低溫?zé)徭i相紅外熱成像系統(tǒng)P20

電激勵(lì)的鎖相熱成像系統(tǒng)在電子產(chǎn)業(yè)的電子漿料檢測(cè)中有用武之地，為電子漿料的質(zhì)量控制提供了重要手段，確保印刷線路的性能。電子漿料是用于印刷電子線路、電極等的關(guān)鍵材料，其導(dǎo)電性、均勻性和附著力直接影響印刷線路的性能和可靠性。電子漿料若存在顆粒團(tuán)聚、成分不均、氣泡等缺陷，會(huì)導(dǎo)致印刷線路的電阻增大、導(dǎo)電性能下降，甚至出現(xiàn)線路斷路。通過對(duì)印刷有電子漿料的基板施加電激勵(lì)，電流會(huì)沿著漿料線路流動(dòng)，缺陷處由于電阻異常，會(huì)產(chǎn)生局部溫度升高。鎖相熱成像系統(tǒng)能夠檢測(cè)到這些溫度差異，并通過分析溫度場(chǎng)的分布，評(píng)估電子漿料的質(zhì)量。例如，在檢測(cè)太陽(yáng)能電池板的銀漿電極時(shí)，系統(tǒng)可以發(fā)現(xiàn)因銀漿成分不均導(dǎo)致的電阻異常區(qū)域，這些區(qū)域會(huì)影響電池板的發(fā)電效率。檢測(cè)結(jié)果為電子漿料生產(chǎn)企業(yè)提供了質(zhì)量反饋，幫助企業(yè)優(yōu)化漿料配方和生產(chǎn)工藝，提升電子產(chǎn)業(yè)相關(guān)產(chǎn)品的生產(chǎn)質(zhì)量。鎖相熱成像系統(tǒng)讓電激勵(lì)檢測(cè)更具實(shí)用價(jià)值。低溫?zé)徭i相紅外熱成像系統(tǒng)P20

在電子行業(yè)，鎖相熱成像系統(tǒng)為芯片檢測(cè)帶來了巨大的變革。芯片結(jié)構(gòu)精密復(fù)雜，傳統(tǒng)的檢測(cè)方法不僅效率低下，還可能對(duì)芯片造成損傷。而鎖相熱成像系統(tǒng)通過對(duì)芯片施加周期性的電激勵(lì)，使芯片內(nèi)部因故障產(chǎn)生的微小溫度變化得以顯現(xiàn)，系統(tǒng)能夠敏銳捕捉到這些變化，進(jìn)而定位電路中的短路、虛焊等故障點(diǎn)。其非接觸式的檢測(cè)方式，從根本上避免了對(duì)精密電子元件的損傷，同時(shí)提升了芯片質(zhì)檢的效率與準(zhǔn)確性。在芯片生產(chǎn)的大規(guī)模質(zhì)檢中，它能夠快速篩選出不合格產(chǎn)品，為電子行業(yè)的高質(zhì)量發(fā)展提供了有力支持。制造鎖相紅外熱成像系統(tǒng)P20高靈敏度鎖相熱成像技術(shù)能夠檢測(cè)到極微小的熱信號(hào)，可檢測(cè)低至uA級(jí)漏電流或微短路缺陷。

失效背景調(diào)查就像是為芯片失效分析開啟“導(dǎo)航系統(tǒng)”，能幫助分析人員快速了解芯片的基本情況，為后續(xù)工作奠定基礎(chǔ)。收集芯片型號(hào)是首要任務(wù)，不同型號(hào)的芯片在結(jié)構(gòu)、功能和特性上存在差異，這是開展分析的基礎(chǔ)信息。同時(shí)，了解芯片的應(yīng)用場(chǎng)景也不可或缺，是用于消費(fèi)電子、工業(yè)控制還是航空航天等領(lǐng)域，不同的應(yīng)用場(chǎng)景對(duì)芯片的性能要求不同，失效原因也可能大相徑庭。失效模式的收集同樣關(guān)鍵，短路、漏電、功能異常等不同的失效模式，指向的潛在問題各不相同。比如短路可能是由于內(nèi)部線路故障，而漏電則可能與芯片的絕緣性能有關(guān)。失效比例的統(tǒng)計(jì)也有重要意義，如果同一批次芯片失效比例較高，可能暗示著設(shè)計(jì)缺陷或制程問題；如果只是個(gè)別芯片失效，那么應(yīng)用不當(dāng)?shù)目赡苄韵鄬?duì)較大。

