某半導(dǎo)體實(shí)驗(yàn)室采用 Polos 光刻機(jī)開發(fā)氮化鎵(GaN)基高電子遷移率晶體管(HEMT)。其激光直寫技術(shù)在藍(lán)寶石襯底上實(shí)現(xiàn)了 50nm 柵極長度的precise曝光,較傳統(tǒng)光刻工藝線寬偏差降低 60%。通過自定義多晶硅柵極圖案,器件的電子遷移率達(dá) 2000 cm2/(V?s),擊穿電壓提升至 1200V,遠(yuǎn)超商用產(chǎn)品水平。該技術(shù)還被用于 SiC 基功率器件的臺面刻蝕,刻蝕深度均勻性誤差小于 ±3%,助力我國新能源汽車電控系統(tǒng)core器件的國產(chǎn)化突破。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù),用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過無縫集成硬件和軟件組件,開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無縫集成,操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小,非常適合研究實(shí)驗(yàn)室,并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域,為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會。緊湊桌面設(shè)計(jì):Polos-BESM系統(tǒng)only占桌面空間,適合實(shí)驗(yàn)室高效原型開發(fā)。天津德國桌面無掩模光刻機(jī)MAX基材尺寸4英寸到6英寸
超表面通過納米結(jié)構(gòu)調(diào)控光場,傳統(tǒng)電子束光刻成本高昂且效率低下。Polos 光刻機(jī)的激光直寫技術(shù)在石英基底上實(shí)現(xiàn)了亞波長量級的圖案曝光,將超表面器件制備成本降低至傳統(tǒng)方法的 1/5。某光子學(xué)實(shí)驗(yàn)室利用該設(shè)備,研制出寬帶消色差超表面透鏡,在 400-1000nm 波長范圍內(nèi)成像誤差小于 5μm。其靈活的圖案編輯功能還支持實(shí)時優(yōu)化結(jié)構(gòu)參數(shù),使器件研發(fā)周期從數(shù)周縮短至 24 小時,推動超表面技術(shù)從理論走向集成光學(xué)應(yīng)用。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù),用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過無縫集成硬件和軟件組件,開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無縫集成,操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小,非常適合研究實(shí)驗(yàn)室,并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域,為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會。天津德國桌面無掩模光刻機(jī)MAX基材尺寸4英寸到6英寸POLOS μ 光刻機(jī):桌面級設(shè)計(jì),2-23μm 可調(diào)分辨率,兼容 4 英寸晶圓,微機(jī)電系統(tǒng)加工誤差 < 5μm。
在微流控芯片集成領(lǐng)域,某微機(jī)電系統(tǒng)實(shí)驗(yàn)室利用 Polos 光刻機(jī)的多材料同步曝光技術(shù),在同一塊 PDMS 芯片上直接制備出金屬電極驅(qū)動的氣動泵閥結(jié)構(gòu)。其微泵通道寬度可控制在 20μm,流量調(diào)節(jié)精度達(dá) ±1%,響應(yīng)時間小于 50ms。通過軟件輸入不同圖案,可在 10 分鐘內(nèi)完成從連續(xù)流到脈沖流的模式切換。該芯片被用于單細(xì)胞代謝分析,實(shí)現(xiàn)了單個tumor細(xì)胞葡萄糖攝取率的實(shí)時監(jiān)測,檢測靈敏度較傳統(tǒng)方法提升 3 倍,相關(guān)設(shè)備已進(jìn)入臨床前驗(yàn)證階段。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù),用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過無縫集成硬件和軟件組件,開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無縫集成,操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小,非常適合研究實(shí)驗(yàn)室,并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域,為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會。
上海有機(jī)化學(xué)研究所通過光刻技術(shù)制備多組分納米纖維,實(shí)現(xiàn)了功能材料的精確組裝。類似地,Polos系列設(shè)備可支持此類結(jié)構(gòu)的可控加工,為新能源器件(如柔性電池)和智能材料提供技術(shù)基礎(chǔ)3。設(shè)備的高重復(fù)性(0.1 μm)確保了科研成果的可轉(zhuǎn)化性。掩模光刻技術(shù)可以隨意進(jìn)行納米級圖案化,無需使用速度慢且昂貴的光罩。這種便利對于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上沒有任何妥協(xié)的情況下,將該技術(shù)帶到了桌面上,進(jìn)一步提升了其優(yōu)勢。亞微米級精度:0.8 μmmost小線寬,支持高精度微流體芯片與MEMS器件制造。
無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù),用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過無縫集成硬件和軟件組件,開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無縫集成,操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小,非常適合研究實(shí)驗(yàn)室,并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域,為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會。微流體3D成型:復(fù)雜流道快速曝光,助力tumor篩查芯片與藥物遞送系統(tǒng)研發(fā)。黑龍江德國BEAM光刻機(jī)
軟件高效兼容:BEAM Xplorer支持GDS文件導(dǎo)入,簡化復(fù)雜圖案設(shè)計(jì)流程。天津德國桌面無掩模光刻機(jī)MAX基材尺寸4英寸到6英寸
一所高校的電子工程實(shí)驗(yàn)室專注于新型傳感器的研究。在開發(fā)一款超靈敏壓力傳感器時,面臨著如何在微小尺寸上構(gòu)建高精度電路圖案的難題。德國 Polos 光刻機(jī)的引入解決了這一困境。其可輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光的特性,讓研究人員能夠根據(jù)傳感器的特殊需求,設(shè)計(jì)并制作出獨(dú)特的電路結(jié)構(gòu)。通過 Polos 光刻機(jī)precise的光刻,成功制造出的壓力傳感器,靈敏度比現(xiàn)有市場產(chǎn)品提高了兩倍以上。該成果已獲得多項(xiàng)patent,并吸引了多家科技企業(yè)的關(guān)注,有望實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用,為可穿戴設(shè)備、智能機(jī)器人等領(lǐng)域帶來新的發(fā)展機(jī)遇。天津德國桌面無掩模光刻機(jī)MAX基材尺寸4英寸到6英寸