無錫制版光刻膠報價

來源： 發(fā)布時間：2025-06-14

定義與特性

負性光刻膠是一種在曝光后，未曝光區(qū)域會溶解于顯影液的光敏材料，形成與掩膜版（Mask）圖案相反的圖形。與正性光刻膠相比，其主要特點是耐蝕刻性強、工藝簡單、成本低，但分辨率較低（通常≥1μm），主要應用于對精度要求相對較低、需要厚膠或高耐腐蝕性的場景。

化學組成與工作原理

 主要成分

 基體樹脂：

? 早期以聚異戊二烯橡膠（天然或合成）為主，目前常用環(huán)化橡膠（Cyclized Rubber）或聚乙烯醇肉桂酸酯，提供膠膜的機械強度和耐蝕刻性。

 光敏劑：

? 主要為雙疊氮化合物（如雙疊氮芪）或重氮醌類衍生物，占比約5%-10%，吸收紫外光后引發(fā)交聯(lián)反應。

 交聯(lián)劑：

? 如六亞甲基四胺（烏洛托品），在曝光后與樹脂發(fā)生交聯(lián)，形成不溶性網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。

 溶劑：

? 多為有機溶劑（如二甲苯、環(huán)己酮），溶解樹脂和光敏劑，涂布后揮發(fā)形成均勻膠膜。

 工作原理

 曝光前：光敏劑和交聯(lián)劑均勻分散在樹脂中，膠膜可溶于顯影液（有機溶劑）。

 曝光時：

? 光敏劑吸收紫外光（G線436nm為主）后產(chǎn)生活性自由基，引發(fā)交聯(lián)劑與樹脂分子間的共價鍵交聯(lián)，使曝光區(qū)域形成不溶于顯影液的三維網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。

 顯影后：

? 未曝光區(qū)域的樹脂因未交聯(lián)，被顯影液溶解去除，曝光區(qū)域保留，形成負性圖案（與掩膜版相反）。
吉田半導體強化研發(fā)，布局下一代光刻技術(shù)。無錫制版光刻膠報價

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吉田半導體厚板光刻膠 JT-3001：國產(chǎn)技術(shù)助力 PCB 行業(yè)升級

JT-3001 厚板光刻膠支持 500nm/min 深蝕刻，成為國產(chǎn) PCB 電路板制造推薦材料。
吉田半導體自主研發(fā)的 JT-3001 厚板光刻膠，分辨率 1.5μm，抗深蝕刻速率 > 500nm/min，適用于高密度 PCB 制造。其無鹵無鉛配方通過歐盟 RoHS 認證，已應用于華為 5G 基站主板量產(chǎn)。產(chǎn)品采用國產(chǎn)原材料與全自動化工藝，批次穩(wěn)定性達 99.5%，幫助客戶提升生產(chǎn)效率 20%，加速國產(chǎn) PCB 行業(yè)技術(shù)升級，推動 PCB 行業(yè)國產(chǎn)化進程。
惠州負性光刻膠耗材吉田技術(shù)自主化與技術(shù)領(lǐng)域突破！

