ATMEL的主要市場。ATMEL專注于高增長的電子設備市場，如通訊、計算、消費類產品、安全產品、汽車電子和工業(yè)應用。在通訊領域，ATMEL可以提供一系列從手機的FLASH存儲器到無線語音和數(shù)據(jù)通訊所需的復雜元件和芯片集。不斷壯大的基帶控制器和射頻元件家族則瞄準了傳統(tǒng)的市場以及新興的市場，如WLAN和藍牙，以及正為網(wǎng)絡和消費產品快速接受的高帶寬無線互連技術。根據(jù)預測，隨著移動電話技術從2.5G到3G的演進，一個基于公共通訊協(xié)議UMTS，地域上覆蓋歐洲、USA和亞洲，數(shù)量高達幾十億的手機市場將得以產生。ATMEL可以為這個市場提供基于SiGe工藝的RF射頻元件，基帶處理器和非易失性存儲器。作為非易失性存儲器技術的創(chuàng)建之父，ATMEL將繼續(xù)把這個重要能力集成到為計算和消費產品（比如PC，存儲產品，DVD，娛樂平臺，游戲和玩具）服務的復雜產品之中。除了與不斷涌現(xiàn)的電子設備制造商建立合作關系之外，ATMEL的高密度存儲器產品、微控制器和ASIC同樣可以應用到工業(yè)控制、圖像處理和汽車設備?！盖О俾饭I(yè)」-專注存儲器芯片經(jīng)營，多種品牌原裝芯片IC，多種解決方案，優(yōu)化廠家生產。肇慶存儲器
eMRAM可以作為工作內存和企業(yè)級存儲的高速緩存等使用，輔以其具備的非易失性優(yōu)勢，使得采用eMRAM作為存儲解決方案的電子設備在具備高速運算能力的同時，實現(xiàn)低功耗。集成密度高、隨工藝節(jié)點等比微縮：集成密度高，指的是單位面積內存儲容量大，高于eSRAM，因此成本低。隨工藝節(jié)點等比微縮，指的是隨著技術工藝的持續(xù)微小化，eMRAM的存儲單元尺寸可相應等比例縮小（可微縮到7納米及以下），而eFlash因受到自身物理機理的限制，在28納米以下工藝節(jié)點便無法繼續(xù)微縮。eMRAM可持續(xù)發(fā)展性（技術壽命周期長），是工業(yè)界在考量該項新興技術時關注的一點；天然抗輻射：同傳統(tǒng)的存儲技術相比，eMRAM的存儲器件MTJ具有天然抗輻射能力。因而使其在航空、航天領域的應用中占有重要地位。磁性存儲器是獲得美國國家航空航天局（NASA）宇航應用認證的新型非易失性存儲器。南京掩膜只讀存儲器分類專業(yè)提供進口原裝存儲器芯片、國產原裝大品牌電源管理芯片。
SRAM的特點---SRAM是英文StaticRAM的縮寫，它是一種具有靜止存取功能的內存，不需要刷新電路即能保存它內部存儲的數(shù)據(jù)。而DRAM（DynamicRandomAccessMemory)每隔一段時間，要刷新充電一次，否則內部的數(shù)據(jù)即會消失，因此SRAM具有較高的性能，缺點是集成度較低，功耗較DRAM大，相同容量的DRAM內存可以設計為較小的體積，但是SRAM卻需要很大的體積。同樣面積的硅片可以做出更大容量的DRAM，因此SRAM顯得更貴。基本特點特點歸納：◎優(yōu)點，速度快，不必配合內存刷新電路，可提高整體的工作效率?！蛉秉c，集成度低，功耗較大，相同的容量體積較大，而且價格較高，少量用于關鍵性系統(tǒng)以提高效率。◎SRAM使用的系統(tǒng)：○CPU與主存之間的高速緩存?！餋PU內部的L1/L2或外部的L2高速緩存。○CPU外部擴充用的COAST高速緩存?！餋MOS146818芯片(RT&CMOSSRAM)。
