北京POLOSBEAM光刻機基材厚度可達到0.1毫米至8毫米

單細胞分選需要復(fù)雜的流體動力學控制結(jié)構(gòu)，傳統(tǒng)光刻難以實現(xiàn)多尺度結(jié)構(gòu)集成。Polos 光刻機的分層曝光功能，在同一片芯片上制備出 5μm 窄縫的細胞捕獲區(qū)與 50μm 寬的廢液通道，通道高度誤差控制在 ±2% 以內(nèi)。某細胞生物學實驗室利用該芯片，將單細胞分選通量提升至 1000 個 / 秒，分選純度達 98%，較傳統(tǒng)流式細胞儀體積縮小 90%。該技術(shù)已應(yīng)用于循環(huán)tumor細胞檢測，使稀有細胞捕獲效率提升 3 倍，相關(guān)設(shè)備進入臨床驗證階段。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設(shè)計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學和納/微機械系統(tǒng)等各個領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學研究實驗室以外的領(lǐng)域，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會。光學超材料突破：光子晶體結(jié)構(gòu)precise制造，賦能超透鏡與隱身技術(shù)研究。北京POLOSBEAM光刻機基材厚度可達到0.1毫米至8毫米

Polos光刻機與弗勞恩霍夫ILT的光束整形技術(shù)結(jié)合，可定制激光輪廓以優(yōu)化能量分布，減少材料蒸發(fā)和飛濺，提升金屬3D打印效率7。這種跨領(lǐng)域技術(shù)融合為工業(yè)級微納制造（如光學元件封裝）提供新思路，推動智能制造向高精度、低能耗方向發(fā)展Polos系列broad兼容AZ、SU-8等光刻膠，通過優(yōu)化曝光參數(shù)（如能量密度與聚焦深度）實現(xiàn)不同材料的高質(zhì)量加工。例如，使用AZ5214E時，可調(diào)節(jié)光束強度以減少側(cè)壁粗糙度，提升微結(jié)構(gòu)的功能性。這一特性使其在生物相容性器件（如仿生傳感器）中表現(xiàn)outstanding26。吉林BEAM-XL光刻機MAX基材尺寸4英寸到6英寸雙光子聚合擴展：結(jié)合Nanoscribe技術(shù)實現(xiàn)3D微納打印，拓展微型機器人制造。

針對碳化硅（SiC）功率模塊的柵極刻蝕難題，Polos 光刻機的激光直寫技術(shù)實現(xiàn)了 20nm 的邊緣粗糙度控制，較傳統(tǒng)光刻膠工藝提升 5 倍。某新能源汽車芯片廠商利用該設(shè)備，將 SiC MOSFET 的導(dǎo)通電阻降低 15%，開關(guān)損耗減少 20%，推動車載逆變器效率突破 99%。其靈活的圖案編輯功能支持快速驗證新型柵極結(jié)構(gòu)，使器件研發(fā)周期從 12 周壓縮至 4 周，助力我國在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)彎道超車。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設(shè)計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學和納/微機械系統(tǒng)等各個領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學研究實驗室以外的領(lǐng)域，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會。

在tumor轉(zhuǎn)移機制研究中，某tumor研究中心利用 Polos 光刻機構(gòu)建了仿生tumor微環(huán)境芯片。通過無掩模激光光刻技術(shù)，在 PDMS 基底上制造出三維tumor血管網(wǎng)絡(luò)與間質(zhì)纖維化結(jié)構(gòu)，其中血管直徑可精確控制在 10-50μm。實驗顯示，該芯片模擬的tumor微環(huán)境中，tumor細胞遷移速度較傳統(tǒng)二維培養(yǎng)提升 2.3 倍，且化療藥物滲透效率降低 40%，與臨床數(shù)據(jù)高度吻合。該團隊通過軟件實時調(diào)整通道曲率和細胞外基質(zhì)密度，成功復(fù)現(xiàn)了tumor細胞上皮 - 間質(zhì)轉(zhuǎn)化（EMT）過程，相關(guān)成果發(fā)表于《Cancer Research》，并被用于新型抗轉(zhuǎn)移藥物的篩選平臺開發(fā)。亞微米級精度：0.8 μmmost小線寬，支持高精度微流體芯片與MEMS器件制造。

某revolution生物醫(yī)學研究機構(gòu)致力于開發(fā)快速、precise的疾病診斷技術(shù)。在研發(fā)一種用于早期tumor篩查的微流體診斷芯片時，采用了德國 Polos 光刻機。利用其無掩模激光光刻技術(shù)，科研團隊成功制造出擁有復(fù)雜微通道網(wǎng)絡(luò)的芯片。這些微通道能精確控制生物樣本與檢測試劑的混合及反應(yīng)過程，極大提高了檢測的靈敏度和準確性。以往使用傳統(tǒng)光刻技術(shù)制備此類芯片，不only周期長，且精度難以保證。而 Polos 光刻機使制備周期縮短了近三分之一，助力該機構(gòu)在tumor早期診斷研究上取得重大突破，相關(guān)成果已發(fā)表在國際authority醫(yī)學期刊上。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設(shè)計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學和納/微機械系統(tǒng)等各個領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學研究實驗室以外的領(lǐng)域，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會。光刻膠broad兼容：支持AZ5214E、SU-8等材料，優(yōu)化參數(shù)降低側(cè)壁粗糙度。吉林BEAM-XL光刻機MAX基材尺寸4英寸到6英寸

Polos-BESM XL：130mm×130mm 曝光幅面，STL 模型直接導(dǎo)入，微流控芯片制備周期縮短 40%。北京POLOSBEAM光刻機基材厚度可達到0.1毫米至8毫米

石墨烯、二硫化鉬等二維材料的器件制備依賴高精度圖案轉(zhuǎn)移，Polos 光刻機的激光直寫技術(shù)避免了傳統(tǒng)濕法轉(zhuǎn)移的污染問題。某納米電子實驗室在 SiO?基底上直接曝光出 10nm 間隔的電極陣列，成功制備出石墨烯場效應(yīng)晶體管，其電子遷移率達 2×10? cm2/(V?s)，接近理論極限。該技術(shù)支持快速構(gòu)建多種二維材料異質(zhì)結(jié)，使器件研發(fā)效率提升 5 倍，相關(guān)成果推動二維材料在柔性電子、量子計算領(lǐng)域的應(yīng)用研究進入快車道。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設(shè)計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學和納/微機械系統(tǒng)等各個領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學研究實驗室以外的領(lǐng)域，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會。北京POLOSBEAM光刻機基材厚度可達到0.1毫米至8毫米