中山PCB光刻膠生產(chǎn)廠家

來源： 發(fā)布時間：2025-05-22

 吉田半導體納米壓印光刻膠 JT-2000：國產(chǎn)技術突破耐高溫極限

自主研發(fā) JT-2000 納米壓印光刻膠耐受 250℃高溫，為國產(chǎn)納米器件制造提供關鍵材料。吉田半導體 JT-2000 納米壓印光刻膠采用國產(chǎn)交聯(lián)樹脂，在 250℃高溫下仍保持圖形保真度 > 95%。產(chǎn)品采用國產(chǎn)原材料與全自動化工藝，其高粘接強度與耐強酸強堿特性，適用于光學元件、傳感器等精密器件。產(chǎn)品已通過國內(nèi)科研機構驗證，應用于國產(chǎn) EUV 光刻機前道工藝，幫助客戶實現(xiàn)納米結構加工自主化。
光刻膠的顯示面板領域。中山PCB光刻膠生產(chǎn)廠家

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? 化學反應：

? 正性膠：曝光后光敏劑（如重氮醌DQN）分解，生成羧酸，在堿性顯影液中溶解；

? 負性膠：曝光后光敏劑引發(fā)交聯(lián)劑與樹脂形成不溶性網(wǎng)狀結構。

5. 顯影（Development）

? 顯影液：

? 正性膠：堿性水溶液（如0.26N四甲基氫氧化銨TMAH），溶解曝光區(qū)域；

? 負性膠：有機溶劑（如二甲苯、醋酸丁酯），溶解未曝光區(qū)域。

? 方法：噴淋顯影（PCB）或沉浸式顯影（半導體），時間30秒-2分鐘，需控制顯影液濃度和溫度。

6. 后烘（Post-Bake）

? 目的：固化膠膜，提升耐蝕刻性和熱穩(wěn)定性。

? 條件：

? 溫度：100-150℃（半導體用正性膠可能更高，如180℃）；

? 時間：15-60分鐘（厚膠或高耐蝕需求時延長）。

7. 蝕刻/離子注入（后續(xù)工藝）

? 蝕刻：以膠膜為掩膜，通過濕法（酸堿溶液）或干法（等離子體）刻蝕基板材料（如硅、金屬、玻璃）；

? 離子注入：膠膜保護未曝光區(qū)域，使雜質離子只能注入曝光區(qū)域（半導體摻雜工藝）。

8. 去膠（Strip）

? 方法：

? 濕法去膠：強氧化劑（如硫酸+雙氧水）或有機溶劑（如N-甲基吡咯烷酮NMP）；

? 干法去膠：氧等離子體灰化（半導體領域，無殘留）。

廈門UV納米光刻膠報價吉田半導體強化研發(fā)，布局下一代光刻技術。

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吉田半導體的光刻膠產(chǎn)品覆蓋芯片制造、顯示面板、PCB 及微納加工等領域，通過差異化技術（如納米壓印、厚膜工藝）和環(huán)保特性（水性配方），滿足從傳統(tǒng)電子到新興領域（如第三代半導體、Mini LED）的多樣化需求。其產(chǎn)品不僅支持高精度、高可靠性的制造工藝，還通過材料創(chuàng)新推動行業(yè)向綠色化、低成本化方向發(fā)展。吉田半導體光刻膠的優(yōu)勢在于技術全面性、環(huán)保創(chuàng)新、質量穩(wěn)定性及本土化服務，尤其在納米壓印、厚膜工藝及水性膠領域形成差異化競爭力。

廣東吉田半導體材料有限公司多種光刻膠產(chǎn)品，主要涵蓋厚板、負性、正性、納米壓印及光刻膠等類別，以滿足不同領域的需求。

厚板光刻膠：JT-3001 型號，具有優(yōu)異的分辨率和感光度，抗深蝕刻性能良好，符合歐盟 ROHS 標準，保質期 1 年。適用于對精度和抗蝕刻要求高的厚板光刻工藝，如特定電路板制造。

負性光刻膠

  • SU-3 負性光刻膠：分辨率優(yōu)異，對比度良好，曝光靈敏度高，光源適應，重量 100g。常用于對曝光精度和光源適應性要求較高的微納加工、半導體制造等領域。


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  • LCD 正性光刻膠 YK-200：具有較大曝光、高分辨率、良好涂布和附著力，重量 100g。適用于液晶顯示領域的光刻工藝，確保 LCD 生產(chǎn)中圖形精確轉移和良好涂布效果。
  • 半導體正性光刻膠 YK-300：具備耐熱耐酸、耐溶劑性、絕緣阻抗和緊密性，重量 100g。主要用于半導體制造工藝，滿足半導體器件對光刻膠在化學穩(wěn)定性和電氣性能方面的要求。
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關鍵工藝流程

 涂布與前烘：

? 旋涂或噴涂負性膠，厚度可達1-100μm（遠厚于正性膠），前烘溫度60-90℃，去除溶劑并增強附著力。

 曝光：

? 光源以**汞燈G線（436nm）**為主，適用于≥1μm線寬，曝光能量較高（約200-500mJ/cm2），需注意掩膜版與膠膜的貼合精度。

 顯影：

? 使用有機溶劑顯影液（如二甲苯、醋酸丁酯），未曝光的未交聯(lián)膠膜溶解，曝光的交聯(lián)膠膜保留。

 后處理：

? 后烘（Post-Bake）：加熱（100-150℃）進一步固化交聯(lián)結構，提升耐干法蝕刻或濕法腐蝕的能力。

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光刻膠國產(chǎn)替代的主要難點有哪些？中山PCB光刻膠生產(chǎn)廠家

 晶圓制造（前道工藝）
? 功能：在硅片表面形成高精度電路圖形，是光刻工藝的主要材料。

? 細分場景：

? 邏輯/存儲芯片：用于28nm及以上成熟制程的KrF光刻膠（分辨率0.25-1μm）、14nm以下先進制程的ArF浸沒式光刻膠（分辨率≤45nm），以及極紫外（EUV）光刻膠（目標7nm以下，研發(fā)中）。

? 功率半導體（如IGBT）：使用厚膜光刻膠（膜厚5-50μm），滿足深溝槽刻蝕需求。

? MEMS傳感器：通過高深寬比光刻膠（如SU-8）實現(xiàn)微米級結構（如加速度計、陀螺儀的懸臂梁）。

 芯片封裝（后道工藝）

? 先進封裝技術：

? Flip Chip（倒裝芯片）：用光刻膠形成凸點（Bump）下的 Redistribution Layer（RDL），線寬精度要求≤10μm。

? 2.5D/3D封裝：在硅通孔（TSV）工藝中，光刻膠用于定義通孔開口（直徑5-50μm）。

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