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關(guān)鍵工藝流程

 涂布：

? 在晶圓/基板表面旋涂光刻膠，厚度控制在0.1-5μm（依制程精度調(diào)整），需均勻無氣泡（旋涂轉(zhuǎn)速500-5000rpm）。

 前烘（Soft Bake）：

? 加熱（80-120℃）去除溶劑，固化膠膜，增強附著力（避免顯影時邊緣剝離）。

 曝光：

? 光源匹配：

? G/I線膠：汞燈（適用于≥1μm線寬，如PCB、LCD）。

? DUV膠（248nm/193nm）：KrF/ArF準分子激光（用于28nm-14nm制程，如存儲芯片）。

? EUV膠（13.5nm）：極紫外光源（用于7nm以下制程，需控制納米級缺陷）。

? 曝光能量：需精確控制（如ArF膠約50mJ/cm2），避免過曝或欠曝導致圖案失真。

 顯影：

? 采用堿性溶液（如0.262N四甲基氫氧化銨，TMAH），曝光區(qū)域膠膜溶解，未曝光區(qū)域保留，形成三維立體圖案。

 后烘（Post-Exposure Bake, PEB）：

? 化學增幅型膠需此步驟，通過加熱（90-130℃）激發(fā)光酸催化反應，提高分辨率和耐蝕刻性。

國家戰(zhàn)略支持
《國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金三期規(guī)劃》將光刻膠列為重點投資領(lǐng)域，計劃投入超500億元支持研發(fā)。工信部對通過驗證的企業(yè)給予稅收減免和設(shè)備采購補貼，單家企業(yè)比較高補貼可達研發(fā)投入的30%。

 地方產(chǎn)業(yè)協(xié)同
濟南設(shè)立寬禁帶半導體產(chǎn)業(yè)專項基金，深圳國際半導體光刻膠產(chǎn)業(yè)展覽會（2025年4月）吸引全球300余家企業(yè)參展，推動技術(shù)交流。

 資本助力產(chǎn)能擴張
恒坤新材通過科創(chuàng)板IPO募資15億元，擴大KrF光刻膠產(chǎn)能并布局集成電路前驅(qū)體項目。彤程新材半導體光刻膠業(yè)務2024年上半年營收增長54.43%，ArF光刻膠開始形成銷售。
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技術(shù)研發(fā)：從配方到工藝的經(jīng)驗壁壘

 配方設(shè)計的“黑箱效應”
光刻膠配方涉及成百上千種成分的排列組合，需通過數(shù)萬次實驗優(yōu)化。例如，ArF光刻膠需在193nm波長下實現(xiàn)0.1μm分辨率，其光酸產(chǎn)率、熱穩(wěn)定性等參數(shù)需精確匹配光刻機性能。日本企業(yè)通過數(shù)十年積累形成的配方數(shù)據(jù)庫，國內(nèi)企業(yè)短期內(nèi)難以突破。

 工藝控制的極限挑戰(zhàn)
光刻膠生產(chǎn)需在百級超凈車間進行，金屬離子含量需控制在1ppb以下。國內(nèi)企業(yè)在“吸附—重結(jié)晶—過濾—干燥”耦合工藝上存在技術(shù)短板，導致產(chǎn)品批次一致性差。例如，恒坤新材的KrF光刻膠雖通過12英寸產(chǎn)線驗證，但量產(chǎn)良率較日本同類型產(chǎn)品低約15%。

 EUV光刻膠的“代際鴻溝”
EUV光刻膠需在13.5nm波長下工作，傳統(tǒng)有機光刻膠因吸收效率低、熱穩(wěn)定性差面臨淘汰。國內(nèi)企業(yè)如久日新材雖開發(fā)出EUV光致產(chǎn)酸劑，但金屬氧化物基光刻膠（如氧化鋅）的納米顆粒分散技術(shù)尚未突破，導致分辨率只達10nm，而國際水平已實現(xiàn)5nm。
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負性光刻膠的工藝和應用場景。無錫制版光刻膠報價

吉田半導體 SU-3 負性光刻膠：國產(chǎn)技術(shù)賦能 5G 芯片封裝

自主研發(fā) SU-3 負性光刻膠支持 3 微米厚膜加工，成為 5G 芯片高密度封裝材料。
針對 5G 芯片封裝需求，吉田半導體自主研發(fā) SU-3 負性光刻膠，分辨率達 1.5μm，抗深蝕刻速率 > 500nm/min。其超高感光度與耐化學性確保復雜圖形的完整性，已應用于高通 5G 基帶芯片量產(chǎn)。產(chǎn)品采用國產(chǎn)原材料與工藝，不采用國外材料，成本較進口產(chǎn)品降低 40%，幫助客戶提升封裝良率至 98.5%，為國產(chǎn) 5G 芯片制造提供關(guān)鍵材料支撐。
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標簽： 錫膏 錫片 光刻膠