SRAM主要用于二級高速緩存（Level2Cache)。它利用晶體管來存儲數(shù)據(jù)。與DRAM相比，SRAM的速度快，但在相同面積中SRAM的容量要比其他類型的內(nèi)存小。SRAM的速度快但昂貴，一般用小容量的SRAM作為更高速CPU和較低速DRAM之間的緩存（cache）.SRAM也有許多種，如AsyncSRAM(AsynchronousSRAM，異步SRAM）、SyncSRAM(SynchronousSRAM，同步SRAM）、PBSRAM(PipelinedBurstSRAM，流水式突發(fā)SRAM），還有INTEL沒有公布細(xì)節(jié)的CSRAM等?；镜腟RAM的架構(gòu)如圖1所示，SRAM一般可分為五大部分：存儲單元陣列（corecellsarray），行/列地址譯碼器(decode），靈敏放大器(SenseAmplifier），控制電路（controlcircuit），緩沖/驅(qū)動電路（FFIO）。SRAM是靜態(tài)存儲方式，以雙穩(wěn)態(tài)電路作為存儲單元，SRAM不像DRAM一樣需要不斷刷新，而且工作速度較快，但由于存儲單元器件較多，集成度不太高，功耗也較大。[2]深圳進(jìn)口芯片代理，電子元器件配套服務(wù)，專業(yè)技術(shù)團(tuán)隊。浙江隨機(jī)存儲器組成
近年來，我國智能手機(jī)、物聯(lián)網(wǎng)、智能可穿戴設(shè)備、服務(wù)器等消費電子產(chǎn)品迅速增長，應(yīng)用場景更加廣，對存儲器需求進(jìn)一步提升。應(yīng)用場景包括在所有類型的計算機(jī)系統(tǒng)、移動電話等移動裝置、數(shù)據(jù)記錄設(shè)備、打印機(jī)、控制系統(tǒng)、智能終端、物聯(lián)網(wǎng)、安防監(jiān)控、工業(yè)控制、汽車電子以及個人移動存儲等領(lǐng)域。車規(guī)級存儲器并進(jìn)入了部分汽車行業(yè)客戶的供應(yīng)鏈體系。消費電子也是存儲器芯片的應(yīng)用場景之一。工規(guī)級存儲器屬于嵌入式存儲芯片系列，也是重點發(fā)展的方向。增城順序存儲器進(jìn)口芯片代理，存儲器全系列，服務(wù)好，價格優(yōu)惠，專業(yè)技術(shù)團(tuán)體。
AT24C02是Ateml公司的2KB的電可擦除存儲芯片，采用兩線。是一個在突然掉電的情況下存儲數(shù)據(jù)的芯片，即掉電存儲。1.數(shù)據(jù)線上的看門狗定時器。2.可編程復(fù)位門欄電平。3.高數(shù)據(jù)傳送速率為400KHz和IIC總線兼容。4.2.7V至7V的工作電壓。5.低功耗CMOS工藝。6.8字節(jié)頁寫緩沖區(qū)。7.片內(nèi)防誤擦除寫保護(hù)。8.高低電平復(fù)位信號輸出。9.100萬次擦寫周期。10.數(shù)據(jù)保存可達(dá)100年。11.商業(yè)級、工業(yè)級和汽車溫度范圍。AT24C02的存儲容量為2Kbit，內(nèi)容分成32頁，每頁8Byte，共256Byte，操作時有兩種尋址方式:芯片尋址和片內(nèi)子地址尋址。(1)芯片尋址:AT24C02的芯片地址為1010，其地址控制字格式為1010A2A1A0R/W。其中A2，A1，A0可編程地址選擇位。A2，A1，A0引腳接高、低電平后得到確定的三位編碼，與1010形成7位編碼，即為該器件的地址碼。R/W為芯片讀寫控制位，該位為0，表示芯片進(jìn)行寫操作。(2)片內(nèi)子地址尋址:芯片尋址可對內(nèi)部256B中的任一個進(jìn)行讀/寫操作，其尋址范圍為00~FF，共256個尋址單位。
eMRAM可以作為工作內(nèi)存和企業(yè)級存儲的高速緩存等使用，輔以其具備的非易失性優(yōu)勢，使得采用eMRAM作為存儲解決方案的電子設(shè)備在具備高速運算能力的同時，實現(xiàn)低功耗。集成密度高、隨工藝節(jié)點等比微縮：集成密度高，指的是單位面積內(nèi)存儲容量大，高于eSRAM，因此成本低。隨工藝節(jié)點等比微縮，指的是隨著技術(shù)工藝的持續(xù)微小化，eMRAM的存儲單元尺寸可相應(yīng)等比例縮?。晌⒖s到7納米及以下），而eFlash因受到自身物理機(jī)理的限制，在28納米以下工藝節(jié)點便無法繼續(xù)微縮。eMRAM可持續(xù)發(fā)展性（技術(shù)壽命周期長），是工業(yè)界在考量該項新興技術(shù)時關(guān)注的一點；天然抗輻射：同傳統(tǒng)的存儲技術(shù)相比，eMRAM的存儲器件MTJ具有天然抗輻射能力。因而使其在航空、航天領(lǐng)域的應(yīng)用中占有重要地位。磁性存儲器是獲得美國國家航空航天局（NASA）宇航應(yīng)用認(rèn)證的新型非易失性存儲器。全新全型號存儲芯片品質(zhì)服務(wù)，服務(wù)生產(chǎn)廠家和經(jīng)銷商。
