選擇器類型影響這些存儲(chǔ)器的成本,并且可能是生產(chǎn)這些元件的困難度的原因之一。雙端選擇器單元可以獲得理想的4f2單元面積,4f2存儲(chǔ)單元單元面積是目前所有存儲(chǔ)器可以制造的微小單元面積?；诰w管的存儲(chǔ)單元通常為8f2,但在某些情況下,可縮小至6f2。使用雙端選擇器的存儲(chǔ)單元具有另一個(gè)優(yōu)點(diǎn),也就是它們可以堆疊以進(jìn)一步降低成本。而到目前為止,還沒有公司試圖堆疊使用晶體管選擇器的存儲(chǔ)單元。雙端選擇器有兩種類型：簡單二極管和雙向選擇器。在這兩者中,二極管更容易設(shè)計(jì)。相變存儲(chǔ)器稱之為PRAM,已經(jīng)研究了幾十年,Intel聯(lián)合創(chuàng)始人GordonMoore早在1970年就發(fā)表了一篇描述早期原型的論文。相變存儲(chǔ)器通過熱能的轉(zhuǎn)變,讓相變材料在低電阻結(jié)晶(導(dǎo)電)狀態(tài)與高電阻非結(jié)晶(非導(dǎo)電)狀態(tài)間轉(zhuǎn)換。也因?yàn)檫@理由,相變存儲(chǔ)器也被歸類在阻變存儲(chǔ)器(RRAM)分類內(nèi)。鐵電存儲(chǔ)器在1987年左右就已推出,但直到20世紀(jì)90年代中期才開始商業(yè)化。雖然叫做鐵電存儲(chǔ)器,FRAM并非使用鐵電材料。該名稱源于這樣的事實(shí),即位存儲(chǔ)機(jī)制的行為類似于鐵磁存儲(chǔ)的行為,也就是滯后,滯后是磁記錄的基礎(chǔ)。FRAM的電壓-電流關(guān)系具有可用于存儲(chǔ)位的特征滯后回路。正電流將在移位時(shí)使位單元處于具有正偏置的狀態(tài)?，F(xiàn)貨系列，找原裝存儲(chǔ)器芯片就找千百路科技。浙江AT愛特梅爾存儲(chǔ)器類型劃分和使用方法
其可擴(kuò)展性使STT-MRAM可能在未來幾年成為低密度和中密度應(yīng)用之DRAM和閃存的替代方案。阻變存儲(chǔ)器,稱為ReRAM或RRAM,包括許多不同的技術(shù)類別,其中包括氧空缺存儲(chǔ)器、導(dǎo)電橋存儲(chǔ)器、金屬離子存儲(chǔ)器、憶阻器、以及,納米碳管,有些人甚至認(rèn)為相變存儲(chǔ)器也應(yīng)該包括在這一類中。所有這些技術(shù)的共同之處在于存儲(chǔ)器機(jī)制是由電阻器組成,依該電阻器處于高電阻或低電阻狀態(tài)以表示“1”或“0”。電流流過電阻器讀取它,并使用更高的電流來覆蓋它。ReRAM都承諾簡化和縮小存儲(chǔ)器單元,因?yàn)樗鼈儾灰欢ㄊ褂镁w管作為選擇器,而是使用在位單元上方或下方構(gòu)建的雙端選擇器。這不當(dāng)應(yīng)該將存儲(chǔ)單元低降到其理論微小尺寸4f2,而且還允許存儲(chǔ)單元垂直堆疊,增加芯片密度,并可降低成本。Crossbar的ReRAM中在兩個(gè)電極間夾著一種金屬氧化物材料,未編程的單元其納米導(dǎo)電金屬細(xì)絲(小于5納米寬的納米導(dǎo)電金屬細(xì)絲是由離子原子組成)沒有形成,所以不會(huì)傳導(dǎo)電流。通過在正確方向上傳遞更高的電流,納米導(dǎo)電金屬細(xì)絲會(huì)形成,金屬細(xì)絲幾乎,但不完全,橋接兩個(gè)電極。當(dāng)一個(gè)小的讀取電流以相同的方向通過單元時(shí),之后間隙會(huì)被橋接,此時(shí)該位單元變?yōu)橥耆珜?dǎo)通。一個(gè)小的反向讀取電流會(huì)造成間隙無法密合?；葜荽鎯?chǔ)器深圳存儲(chǔ)器代理，全系列存儲(chǔ)器芯片IC，性價(jià)比高。
長期被國際巨頭壟斷的存儲(chǔ)器市場(chǎng)終于迎來了中國玩家。在面對(duì)和長江存儲(chǔ)一起經(jīng)歷國產(chǎn)NANDFLASH從無到有的八家主要合作伙伴時(shí),長江存儲(chǔ)CEO楊士寧(Simon)說道：“存儲(chǔ)不是一個(gè)好做的行業(yè),我可以很負(fù)責(zé)任跟大家說,比我在英特爾做CPU還要難?！倍L江存儲(chǔ)董事長、紫光集團(tuán)董事長兼CEO趙偉國在現(xiàn)場(chǎng)也坦言,從2016年7月成立到現(xiàn)在三年多,長江存儲(chǔ)這一“中國半導(dǎo)體有史以來比較大的項(xiàng)目”,經(jīng)歷了從32層到64層研發(fā),過程非常不容易,“回想這三年多,真的是有一種雄關(guān)漫道真如鐵的感覺。”與此同時(shí),經(jīng)歷了一年多大蕭條的存儲(chǔ)器市場(chǎng)逐漸回暖,長江存儲(chǔ)這一國產(chǎn)存儲(chǔ)器廠商將迎來發(fā)展良機(jī)。“超出預(yù)期”存儲(chǔ)器約占全球半導(dǎo)體產(chǎn)值的三分之一,市場(chǎng)高度集中。市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)信息顯示,2019年第三季度,三星、鎧俠、西部數(shù)據(jù)、美光、英特爾和SK海力士六家占據(jù)了全球Flash市場(chǎng)份額。趙偉國稱其是一個(gè)“非常血性的行業(yè),非常慘烈”。不過,被客戶評(píng)價(jià)“踏實(shí)、不虛浮”的楊士寧對(duì)自己的產(chǎn)品較為自信,“這是我們前列次全線推出Xtacking技術(shù),我們?cè)?4層這一代存儲(chǔ)密度達(dá)到了全球比較好,和競爭對(duì)手96層的產(chǎn)品差距在10%之內(nèi)。所以只要我們有規(guī)模。
