動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器(DRAM)的工作原理----動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器每片只有一條輸入數(shù)據(jù)線，而地址引腳只有8條。為了形成64K地址，必須在系統(tǒng)地址總線和芯片地址引線之間專門設(shè)計(jì)一個(gè)地址形成電路。使系統(tǒng)地址總線信號(hào)能分時(shí)地加到8個(gè)地址的引腳上，借助芯片內(nèi)部的行鎖存器、列鎖存器和譯碼電路選定芯片內(nèi)的存儲(chǔ)單元，鎖存信號(hào)也靠著外部地址電路產(chǎn)生。當(dāng)要從DRAM芯片中讀出數(shù)據(jù)時(shí)，CPU首先將行地址加在A0-A7上，而后送出RAS鎖存信號(hào)，該信號(hào)的下降沿將地址鎖存在芯片內(nèi)部。接著將列地址加到芯片的A0-A7上，再送CAS鎖存信號(hào)，也是在信號(hào)的下降沿將列地址鎖存在芯片內(nèi)部。然后保持WE=1，則在CAS有效期間數(shù)據(jù)輸出并保持。存儲(chǔ)器芯片代理，提供全系列進(jìn)口原裝存儲(chǔ)器IC-歡迎垂詢。靜態(tài)只讀存儲(chǔ)器作用
AT24C02功能描述：支持I2C，總線數(shù)據(jù)傳送協(xié)議I2C，總線協(xié)議規(guī)定任何將數(shù)據(jù)傳送到總線的器件作為發(fā)送器。任何從總線接收數(shù)據(jù)的器件為接收器。數(shù)據(jù)傳送是由產(chǎn)生串行時(shí)鐘和所有起始停止信號(hào)的主器件控制的。主器件和從器件都可以作為發(fā)送器或接收器，但由主器件控制傳送數(shù)據(jù)(發(fā)送或接收)的模式，由于A0、A1和A2可以組成000~111八種情況，即通過(guò)器件地址輸入端A0、A1和A2可以實(shí)現(xiàn)將比較多8個(gè)AT24C02器件連接到總線上，通過(guò)進(jìn)行不同的配置進(jìn)行選擇器件。廣東可編程存儲(chǔ)器專賣找原裝芯片，進(jìn)口存儲(chǔ)器芯片，千百路科技提供專業(yè)的全系列存儲(chǔ)IC。
eMRAM可以作為工作內(nèi)存和企業(yè)級(jí)存儲(chǔ)的高速緩存等使用，輔以其具備的非易失性優(yōu)勢(shì)，使得采用eMRAM作為存儲(chǔ)解決方案的電子設(shè)備在具備高速運(yùn)算能力的同時(shí)，實(shí)現(xiàn)低功耗。集成密度高、隨工藝節(jié)點(diǎn)等比微縮：集成密度高，指的是單位面積內(nèi)存儲(chǔ)容量大，高于eSRAM，因此成本低。隨工藝節(jié)點(diǎn)等比微縮，指的是隨著技術(shù)工藝的持續(xù)微小化，eMRAM的存儲(chǔ)單元尺寸可相應(yīng)等比例縮?。晌⒖s到7納米及以下），而eFlash因受到自身物理機(jī)理的限制，在28納米以下工藝節(jié)點(diǎn)便無(wú)法繼續(xù)微縮。eMRAM可持續(xù)發(fā)展性（技術(shù)壽命周期長(zhǎng)），是工業(yè)界在考量該項(xiàng)新興技術(shù)時(shí)關(guān)注的一點(diǎn)；天然抗輻射：同傳統(tǒng)的存儲(chǔ)技術(shù)相比，eMRAM的存儲(chǔ)器件MTJ具有天然抗輻射能力。因而使其在航空、航天領(lǐng)域的應(yīng)用中占有重要地位。磁性存儲(chǔ)器是獲得美國(guó)國(guó)家航空航天局（NASA）宇航應(yīng)用認(rèn)證的新型非易失性存儲(chǔ)器。
