重慶POLOSBEAM光刻機(jī)不需要緩慢且昂貴的光掩模

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2025-06-13

可編程微流控芯片需要集成電路控制與流體通道,傳統(tǒng)工藝需多次掩模對(duì)準(zhǔn),良率only 30%。Polos 光刻機(jī)的多材料同步曝光技術(shù),支持在同一塊基板上直接制備金屬電極與 PDMS 通道,將良率提升至 85%。某微系統(tǒng)實(shí)驗(yàn)室利用該特性,開(kāi)發(fā)出可實(shí)時(shí)切換流路的生化分析芯片,通過(guò)軟件輸入不同圖案,10 分鐘內(nèi)即可完成從 DNA 擴(kuò)增到蛋白質(zhì)檢測(cè)的模塊切換。該成果應(yīng)用于 POCT 設(shè)備,使現(xiàn)場(chǎng)快速檢測(cè)系統(tǒng)的體積縮小 60%,檢測(cè)時(shí)間縮短至傳統(tǒng)方法的 1/3。無(wú)掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù),用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過(guò)無(wú)縫集成硬件和軟件組件,開(kāi)發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過(guò)與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無(wú)縫集成,操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小,非常適合研究實(shí)驗(yàn)室,并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個(gè)領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢(shì)擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域,為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會(huì)。多材料兼容性:同步加工陶瓷 / PDMS / 金屬,微流控芯片集成電極與通道一步成型。重慶POLOSBEAM光刻機(jī)不需要緩慢且昂貴的光掩模

重慶POLOSBEAM光刻機(jī)不需要緩慢且昂貴的光掩模,光刻機(jī)

細(xì)胞培養(yǎng)芯片需根據(jù)不同細(xì)胞類型設(shè)計(jì)表面微結(jié)構(gòu),傳統(tǒng)光刻依賴掩模庫(kù),難以滿足個(gè)性化需求。Polos 光刻機(jī)支持 STL 模型直接導(dǎo)入,某干細(xì)胞研究所在 24 小時(shí)內(nèi)完成了神經(jīng)干細(xì)胞三維培養(yǎng)支架的定制加工。其制造的微柱陣列間距可精確控制在 5-50μm,適配不同分化階段的細(xì)胞黏附需求。實(shí)驗(yàn)顯示,使用該支架的神經(jīng)細(xì)胞軸突生長(zhǎng)速度提升 30%,為神經(jīng)再生機(jī)制研究提供了高效工具,相關(guān)技術(shù)已授權(quán)給生物芯片企業(yè)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。無(wú)掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù),用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過(guò)無(wú)縫集成硬件和軟件組件,開(kāi)發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過(guò)與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無(wú)縫集成,操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小,非常適合研究實(shí)驗(yàn)室,并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個(gè)領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢(shì)擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域,為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會(huì)。河北P(pán)OLOSBEAM光刻機(jī)MAX基材尺寸4英寸到6英寸德國(guó)技術(shù)基因:融合精密光學(xué)與自動(dòng)化控制,確保設(shè)備高穩(wěn)定性與長(zhǎng)壽命。

重慶POLOSBEAM光刻機(jī)不需要緩慢且昂貴的光掩模,光刻機(jī)

德國(guó)Polos-BESM系列光刻機(jī)采用無(wú)掩模激光直寫(xiě)技術(shù),突破傳統(tǒng)光刻對(duì)物理掩膜的依賴,支持用戶通過(guò)軟件直接輸入任意圖案進(jìn)行快速曝光。其亞微米分辨率(most小線寬0.8 μm)和405 nm紫外光源,可在5英寸晶圓上實(shí)現(xiàn)高精度微納結(jié)構(gòu)加工18。系統(tǒng)體積緊湊,only占桌面空間,搭配閉環(huán)自動(dòng)對(duì)焦(1秒完成)和半自動(dòng)多層對(duì)準(zhǔn)功能,大幅提升實(shí)驗(yàn)室原型開(kāi)發(fā)效率,適用于微流體芯片設(shè)計(jì)、電子元件制造等領(lǐng)域。無(wú)掩模光刻技術(shù)可以隨意進(jìn)行納米級(jí)圖案化,無(wú)需使用速度慢且昂貴的光罩。這種便利對(duì)于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上沒(méi)有任何妥協(xié)的情況下,將該技術(shù)帶到了桌面上,進(jìn)一步提升了其優(yōu)勢(shì)。

