重慶晶間腐蝕經(jīng)濟(jì)實(shí)用

來(lái)源： 發(fā)布時(shí)間：2025-06-26

電解腐蝕，控制表面質(zhì)量的一致性電解拋光儀可以通過(guò)精確控制電解參數(shù)，如電流密度、電壓、電解時(shí)間等來(lái)保證樣品表面質(zhì)量的一致性。這對(duì)于需要批量處理金相樣品的情況非常重要。在工業(yè)質(zhì)量控制和材料研究中，經(jīng)常需要對(duì)多個(gè)相同材料的樣品進(jìn)行分析。使用電解拋光儀，只要設(shè)定好合適的電解參數(shù)，就可以確保每個(gè)樣品都能獲得相近的表面質(zhì)量，便于后續(xù)的觀察和比較。例如，在對(duì)一批鋁合金材料進(jìn)行金相分析時(shí)，通過(guò)電解拋光儀可以使每個(gè)樣品的表面都達(dá)到相同的光潔度標(biāo)準(zhǔn)，從而提高了分析結(jié)果的準(zhǔn)確性和可靠性。電解拋光腐蝕，電壓、電流隨時(shí)間變化的曲線(xiàn)。重慶晶間腐蝕經(jīng)濟(jì)實(shí)用

重慶晶間腐蝕經(jīng)濟(jì)實(shí)用,腐蝕

電解拋光腐蝕參考資料

試驗(yàn)材料

電解液配比

電壓

時(shí)間

備注

銅、銅一鋅合金

水                     100ml焦磷酸                  580g

1~2v

10分

銅陰極

銅和銅基合金

蒸餾水：500ml，磷酸（85%）250ml乙醇（95%）            250ml

18V

1~5分

青銅      （Sn≤9%）

水                      450ml磷酸（85%）            390ml

1.5~12V

1~5分

0.1A/ cm2

青銅      （Sn≤6%）

水：330ml     硫酸      90ml磷酸（85%）            580ml

鋁和鋁一硅（＜2% 合金

蒸餾水：140ml，酒精（95%）800ml高氯酸（60%）           60ml

30~40v

15~60秒

鋁一合金

甲醇（純）              840ml甘油（丙三醇）          125ml

50~100v

5~60秒

鋁

甲醇（純）：950ml，     硝酸（1.40）15ml，高氯酸（60%）50ml

30~60v

15~60秒

鋁、銀、鎂

蒸餾水：200ml，磷酸（85%）400ml酒精（95%）           380ml

25~30v

4~6分

鋁陰極  100~1100。F


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重慶晶間腐蝕經(jīng)濟(jì)實(shí)用,腐蝕

晶間腐蝕，腐蝕發(fā)生：在腐蝕介質(zhì)作用下，貧鉻區(qū)就會(huì)失去耐腐蝕能力，而產(chǎn)生晶間腐蝕，因?yàn)榫Ы玮g態(tài)受到破壞，在晶界上析出的碳化鉻周?chē)毣t區(qū)成為陽(yáng)極區(qū)，而碳化鉻和晶粒處于鈍態(tài)成為陰極區(qū)，在腐蝕介質(zhì)中晶界與晶粒構(gòu)成活化 - 鈍化微電池，加速了晶界區(qū)的腐蝕。晶間 σ 相析出理論：對(duì)于低碳的高鉻、高鉬不銹鋼，在℃內(nèi)熱處理時(shí)，會(huì)生成含鉻的相金屬間化合物。在過(guò)鈍化電位下，相發(fā)生嚴(yán)重的腐蝕，其陽(yáng)極溶解電流急劇上升，可能是相自身的選擇性溶解所致3。相金屬間化合物一般只能在很強(qiáng)的氧化性介質(zhì)中才能發(fā)生溶解，所以檢測(cè)這種類(lèi)型的腐蝕必須使用氧化性很強(qiáng)的的沸騰硝酸，使不銹鋼的腐蝕電位達(dá)到過(guò)鈍化區(qū)。

電解腐蝕，在金相分析中，樣品表面質(zhì)量至關(guān)重要。電解拋光是一種通過(guò)電化學(xué)作用去除金屬表面微觀不平度的方法。對(duì)于一些難以用機(jī)械拋光獲得理想表面的金屬材料，如不銹鋼、鎳基合金等，電解拋光儀可以發(fā)揮很大的作用。它能夠在短時(shí)間內(nèi)使樣品表面達(dá)到很高的光潔度，形成類(lèi)似鏡面的效果。例如，在觀察不銹鋼金相組織時(shí)，機(jī)械拋光后的表面可能仍殘留一些細(xì)微劃痕，而電解拋光可以有效地消除這些劃痕，使表面更加平整光滑，從而在金相顯微鏡下能夠更清晰地觀察到金相組織的細(xì)節(jié)，如晶界、相組成等。低倍加熱腐蝕尺寸多樣性，完全可以按照客戶(hù)要求定制。

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晶間腐蝕，貧化理論：對(duì)于奧氏體不銹鋼等合金，在一定條件下，晶界會(huì)析出第二相，導(dǎo)致晶界附近某種成分出現(xiàn)貧乏化。以?shī)W氏體不銹鋼為例，具體過(guò)程如下：碳化物析出：當(dāng)溫度升高時(shí)，碳在不銹鋼晶粒內(nèi)部的擴(kuò)散速度大于鉻的擴(kuò)散速度。室溫時(shí)碳在奧氏體中的溶解度很小，而一般奧氏體不銹鋼中的含碳量均超過(guò)此值，多余的碳會(huì)不斷地向奧氏體晶粒邊界擴(kuò)散，并和鉻化合，在晶間形成碳化鉻的化合物，如等。貧鉻區(qū)形成：鉻沿晶界擴(kuò)散的速度比在晶粒內(nèi)擴(kuò)散速度快，但由于碳化鉻形成速度較快，內(nèi)部的鉻來(lái)不及向晶界擴(kuò)散，所以在晶間所形成的碳化鉻所需的鉻主要來(lái)自晶界附近，結(jié)果使晶界附近的含鉻量大為減少。當(dāng)晶界的鉻的質(zhì)量分?jǐn)?shù)低到小于時(shí)，就形成 “貧鉻區(qū)”。電解拋光腐蝕，電壓、電流范圍大，可同時(shí)滿(mǎn)足各種材料的拋光和腐蝕。重慶晶間腐蝕經(jīng)濟(jì)實(shí)用

低倍加熱腐蝕樣品托盤(pán)可完全取出，清洗容易。重慶晶間腐蝕經(jīng)濟(jì)實(shí)用

晶間腐蝕是什么？以晶間腐蝕為起源，在應(yīng)力和介質(zhì)的共同作用下，可使不銹鋼、鋁合金等誘發(fā)晶間應(yīng)力腐蝕，所以晶間腐蝕有時(shí)是應(yīng)力腐蝕的先導(dǎo)，在通常腐蝕條件下，鈍化合金組織中的晶界活性不大，但當(dāng)它具有晶間腐蝕的敏感性時(shí)，晶間活性很大，即晶格粒與晶界之間存在著一定的電位差，這主要是合金在受熱不當(dāng)時(shí)，組織發(fā)生改變而引起的。所以晶間腐蝕是一種由組織電化學(xué)不均勻性引起的局部腐蝕蝕。此外晶界存在雜質(zhì)時(shí)，在一定介質(zhì)也也會(huì)引起晶間腐蝕。重慶晶間腐蝕經(jīng)濟(jì)實(shí)用