目前，國內(nèi)外企業(yè)、研究機(jī)構(gòu)等對于相變存儲器的研發(fā)正加速推進(jìn)，其商業(yè)化的布局已經(jīng)展開。近年來，我國在相變存儲器領(lǐng)域的研究穩(wěn)步進(jìn)行，結(jié)合芯片制造與集成工藝的設(shè)計，形成自身的研究特色。存儲器新技術(shù)的快速發(fā)展將給我們帶來彎道超車的機(jī)會，未來相變存儲技術(shù)的突破將加速我國芯片產(chǎn)業(yè)自主化進(jìn)程。PCM器件的典型結(jié)構(gòu)由頂部電極、晶態(tài)GST、α/晶態(tài)GST[、熱絕緣體、電阻（加熱器）、底部電極組成。相變存儲器主要可以用來替代計算機(jī)主存、硬盤和閃存：①相變存儲器訪問相應(yīng)時間短，并且具有字節(jié)可尋址特性，其寫延遲約為DRAM的10倍，使他在設(shè)計參考中固件代碼的直接執(zhí)行上顯現(xiàn)出優(yōu)勢，并研究用來作為DRAM的替代品，傳統(tǒng)使用的DRAM的方法是在計算機(jī)斷電后主存的數(shù)據(jù)全部丟失，計算機(jī)重啟需要重新從外存讀取操作系統(tǒng)數(shù)據(jù)，消耗較多時間。存儲器芯片IC哪家好？選擇千百路科技，服務(wù)好，價格實惠，現(xiàn)貨庫存。上海非易失性存儲器組成
存儲器芯片代理分銷，千百路科技服務(wù)眾多電子科技企業(yè)，提供全系列存儲器芯片IC。浙江隨機(jī)存儲器組成
近年來，非易失性存儲技術(shù)在許多方面都取得了一些重大的進(jìn)展，為計算機(jī)系統(tǒng)的存儲能效提升帶來了新的契機(jī)，研究者們建議采用新型NVM技術(shù)來替代傳統(tǒng)的存儲技術(shù)，以適應(yīng)計算機(jī)技術(shù)發(fā)展對高存儲能效的需求。以相變存儲器為主的多種新型NVM技術(shù)因具備高集成度、低功耗等特點而受到國內(nèi)外研究者的關(guān)注。特別地，PCRAM因其具備非易失性、可字節(jié)尋址等特性而同時具備作為主存和外存的潛力，在其影響下，主存和外存之間的界限也正在逐漸變得模糊，甚至有可能對未來的存儲體系結(jié)構(gòu)帶來重大的變革。因此，它被認(rèn)為是極具發(fā)展前景、比較有可能完全替代DRAM的新型NVM技術(shù)之一。浙江隨機(jī)存儲器組成
深圳市千百路工業(yè)科技有限公司坐落于深圳市寶安區(qū)石巖街道石龍社區(qū)德政路9號利興公寓1505，是集設(shè)計、開發(fā)、生產(chǎn)、銷售、售后服務(wù)于一體，電子元器件的貿(mào)易型企業(yè)。公司在行業(yè)內(nèi)發(fā)展多年，持續(xù)為用戶提供整套電子元器件，集成電路，IC集成塊，主控芯片的解決方案。公司具有電子元器件，集成電路，IC集成塊，主控芯片等多種產(chǎn)品，根據(jù)客戶不同的需求，提供不同類型的產(chǎn)品。公司擁有一批熱情敬業(yè)、經(jīng)驗豐富的服務(wù)團(tuán)隊，為客戶提供服務(wù)。MICROCHIP,美國微芯,微盟電子,三星,AT愛特梅爾,旺詮,厚聲,三星,TDK,國巨,京瓷以符合行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的產(chǎn)品質(zhì)量為目標(biāo)，并始終如一地堅守這一原則，正是這種高標(biāo)準(zhǔn)的自我要求，產(chǎn)品獲得市場及消費者的高度認(rèn)可。深圳市千百路工業(yè)科技有限公司本著先做人，后做事，誠信為本的態(tài)度，立志于為客戶提供電子元器件，集成電路，IC集成塊，主控芯片行業(yè)解決方案，節(jié)省客戶成本。歡迎新老客戶來電咨詢。