存儲器的分類：按存儲介質分1、半導體存儲器：用半導體器件組成的存儲器。2、磁表面存儲器：用磁性材料做成的存儲器。折疊按存儲方式分1、隨機存儲器：任何存儲單元的內容都能被隨機存取，且存取時間和存儲單元的物理位置無關。2、順序存儲器：只能按某種順序來存取，存取時間和存儲單元的物理位置有關。折疊按存儲器的讀寫功能分1、只讀存儲器(ROM)：存儲的內容是固定不變的，只能讀出而不能寫入的半導體存儲器。2、隨機讀寫存儲器(RAM)：既能讀出又能寫入的半導體存儲器。存儲器芯片庫存報價。
目前，國內外企業(yè)、研究機構等對于相變存儲器的研發(fā)正加速推進，其商業(yè)化的布局已經(jīng)展開。近年來，我國在相變存儲器領域的研究穩(wěn)步進行，結合芯片制造與集成工藝的設計，形成自身的研究特色。存儲器新技術的快速發(fā)展將給我們帶來彎道超車的機會，未來相變存儲技術的突破將加速我國芯片產業(yè)自主化進程。PCM器件的典型結構由頂部電極、晶態(tài)GST、α/晶態(tài)GST[、熱絕緣體、電阻（加熱器）、底部電極組成。相變存儲器主要可以用來替代計算機主存、硬盤和閃存：①相變存儲器訪問相應時間短，并且具有字節(jié)可尋址特性，其寫延遲約為DRAM的10倍，使他在設計參考中固件代碼的直接執(zhí)行上顯現(xiàn)出優(yōu)勢，并研究用來作為DRAM的替代品，傳統(tǒng)使用的DRAM的方法是在計算機斷電后主存的數(shù)據(jù)全部丟失，計算機重啟需要重新從外存讀取操作系統(tǒng)數(shù)據(jù)，消耗較多時間。深圳存儲器代理商，深圳進口芯片經(jīng)銷商。福州可讀可寫存儲器
深圳存儲器IC芯片，全系列存儲器多庫存，提供樣品，元器件配套。肇慶存儲器
動態(tài)存儲器(DRAM)的工作原理----動態(tài)存儲器每片只有一條輸入數(shù)據(jù)線，而地址引腳只有8條。為了形成64K地址，必須在系統(tǒng)地址總線和芯片地址引線之間專門設計一個地址形成電路。使系統(tǒng)地址總線信號能分時地加到8個地址的引腳上，借助芯片內部的行鎖存器、列鎖存器和譯碼電路選定芯片內的存儲單元，鎖存信號也靠著外部地址電路產生。當要從DRAM芯片中讀出數(shù)據(jù)時，CPU首先將行地址加在A0-A7上，而后送出RAS鎖存信號，該信號的下降沿將地址鎖存在芯片內部。接著將列地址加到芯片的A0-A7上，再送CAS鎖存信號，也是在信號的下降沿將列地址鎖存在芯片內部。然后保持WE=1，則在CAS有效期間數(shù)據(jù)輸出并保持。肇慶存儲器
深圳市千百路工業(yè)科技有限公司是一家有著先進的發(fā)展理念，先進的管理經(jīng)驗，在發(fā)展過程中不斷完善自己，要求自己，不斷創(chuàng)新，時刻準備著迎接更多挑戰(zhàn)的活力公司，在廣東省等地區(qū)的電子元器件中匯聚了大量的人脈以及客戶資源，在業(yè)界也收獲了很多良好的評價，這些都源自于自身的努力和大家共同進步的結果，這些評價對我們而言是最好的前進動力，也促使我們在以后的道路上保持奮發(fā)圖強、一往無前的進取創(chuàng)新精神，努力把公司發(fā)展戰(zhàn)略推向一個新高度，在全體員工共同努力之下，全力拼搏將共同深圳市千百路工業(yè)科技供應和您一起攜手走向更好的未來，創(chuàng)造更有價值的產品，我們將以更好的狀態(tài)，更認真的態(tài)度，更飽滿的精力去創(chuàng)造，去拼搏，去努力，讓我們一起更好更快的成長！