天津PSP光刻機(jī)MAX層厚可達(dá)到10微米

SPS POLOS μ以緊湊的桌面設(shè)計(jì)降低實(shí)驗(yàn)室設(shè)備投入，光束引擎通過(guò)壓電驅(qū)動(dòng)實(shí)現(xiàn)高速掃描（單次寫入400 μm區(qū)域）。支持AZ5214E等光刻膠的高效曝光，成功制備3 μm間距微圖案陣列和叉指電容器，助力納米材料與柔性電子器件的快速驗(yàn)證。其無(wú)掩模特性進(jìn)一步減少材料浪費(fèi)，為中小型實(shí)驗(yàn)室提供經(jīng)濟(jì)解決方案62。無(wú)掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過(guò)無(wú)縫集成硬件和軟件組件，開(kāi)發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過(guò)與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無(wú)縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實(shí)驗(yàn)室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個(gè)領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢(shì)擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會(huì)。微型傳感器量產(chǎn)：80 μm開(kāi)環(huán)諧振器加工能力，推動(dòng)工業(yè)級(jí)MEMS傳感器升級(jí)。天津PSP光刻機(jī)MAX層厚可達(dá)到10微米

德國(guó)Polos-BESM系列光刻機(jī)采用無(wú)掩模激光直寫技術(shù)，突破傳統(tǒng)光刻對(duì)物理掩膜的依賴，支持用戶通過(guò)軟件直接輸入任意圖案進(jìn)行快速曝光。其亞微米分辨率（most小線寬0.8 μm）和405 nm紫外光源，可在5英寸晶圓上實(shí)現(xiàn)高精度微納結(jié)構(gòu)加工18。系統(tǒng)體積緊湊，only占桌面空間，搭配閉環(huán)自動(dòng)對(duì)焦（1秒完成）和半自動(dòng)多層對(duì)準(zhǔn)功能，大幅提升實(shí)驗(yàn)室原型開(kāi)發(fā)效率，適用于微流體芯片設(shè)計(jì)、電子元件制造等領(lǐng)域。無(wú)掩模光刻技術(shù)可以隨意進(jìn)行納米級(jí)圖案化，無(wú)需使用速度慢且昂貴的光罩。這種便利對(duì)于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上沒(méi)有任何妥協(xié)的情況下，將該技術(shù)帶到了桌面上，進(jìn)一步提升了其優(yōu)勢(shì)。河南德國(guó)PSP-POLOS光刻機(jī)MAX基材尺寸4英寸到6英寸用戶案例broad：全球超500家科研機(jī)構(gòu)采用，覆蓋高校、研究所與企業(yè)實(shí)驗(yàn)室。

SPS POLOS μ以桌面化設(shè)計(jì)降低設(shè)備投入成本，無(wú)需掩膜制備費(fèi)用。其光束引擎通過(guò)壓電驅(qū)動(dòng)快速掃描，單次寫入?yún)^(qū)域達(dá)400 μm，支持光刻膠如AZ5214E的高效曝光。研究案例顯示，該設(shè)備成功制備了間距3 μm的微圖案陣列和叉指電容器，助力納米材料與柔性電子器件的快速原型驗(yàn)證。無(wú)掩模光刻技術(shù)可以隨意進(jìn)行納米級(jí)圖案化，無(wú)需使用速度慢且昂貴的光罩。這種便利對(duì)于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上沒(méi)有任何妥協(xié)的情況下，將該技術(shù)帶到了桌面上，進(jìn)一步提升了其優(yōu)勢(shì)。

石墨烯、二硫化鉬等二維材料的器件制備依賴高精度圖案轉(zhuǎn)移，Polos 光刻機(jī)的激光直寫技術(shù)避免了傳統(tǒng)濕法轉(zhuǎn)移的污染問(wèn)題。某納米電子實(shí)驗(yàn)室在 SiO?基底上直接曝光出 10nm 間隔的電極陣列，成功制備出石墨烯場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其電子遷移率達(dá) 2×10? cm2/(V?s)，接近理論極限。該技術(shù)支持快速構(gòu)建多種二維材料異質(zhì)結(jié)，使器件研發(fā)效率提升 5 倍，相關(guān)成果推動(dòng)二維材料在柔性電子、量子計(jì)算領(lǐng)域的應(yīng)用研究進(jìn)入快車道。無(wú)掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過(guò)無(wú)縫集成硬件和軟件組件，開(kāi)發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過(guò)與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無(wú)縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實(shí)驗(yàn)室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個(gè)領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢(shì)擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會(huì)。德國(guó) SPS Polos：深耕微納加工 35 年，專注半導(dǎo)體與生命科學(xué)領(lǐng)域，全球布局 6 大技術(shù)中心，服務(wù) 500 + 科研機(jī)構(gòu)。

在科研領(lǐng)域，設(shè)備的先進(jìn)程度往往決定了研究的深度與廣度。德國(guó)的 Polos - BESM、Polos - BESM XL、SPS 光刻機(jī) POLOS μ 帶來(lái)了革新之光。它們運(yùn)用無(wú)掩模激光光刻技術(shù)，摒棄了傳統(tǒng)光刻中昂貴且制作周期長(zhǎng)的掩模，極大降低了成本。這些光刻機(jī)可輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光，在微流體、電子學(xué)和納 / 微機(jī)械系統(tǒng)等領(lǐng)域大顯身手。例如在微流體研究中，能precise制造復(fù)雜的微通道網(wǎng)絡(luò)，助力藥物傳輸、細(xì)胞培養(yǎng)等研究。在電子學(xué)方面，可實(shí)現(xiàn)高精度的電路圖案曝光，為芯片研發(fā)提供有力支持。其占用空間小，對(duì)于空間有限的研究實(shí)驗(yàn)室來(lái)說(shuō)堪稱完美。憑借出色特性，它們已助力眾多科研團(tuán)隊(duì)取得成果，成為科研創(chuàng)新的得力助手 。多材料兼容：金屬 / 聚合物 / 陶瓷同步加工，微流控芯片集成傳感器一步成型。天津PSP光刻機(jī)MAX層厚可達(dá)到10微米

德國(guó)技術(shù)基因：融合精密光學(xué)與自動(dòng)化控制，確保設(shè)備高穩(wěn)定性與長(zhǎng)壽命。天津PSP光刻機(jī)MAX層厚可達(dá)到10微米

某材料科學(xué)研究中心在探索新型納米復(fù)合材料的性能時(shí)，需要在材料表面構(gòu)建特殊的納米圖案。德國(guó) Polos 光刻機(jī)成為實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)的得力工具。研究人員利用其無(wú)掩模激光光刻技術(shù)，在不同的納米材料表面制作出各種周期性和非周期性的圖案結(jié)構(gòu)。經(jīng)過(guò)測(cè)試發(fā)現(xiàn)，帶有特定圖案的納米復(fù)合材料，其電學(xué)、光學(xué)和力學(xué)性能發(fā)生了remarkable改變。例如，一種原本光學(xué)性能普通的納米材料，在經(jīng)過(guò) Polos 光刻機(jī)處理后，對(duì)特定波長(zhǎng)光的吸收率提高了 30%，為開(kāi)發(fā)新型光電器件和光學(xué)傳感器提供了新的材料選擇和設(shè)計(jì)思路 。天津PSP光刻機(jī)MAX層厚可達(dá)到10微米