可控硅和普通可控硅很相似,也有三個(gè)電極。其通斷狀態(tài)由控制極G決定。在控制極G上加正脈沖(或負(fù)脈沖)可使其正向(或反向)導(dǎo)通。吳中區(qū)本地可控硅模塊品牌

如果不加觸發(fā)信號(hào),而正向陽(yáng)極電壓大到超過(guò)一定值時(shí),可控硅也會(huì)導(dǎo)通,但已屬于非正常工作情況了。蘇州應(yīng)用可控硅模塊現(xiàn)價(jià)

[3](2)如果主電極T2仍加正向電壓,而把觸發(fā)信號(hào)改為反向信號(hào)(圖5b),這時(shí)雙向可控硅觸發(fā)導(dǎo)通后,通態(tài)電流的方向仍然是從T2到T1。我們把這種觸發(fā)叫做“***象限的負(fù)觸發(fā)”或稱為I-觸發(fā)方式。(3)兩個(gè)主電極加上反向電壓U12(圖5c),輸入正向觸發(fā)信號(hào),雙向可控硅導(dǎo)通后,通態(tài)電流從T1流向T2。雙向可控硅按第三象限特性曲線工作,因此把這種觸發(fā)叫做Ⅲ+觸發(fā)方式。 (4)兩個(gè)主電極仍然加反向電壓U12,輸入的是反向觸發(fā)信號(hào)(圖5d),雙向可控硅導(dǎo)通后,通態(tài)電流仍從T1流向T2。這種觸發(fā)就叫做Ⅲ-觸發(fā)方式。 雙向可控硅雖然有以上四種觸發(fā)方式,但由于負(fù)信號(hào)觸發(fā)所需要的觸發(fā)電壓和電流都比較小。工作比較可靠,因此在實(shí)際使用時(shí),負(fù)觸發(fā)方式應(yīng)用較多。蘇州應(yīng)用可控硅模塊現(xiàn)價(jià)

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