ATMEL的非易失性存儲(chǔ)技術(shù)：作為非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)元老,ATMEL將把非易失性這個(gè)重要技術(shù)集成到為計(jì)算和消費(fèi)產(chǎn)品服務(wù)的復(fù)雜產(chǎn)品之中,例如PC,存儲(chǔ)產(chǎn)品,DVD,娛樂平臺(tái),游戲產(chǎn)品和玩具等。除了與不斷涌現(xiàn)的電子設(shè)備制造商建立合作關(guān)系外,ATMEL的高密度存儲(chǔ)器產(chǎn)品、微控制器和ASIC同樣可以應(yīng)用到工控、圖像處理和汽車設(shè)備上。ATMEL公司是是世界上高級(jí)半導(dǎo)體產(chǎn)品設(shè)計(jì)、制造和行銷的先導(dǎo)者,產(chǎn)品包括了微處理器、可編程邏輯器件、非易失性存儲(chǔ)器、安全芯片、混合信號(hào)及RF射頻集成電路。通過這些重要技術(shù)的組合,ATMEL生產(chǎn)出了各種通用目的及特定應(yīng)用的系統(tǒng)級(jí)芯片,以滿足當(dāng)今電子工程師不斷增長和演進(jìn)的需求。高性能進(jìn)口全系列存儲(chǔ)器芯片。
隨著計(jì)算機(jī)技術(shù)的不斷發(fā)展，存儲(chǔ)器的種類也在不斷增加。除了傳統(tǒng)的內(nèi)存、外存和緩存之外，還有一些新型存儲(chǔ)器正在逐漸成為主流。其中比較有代表性的是固態(tài)硬盤（SSD）和閃存存儲(chǔ)器。固態(tài)硬盤是一種新型的存儲(chǔ)器設(shè)備，它采用閃存芯片作為存儲(chǔ)介質(zhì)，具有讀取和寫入速度快、耐用、低功耗等優(yōu)點(diǎn)。相比傳統(tǒng)的機(jī)械硬盤，固態(tài)硬盤的讀取和寫入速度可以提高數(shù)倍，可以**提高計(jì)算機(jī)的運(yùn)行速度。此外，固態(tài)硬盤還具有抗震、耐用、低功耗等優(yōu)點(diǎn)，可以有效地提高計(jì)算機(jī)的性能和穩(wěn)定性。閃存存儲(chǔ)器是一種小型、便攜式的存儲(chǔ)器設(shè)備，它通常用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)和文件。閃存存儲(chǔ)器具有體積小、重量輕、讀取和寫入速度快等優(yōu)點(diǎn)，可以方便地?cái)y帶和使用。閃存存儲(chǔ)器通常有U盤、SD卡、TF卡等多種形式，可以滿足不同用戶的需求?？傊?，隨著計(jì)算機(jī)技術(shù)的不斷發(fā)展，存儲(chǔ)器的種類也在不斷增加。固態(tài)硬盤和閃存存儲(chǔ)器是比較有代表性的新型存儲(chǔ)器，它們具有讀取和寫入速度快、耐用、低功耗等優(yōu)點(diǎn)，可以**提高計(jì)算機(jī)的性能和穩(wěn)定性。存儲(chǔ)器在我們?nèi)粘Ｉ钪衅鸬侥男┳饔?？深圳掩膜只讀存儲(chǔ)器全型號(hào)
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之前部分研究者采用將NOR閃存作為主存，可以解決計(jì)算機(jī)掉電數(shù)據(jù)丟失問題，但是閃存有擦寫次數(shù)有限，隨機(jī)寫性能較差，寫延遲較大等的缺點(diǎn)，而采用相變存儲(chǔ)器或者基于相變存儲(chǔ)器的異構(gòu)主存方法可以更好地解決上述問題；②相變存儲(chǔ)器的隨機(jī)讀寫性能能夠有效地解決大規(guī)?？茖W(xué)計(jì)算中小粒度隨機(jī)I/O對(duì)磁盤訪問所造成的I/O瓶頸，用相變存儲(chǔ)器代替?zhèn)鹘y(tǒng)的硬盤具有很大的優(yōu)勢(shì)；③閃存和相變存儲(chǔ)器都是新型非易失性存儲(chǔ)器，沒有機(jī)械裝置并且可隨機(jī)讀寫，但是和相變存儲(chǔ)器相比，閃存的讀寫性能略顯不足，特別是寫入前需要整塊擦除的缺陷，導(dǎo)致閃存只能通過一系列更加復(fù)雜的技術(shù)化才能替代存儲(chǔ)系統(tǒng)的部分功能。浙江AT愛特梅爾存儲(chǔ)器類型劃分和使用方法