AT89S52是一種低功耗、高性能CMOS8位微控制器，是具有8K系統(tǒng)可編程Flash存儲(chǔ)器。使用Atmel公司高密度非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)制造，與工業(yè)80C51產(chǎn)品指令和引腳完全兼容。片上Flash允許程序存儲(chǔ)器在系統(tǒng)內(nèi)編程，亦適于常規(guī)編程器。在單芯片上，擁有靈巧的8位CPU和在系統(tǒng)可編程Flash，使得AT89S52在眾多嵌入式控制應(yīng)用系統(tǒng)中得到廣泛應(yīng)用。主要性能1、與MCS-51單片機(jī)產(chǎn)品兼容;2、8K字節(jié)在系統(tǒng)可編程Flash存儲(chǔ)器;3、1000次擦寫周期;4、全靜態(tài)操作:0Hz-33MHz;5、三級加密程序存儲(chǔ)器;6、32個(gè)可編程I/O口線;7、三個(gè)16位定時(shí)器/計(jì)數(shù)器;8、6個(gè)中斷源;9、全雙工UART串行通道;10、低功耗空閑和掉電模式;11、掉電后中斷可喚醒;12、看門狗定時(shí)器;13、雙數(shù)據(jù)指針;14、掉電標(biāo)識(shí)符。14、掉電標(biāo)識(shí)符。深圳進(jìn)口芯片，深圳原裝IC，原廠現(xiàn)貨經(jīng)銷。肇慶折疊可編程只讀存儲(chǔ)器全系列
SRAM的主要用途---主要用于二級高速緩存（Level2Cache)。它利用晶體管來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。與DRAM相比，SRAM的速度快，但在相同面積中SRAM的容量要比其他類型的內(nèi)存小。SRAM的速度快但昂貴，一般用小容量的SRAM作為更高速CPU和較低速DRAM之間的緩存（cache）.SRAM也有許多種，如AsyncSRAM(AsynchronousSRAM，異步SRAM）、SyncSRAM(SynchronousSRAM，同步SRAM）、PBSRAM(PipelinedBurstSRAM，流水式突發(fā)SRAM），還有INTEL沒有公布細(xì)節(jié)的CSRAM等。SRAM一般可分為五大部分：存儲(chǔ)單元陣列（corecellsarray），行/列地址譯碼器(decode），靈敏放大器(SenseAmplifier），控制電路（controlcircuit），緩沖/驅(qū)動(dòng)電路（FFIO）。SRAM是靜態(tài)存儲(chǔ)方式，以雙穩(wěn)態(tài)電路作為存儲(chǔ)單元，SRAM不像DRAM一樣需要不斷刷新，而且工作速度較快，但由于存儲(chǔ)單元器件較多，集成度不太高，功耗也較大。溫州掩膜只讀存儲(chǔ)器怎么樣存儲(chǔ)器芯片IC系列，深圳千百路工業(yè)科技有限公司專業(yè)提供全系列進(jìn)口存儲(chǔ)器。
當(dāng)需要把數(shù)據(jù)寫入芯片時(shí)，行列地址先后將RAS和CAS鎖存在芯片內(nèi)部，然后，WE有效，加上要寫入的數(shù)據(jù)，則將該數(shù)據(jù)寫入選中的存貯單元。由于電容不可能長期保持電荷不變，必須定時(shí)對動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)電路的各存儲(chǔ)單元執(zhí)行重讀操作，以保持電荷穩(wěn)定，這個(gè)過程稱為動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器刷新。PC/XT機(jī)中DRAM的刷新是利用DMA實(shí)現(xiàn)的。首先應(yīng)用可編程定時(shí)器8253的計(jì)數(shù)器1，每隔1⒌12μs產(chǎn)生一次DMA請求，該請求加在DMA控制器的0通道上。當(dāng)DMA控制器0通道的請求得到響應(yīng)時(shí)，DMA控制器送出到刷新地址信號，對動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器執(zhí)行讀操作，每讀一次刷新一行。