在航空航天科研中,某科研團(tuán)隊(duì)致力于研發(fā)用于環(huán)境監(jiān)測(cè)和偵察的微型飛行器。其中,制造輕量化且高性能的微機(jī)械部件是關(guān)鍵。德國(guó) Polos 光刻機(jī)憑借無(wú)掩模激光光刻技術(shù),助力團(tuán)隊(duì)制造出尺寸precise、質(zhì)量輕盈的微型齒輪、機(jī)翼骨架等微機(jī)械結(jié)構(gòu)。例如,利用該光刻機(jī)制造的微型齒輪,齒距精度達(dá)到納米級(jí)別,極大提高了飛行器動(dòng)力傳輸系統(tǒng)的效率和穩(wěn)定性?;诖?,科研團(tuán)隊(duì)成功試飛了一款新型微型飛行器,其續(xù)航時(shí)間和飛行靈活性遠(yuǎn)超同類產(chǎn)品,為未來(lái)微型飛行器在復(fù)雜環(huán)境下的應(yīng)用奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。Polos-BESM XL:130mm×130mm 曝光幅面,STL 模型直接導(dǎo)入,微流控芯片制備周期縮短 40%。

重慶POLOSBEAM光刻機(jī)不需要緩慢且昂貴的光掩模,光刻機(jī)

植入式神經(jīng)電極需要兼具生物相容性與導(dǎo)電性能,表面微圖案可remarkable影響細(xì)胞 - 電極界面。Polos 光刻機(jī)在鉑銥合金電極表面刻制出 10μm 間距的蜂窩狀微孔,某神經(jīng)工程團(tuán)隊(duì)發(fā)現(xiàn)該結(jié)構(gòu)使神經(jīng)元突觸密度提升 20%,信號(hào)采集噪聲降低 35%。其無(wú)掩模特性支持根據(jù)不同腦區(qū)結(jié)構(gòu)定制電極陣列,在大鼠海馬區(qū)電生理實(shí)驗(yàn)中,單神經(jīng)元信號(hào)識(shí)別率從 60% 提升至 85%,為腦機(jī)接口技術(shù)的臨床轉(zhuǎn)化奠定了硬件基礎(chǔ)。無(wú)掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù),用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過(guò)無(wú)縫集成硬件和軟件組件,開(kāi)發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過(guò)與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無(wú)縫集成,操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小,非常適合研究實(shí)驗(yàn)室,并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個(gè)領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢(shì)擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域,為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會(huì)。電子學(xué)應(yīng)用:2μm 線寬光刻能力,第三代半導(dǎo)體器件研發(fā)效率提升 3 倍。河北P(pán)OLOSBEAM光刻機(jī)MAX基材尺寸4英寸到6英寸

未來(lái)技術(shù)儲(chǔ)備:持續(xù)研發(fā)光束整形與多材料兼容工藝,lead微納制造前沿。重慶POLOSBEAM光刻機(jī)不需要緩慢且昂貴的光掩模

石墨烯、二硫化鉬等二維材料的器件制備依賴高精度圖案轉(zhuǎn)移,Polos 光刻機(jī)的激光直寫(xiě)技術(shù)避免了傳統(tǒng)濕法轉(zhuǎn)移的污染問(wèn)題。某納米電子實(shí)驗(yàn)室在 SiO?基底上直接曝光出 10nm 間隔的電極陣列,成功制備出石墨烯場(chǎng)效應(yīng)晶體管,其電子遷移率達(dá) 2×10? cm2/(V?s),接近理論極限。該技術(shù)支持快速構(gòu)建多種二維材料異質(zhì)結(jié),使器件研發(fā)效率提升 5 倍,相關(guān)成果推動(dòng)二維材料在柔性電子、量子計(jì)算領(lǐng)域的應(yīng)用研究進(jìn)入快車道。無(wú)掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù),用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過(guò)無(wú)縫集成硬件和軟件組件,開(kāi)發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過(guò)與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無(wú)縫集成,操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小,非常適合研究實(shí)驗(yàn)室,并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個(gè)領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢(shì)擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域,為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會(huì)。重慶POLOSBEAM光刻機(jī)不需要緩慢且昂貴的光掩模