近年來(lái)，我國(guó)智能手機(jī)、物聯(lián)網(wǎng)、智能可穿戴設(shè)備、服務(wù)器等消費(fèi)電子產(chǎn)品迅速增長(zhǎng)，應(yīng)用場(chǎng)景更加廣，對(duì)存儲(chǔ)器需求進(jìn)一步提升。應(yīng)用場(chǎng)景包括在所有類型的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)、移動(dòng)電話等移動(dòng)裝置、數(shù)據(jù)記錄設(shè)備、打印機(jī)、控制系統(tǒng)、智能終端、物聯(lián)網(wǎng)、安防監(jiān)控、工業(yè)控制、汽車電子以及個(gè)人移動(dòng)存儲(chǔ)等領(lǐng)域。車規(guī)級(jí)存儲(chǔ)器并進(jìn)入了部分汽車行業(yè)客戶的供應(yīng)鏈體系。消費(fèi)電子也是存儲(chǔ)器芯片的應(yīng)用場(chǎng)景之一。工規(guī)級(jí)存儲(chǔ)器屬于嵌入式存儲(chǔ)芯片系列，也是重點(diǎn)發(fā)展的方向。專業(yè)提供進(jìn)口原裝存儲(chǔ)器芯片、國(guó)產(chǎn)原裝大品牌電源管理芯片。
SRAM主要用于二級(jí)高速緩存（Level2Cache)。它利用晶體管來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。與DRAM相比，SRAM的速度快，但在相同面積中SRAM的容量要比其他類型的內(nèi)存小。SRAM的速度快但昂貴，一般用小容量的SRAM作為更高速CPU和較低速DRAM之間的緩存（cache）.SRAM也有許多種，如AsyncSRAM(AsynchronousSRAM，異步SRAM）、SyncSRAM(SynchronousSRAM，同步SRAM）、PBSRAM(PipelinedBurstSRAM，流水式突發(fā)SRAM），還有INTEL沒(méi)有公布細(xì)節(jié)的CSRAM等。基本的SRAM的架構(gòu)如圖1所示，SRAM一般可分為五大部分：存儲(chǔ)單元陣列（corecellsarray），行/列地址譯碼器(decode），靈敏放大器(SenseAmplifier），控制電路（controlcircuit），緩沖/驅(qū)動(dòng)電路（FFIO）。SRAM是靜態(tài)存儲(chǔ)方式，以雙穩(wěn)態(tài)電路作為存儲(chǔ)單元，SRAM不像DRAM一樣需要不斷刷新，而且工作速度較快，但由于存儲(chǔ)單元器件較多，集成度不太高，功耗也較大。[2]進(jìn)口芯片代理，存儲(chǔ)器全系列，服務(wù)好，價(jià)格優(yōu)惠，專業(yè)技術(shù)團(tuán)體。上?？勺x可寫(xiě)存儲(chǔ)器需多少錢
進(jìn)口芯片廠家，原廠存儲(chǔ)器芯片現(xiàn)貨，深圳代理經(jīng)銷商提供一站式服務(wù)。靜態(tài)只讀存儲(chǔ)器作用
近年來(lái)，非易失性存儲(chǔ)技術(shù)在許多方面都取得了一些重大的進(jìn)展，為計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的存儲(chǔ)能效提升帶來(lái)了新的契機(jī)，研究者們建議采用新型NVM技術(shù)來(lái)替代傳統(tǒng)的存儲(chǔ)技術(shù)，以適應(yīng)計(jì)算機(jī)技術(shù)發(fā)展對(duì)高存儲(chǔ)能效的需求。以相變存儲(chǔ)器為主的多種新型NVM技術(shù)因具備高集成度、低功耗等特點(diǎn)而受到國(guó)內(nèi)外研究者的關(guān)注。特別地，PCRAM因其具備非易失性、可字節(jié)尋址等特性而同時(shí)具備作為主存和外存的潛力，在其影響下，主存和外存之間的界限也正在逐漸變得模糊，甚至有可能對(duì)未來(lái)的存儲(chǔ)體系結(jié)構(gòu)帶來(lái)重大的變革。因此，它被認(rèn)為是極具發(fā)展前景、比較有可能完全替代DRAM的新型NVM技術(shù)之一。靜態(tài)只讀存儲(chǔ)器作用
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