ATMEL的質(zhì)量體系一：ATMEL在各個(gè)層次都對質(zhì)量有明確的承諾。所有的ATMEL地點(diǎn)都經(jīng)過ISO9001認(rèn)證，大多數(shù)經(jīng)過QS9000認(rèn)證，有一些還通過了旨在保護(hù)環(huán)境的ISO14001認(rèn)證。所有ATMEL的運(yùn)作都受公司內(nèi)部詳細(xì)的質(zhì)量規(guī)范所控制，并定期進(jìn)行回顧和更新。其目的就是進(jìn)行持續(xù)不斷的改進(jìn)，提高客戶的總體滿意度。ATMDL的質(zhì)量體系二：ATMEL的質(zhì)量小組與客戶合作進(jìn)行質(zhì)量審計(jì)，以保證ATMEL符合客戶的質(zhì)量要求。從客戶項(xiàng)目獲得的經(jīng)驗(yàn)將反饋到下一次產(chǎn)品的生產(chǎn)。ATMEL保持產(chǎn)品和技術(shù)更新的方法是已經(jīng)在實(shí)行的研究和開發(fā)的合作。研發(fā)項(xiàng)目與主要客戶和大學(xué)合作進(jìn)行，從而獲得先進(jìn)的功能模塊，以及工藝技術(shù)的改進(jìn)。進(jìn)口芯片代理，存儲(chǔ)器全系列，服務(wù)好，價(jià)格優(yōu)惠，專業(yè)技術(shù)團(tuán)體。
存儲(chǔ)器的分類：按存儲(chǔ)介質(zhì)分1、半導(dǎo)體存儲(chǔ)器：用半導(dǎo)體器件組成的存儲(chǔ)器。2、磁表面存儲(chǔ)器：用磁性材料做成的存儲(chǔ)器。折疊按存儲(chǔ)方式分1、隨機(jī)存儲(chǔ)器：任何存儲(chǔ)單元的內(nèi)容都能被隨機(jī)存取，且存取時(shí)間和存儲(chǔ)單元的物理位置無關(guān)。2、順序存儲(chǔ)器：只能按某種順序來存取，存取時(shí)間和存儲(chǔ)單元的物理位置有關(guān)。折疊按存儲(chǔ)器的讀寫功能分1、只讀存儲(chǔ)器(ROM)：存儲(chǔ)的內(nèi)容是固定不變的，只能讀出而不能寫入的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器。2、隨機(jī)讀寫存儲(chǔ)器(RAM)：既能讀出又能寫入的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器。存儲(chǔ)器芯片庫存報(bào)價(jià)?；ǘ柬樞虼鎯?chǔ)器全型號
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SRAM的主要規(guī)格--一種是置于cpu與主存間的高速緩存，分兩種規(guī)格：一種是固定在主板上的高速緩存（CacheMemory）；另一種是插在卡槽上的COAST（CacheOnAStick）擴(kuò)充用的高速緩存，另外在CMOS芯片1468l8的電路里，它的內(nèi)部也有較小容量的128字節(jié)SRAM，存儲(chǔ)我們所設(shè)置的配置數(shù)據(jù)。還有為了加速CPU內(nèi)部數(shù)據(jù)的傳送，自80486CPU起，在CPU的內(nèi)部也設(shè)計(jì)有高速緩存，故在PentiumCPU就有所謂的L1Cache（一級高速緩存）和L2Cache（二級高速緩存）的名詞，一般L1Cache是建在CPU的內(nèi)部，L2Cache是設(shè)計(jì)在CPU的外部，但是PentiumPro把L1和L2Cache同時(shí)設(shè)計(jì)在CPU的內(nèi)部，故PentiumPro的體積較大。PentiumⅡ又把L2Cache移至CPU內(nèi)核之外的黑盒子里。SRAM速度快，不需要刷新操作，缺點(diǎn)是價(jià)格高，體積大，所以在主板上還不能作為用量較大的主存。肇慶折疊可編程只讀存儲(chǔ)器全系列
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