SRAM的類型------非揮發(fā)性SRAM（Non-volatileSRAM，nvSRAM）具有SRAM的標(biāo)準(zhǔn)功能，但在失去電源供電時(shí)可以保住其數(shù)據(jù)。非揮發(fā)性SRAM用于網(wǎng)絡(luò)、航天、醫(yī)療等需要關(guān)鍵場(chǎng)合—保住數(shù)據(jù)是關(guān)鍵的而且不可能用上電池。異步SRAM（AsynchronousSRAM）的容量從4Kb到64Mb。SRAM的快速訪問(wèn)使得異步SRAM適用于小型的cache很小的嵌入式處理器的主內(nèi)存，這種處理器廣用于工業(yè)電子設(shè)備、測(cè)量設(shè)備、硬盤、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備等等。根據(jù)晶體管類型分類---雙極性結(jié)型晶體管（用于TTL與ECL）—非?？焖俚枪木薮?。深圳存儲(chǔ)器芯片代理分銷，提供全系列存儲(chǔ)器IC，滿足眾多電子廠家生產(chǎn)需求。成都可編程存儲(chǔ)器全型號(hào)
動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（DynamicRAM），“動(dòng)態(tài)”兩字指的是每隔一段時(shí)間，要刷新充電一次，否則內(nèi)部的數(shù)據(jù)即會(huì)消失。這是因?yàn)镈RAM的基本單元是一個(gè)晶體管加一個(gè)電容，并用電容有無(wú)電荷來(lái)表示數(shù)字信息0和1，電容漏電很快，為防止電容漏電而導(dǎo)致讀取信息出錯(cuò)，需要周期性地給DRAM的電容充電，故DRAM速度比SRAM慢。另一方面，這種簡(jiǎn)單的存儲(chǔ)模式也使得DRAM的集成度遠(yuǎn)高于SRAM，一個(gè)DRAM存儲(chǔ)單元只需一個(gè)晶體管和一個(gè)小電容，而每個(gè)SRAM單元需要四到六個(gè)晶體管和其他零件，故DRAM在高密度（大容量）以及價(jià)格方面均比SRAM有優(yōu)勢(shì)。SRAM多用于對(duì)性能要求極高的地方（如CPU的一級(jí)二級(jí)緩沖），而DRAM則主要用于計(jì)算機(jī)的內(nèi)存條等領(lǐng)域。大連非易失性存儲(chǔ)器哪家便宜選擇存儲(chǔ)器就選千百路科技，提供原裝進(jìn)口品牌存儲(chǔ)器芯片。
AT24C02功能描述：支持I2C，總線數(shù)據(jù)傳送協(xié)議I2C，總線協(xié)議規(guī)定任何將數(shù)據(jù)傳送到總線的器件作為發(fā)送器。任何從總線接收數(shù)據(jù)的器件為接收器。數(shù)據(jù)傳送是由產(chǎn)生串行時(shí)鐘和所有起始停止信號(hào)的主器件控制的。主器件和從器件都可以作為發(fā)送器或接收器，但由主器件控制傳送數(shù)據(jù)(發(fā)送或接收)的模式，由于A0、A1和A2可以組成000~111八種情況，即通過(guò)器件地址輸入端A0、A1和A2可以實(shí)現(xiàn)將比較多8個(gè)AT24C02器件連接到總線上，通過(guò)進(jìn)行不同的配置進(jìn)行選擇器件。
存儲(chǔ)器的產(chǎn)業(yè)鏈簡(jiǎn)單介紹：存儲(chǔ)器行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈上游主要為材料及設(shè)備供應(yīng)環(huán)節(jié)；中游為存儲(chǔ)器生產(chǎn)供應(yīng)環(huán)節(jié)；下游廣泛應(yīng)用于計(jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、網(wǎng)絡(luò)通信、汽車電子、智能終端等各個(gè)領(lǐng)域。中游存儲(chǔ)芯片可分為掉電易失和掉電非易失兩種，其中易失存儲(chǔ)芯片主要包含靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（SRAM）和動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM），非易失性存儲(chǔ)器主要包括可編程只讀存儲(chǔ)器（PROM），閃存存儲(chǔ)器（Flash）等；下游主要應(yīng)用于消費(fèi)電子、信息通信、汽車電子、服務(wù)器、工業(yè)電子等領(lǐng)域。上游參與者為硅片、光刻膠、電子特種氣體等原材料供應(yīng)商和光刻設(shè)備、刻蝕設(shè)備、檢測(cè)設(shè)備等設(shè)備供應(yīng)商。找原裝芯片，進(jìn)口存儲(chǔ)器芯片，千百路科技提供專業(yè)的全系列存儲(chǔ)IC。
近年來(lái)，我國(guó)智能手機(jī)、物聯(lián)網(wǎng)、智能可穿戴設(shè)備、服務(wù)器等消費(fèi)電子產(chǎn)品迅速增長(zhǎng)，應(yīng)用場(chǎng)景更加廣，對(duì)存儲(chǔ)器需求進(jìn)一步提升。應(yīng)用場(chǎng)景包括在所有類型的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)、移動(dòng)電話等移動(dòng)裝置、數(shù)據(jù)記錄設(shè)備、打印機(jī)、控制系統(tǒng)、智能終端、物聯(lián)網(wǎng)、安防監(jiān)控、工業(yè)控制、汽車電子以及個(gè)人移動(dòng)存儲(chǔ)等領(lǐng)域。車規(guī)級(jí)存儲(chǔ)器并進(jìn)入了部分汽車行業(yè)客戶的供應(yīng)鏈體系。消費(fèi)電子也是存儲(chǔ)器芯片的應(yīng)用場(chǎng)景之一。工規(guī)級(jí)存儲(chǔ)器屬于嵌入式存儲(chǔ)芯片系列，也是重點(diǎn)發(fā)展的方向。深圳進(jìn)口芯片，深圳原裝IC，原廠現(xiàn)貨經(jīng)銷。大連靜態(tài)只讀存儲(chǔ)器哪家便宜
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之前部分研究者采用將NOR閃存作為主存，可以解決計(jì)算機(jī)掉電數(shù)據(jù)丟失問(wèn)題，但是閃存有擦寫次數(shù)有限，隨機(jī)寫性能較差，寫延遲較大等的缺點(diǎn)，而采用相變存儲(chǔ)器或者基于相變存儲(chǔ)器的異構(gòu)主存方法可以更好地解決上述問(wèn)題；②相變存儲(chǔ)器的隨機(jī)讀寫性能能夠有效地解決大規(guī)?？茖W(xué)計(jì)算中小粒度隨機(jī)I/O對(duì)磁盤訪問(wèn)所造成的I/O瓶頸，用相變存儲(chǔ)器代替?zhèn)鹘y(tǒng)的硬盤具有很大的優(yōu)勢(shì)；③閃存和相變存儲(chǔ)器都是新型非易失性存儲(chǔ)器，沒(méi)有機(jī)械裝置并且可隨機(jī)讀寫，但是和相變存儲(chǔ)器相比，閃存的讀寫性能略顯不足，特別是寫入前需要整塊擦除的缺陷，導(dǎo)致閃存只能通過(guò)一系列更加復(fù)雜的技術(shù)化才能替代存儲(chǔ)系統(tǒng)的部分功能。成都可編程存儲(chǔ)器全型號(hào)
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