河南POLOSBEAM-XL光刻機MAX層厚可達到10微米

德國 Polos 光刻機系列是電子學(xué)領(lǐng)域不可或缺的精密設(shè)備。其無掩模激光光刻技術(shù)，讓電路圖案曝光不再受限于掩模，能夠?qū)崿F(xiàn)超高精度的圖案繪制。在芯片研發(fā)過程中，Polos 光刻機可precise刻畫出納米級別的電路結(jié)構(gòu)，為芯片性能提升奠定基礎(chǔ)。? 科研團隊使用 Polos 光刻機，成功開發(fā)出更高效的集成電路，降低芯片能耗，提高運算速度。而且，該光刻機可輕松輸入任意圖案，滿足不同電子元件的多樣化設(shè)計需求。無論是新型傳感器的電路制作，還是微型處理器的研發(fā)，Polos 光刻機都能以高精度、低成本的優(yōu)勢，為電子學(xué)領(lǐng)域的科研成果產(chǎn)出提供有力保障，推動電子技術(shù)不斷創(chuàng)新?？蛻粽J可：全球 500 + 客戶滿意度達 98%，復(fù)購率 75%，技術(shù)支持響應(yīng)時間 < 2 小時。河南POLOSBEAM-XL光刻機MAX層厚可達到10微米

在微流體研究領(lǐng)域，德國 Polos 光刻機系列憑借獨特優(yōu)勢脫穎而出。其無掩模激光光刻技術(shù)，打破傳統(tǒng)光刻的局限，無需掩模就能實現(xiàn)高精度圖案制作。這使得科研人員在構(gòu)建微通道網(wǎng)絡(luò)時，可根據(jù)實驗需求自由設(shè)計，快速完成從圖紙到實體的轉(zhuǎn)化。?以藥物傳輸研究為例，利用 Polos 光刻機，能制造出尺寸precise、結(jié)構(gòu)復(fù)雜的微通道，模擬人體環(huán)境，讓藥物在微小空間內(nèi)可控流動，much提升藥物傳輸效率研究的準確性。同時，在細胞培養(yǎng)實驗中，該光刻機制作的微流體芯片，為細胞提供穩(wěn)定且適宜的生長環(huán)境，助力細胞生物學(xué)研究取得新突破。小空間大作為的 Polos 光刻機，正推動微流體研究不斷向前。河北德國PSP-POLOS光刻機分辨率1.5微米6英寸晶圓兼容：Polos-BESM XL Mk2支持155×155 mm大尺寸加工，工業(yè)級重復(fù)精度0.1 μm。

在tumor轉(zhuǎn)移機制研究中，某tumor研究中心利用 Polos 光刻機構(gòu)建了仿生tumor微環(huán)境芯片。通過無掩模激光光刻技術(shù)，在 PDMS 基底上制造出三維tumor血管網(wǎng)絡(luò)與間質(zhì)纖維化結(jié)構(gòu)，其中血管直徑可精確控制在 10-50μm。實驗顯示，該芯片模擬的tumor微環(huán)境中，tumor細胞遷移速度較傳統(tǒng)二維培養(yǎng)提升 2.3 倍，且化療藥物滲透效率降低 40%，與臨床數(shù)據(jù)高度吻合。該團隊通過軟件實時調(diào)整通道曲率和細胞外基質(zhì)密度，成功復(fù)現(xiàn)了tumor細胞上皮 - 間質(zhì)轉(zhuǎn)化（EMT）過程，相關(guān)成果發(fā)表于《Cancer Research》，并被用于新型抗轉(zhuǎn)移藥物的篩選平臺開發(fā)。

針對植入式醫(yī)療設(shè)備的長期安全性問題，某生物電子實驗室利用 Polos 光刻機在聚乳酸（）基底上制備可降解電極。其無掩模技術(shù)避免了傳統(tǒng)掩模污染，使電極的金屬殘留量低于 0.01μg/mm2，生物相容性測試顯示細胞存活率達 99%。通過自定義螺旋狀天線圖案，開發(fā)出的可降解心率監(jiān)測器，在體內(nèi)降解周期可控制在 3-12 個月，信號傳輸穩(wěn)定性較同類產(chǎn)品提升 50%，相關(guān)技術(shù)已進入臨床前生物相容性評價階段。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設(shè)計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機械系統(tǒng)等各個領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學(xué)研究實驗室以外的領(lǐng)域，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會。POLOS μ 光刻機：微型化機身，納米級曝光精度，微流體芯片制備周期縮短 40%。

Polos光刻機與德國Lab14集團、弗勞恩霍夫研究所等機構(gòu)合作，推動光子集成與半導(dǎo)體封裝技術(shù)發(fā)展。例如，Quantum X align系統(tǒng)的高對準精度（100 nm）為光通信芯片提供可靠解決方案，彰顯德國精密制造與全球產(chǎn)業(yè)鏈整合的優(yōu)勢。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設(shè)計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機械系統(tǒng)等各個領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學(xué)研究實驗室以外的領(lǐng)域，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會。微流體3D成型：復(fù)雜流道快速曝光，助力tumor篩查芯片與藥物遞送系統(tǒng)研發(fā)。河南POLOSBEAM-XL光刻機光源波長405微米

掩模制備時間歸零，科研人員耗時減少 60%，項目交付周期縮短 50%。河南POLOSBEAM-XL光刻機MAX層厚可達到10微米

某半導(dǎo)體實驗室采用 Polos 光刻機開發(fā)氮化鎵（GaN）基高電子遷移率晶體管（HEMT）。其激光直寫技術(shù)在藍寶石襯底上實現(xiàn)了 50nm 柵極長度的precise曝光，較傳統(tǒng)光刻工藝線寬偏差降低 60%。通過自定義多晶硅柵極圖案，器件的電子遷移率達 2000 cm2/(V?s)，擊穿電壓提升至 1200V，遠超商用產(chǎn)品水平。該技術(shù)還被用于 SiC 基功率器件的臺面刻蝕，刻蝕深度均勻性誤差小于 ±3%，助力我國新能源汽車電控系統(tǒng)core器件的國產(chǎn)化突破。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設(shè)計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機械系統(tǒng)等各個領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學(xué)研究實驗室以外的領(lǐng)域，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會。河南POLOSBEAM-XL光刻機MAX層厚可達到10微米