先進(jìn)的封裝應(yīng)用、復(fù)雜的互連方案和更高性能的功率器件的快速增長(zhǎng)給故障定位和分析帶來了前所未有的挑戰(zhàn)。有缺陷或性能不佳的半導(dǎo)體器件通常表現(xiàn)出局部功率損耗的異常分布，導(dǎo)致局部溫度升高。RTTLIT系統(tǒng)利用鎖相紅外熱成像進(jìn)行半導(dǎo)體器件故障定位，可以準(zhǔn)確有效地定位這些目標(biāo)區(qū)域。LIT是一種動(dòng)態(tài)紅外熱成像形式，與穩(wěn)態(tài)熱成像相比，其可提供更好的信噪比、更高的靈敏度和更高的特征分辨率。LIT可在IC半導(dǎo)體失效分析中用于定位線路短路、ESD缺陷、氧化損壞、缺陷晶體管和二極管以及器件閂鎖。LIT可在自然環(huán)境中進(jìn)行，無需光屏蔽箱。電激勵(lì)配合鎖相熱成像系統(tǒng)，檢測(cè)精密電子元件缺陷。

性能參數(shù)的突破更凸顯技術(shù)實(shí)力。RTTLIT P20 的測(cè)溫靈敏度達(dá) 0.1mK，意味著能捕捉到 0.0001℃的溫度波動(dòng)，相當(dāng)于能檢測(cè)到低至 1μW 的功率變化 —— 這一水平足以識(shí)別芯片內(nèi)部柵極漏電等隱性缺陷；2μm 的顯微分辨率則讓成像精度達(dá)到微米級(jí)，可清晰呈現(xiàn)芯片引線鍵合處的微小熱異常。而 RTTLIT P10 雖采用非制冷型探測(cè)器，卻通過算法優(yōu)化將鎖相靈敏度提升至 0.001℃，在 PCB 板短路、IGBT 模塊局部過熱等檢測(cè)場(chǎng)景中，既能滿足精度需求，又具備更高的性價(jià)比。此外，設(shè)備的一體化設(shè)計(jì)將可見光、熱紅外、微光三大成像模塊集成，配合自動(dòng)化工作臺(tái)的精細(xì)控制，實(shí)現(xiàn)了 “一鍵切換檢測(cè)模式”“雙面觀測(cè)無死角” 等便捷操作，大幅降低了操作復(fù)雜度。電激勵(lì)激發(fā)缺陷熱特征，鎖相熱成像系統(tǒng)識(shí)別。熱紅外成像鎖相紅外熱成像系統(tǒng)與光學(xué)顯微鏡對(duì)比

鎖相熱成像系統(tǒng)提升電激勵(lì)檢測(cè)的缺陷識(shí)別率。低溫?zé)徭i相紅外熱成像系統(tǒng)P20

從技術(shù)原理來看，該設(shè)備構(gòu)建了一套完整的 “熱信號(hào)捕捉 - 解析 - 成像” 體系。其搭載的高性能探測(cè)器（如 RTTLIT P20 采用的 100Hz 高頻深制冷型紅外探測(cè)器）能敏銳捕捉中波紅外波段的熱輻射，配合 InGaAs 微光顯微鏡模塊，可同時(shí)實(shí)現(xiàn)熱信號(hào)與光子發(fā)射的同步觀測(cè)。在檢測(cè)過程中，設(shè)備先通過熱紅外顯微鏡快速鎖定可疑區(qū)域，再啟動(dòng) RTTLIT 系統(tǒng)的鎖相功能：施加周期性電信號(hào)激勵(lì)后，缺陷會(huì)產(chǎn)生與激勵(lì)頻率同步的微弱熱響應(yīng)，鎖相模塊過濾掉環(huán)境噪聲，將原本被掩蓋的熱信號(hào)放大并成像。這種 “先定位、再聚焦” 的模式，既保證了檢測(cè)效率，又突破了傳統(tǒng)設(shè)備對(duì)微弱信號(hào)的檢測(cè)極限。低溫?zé)徭i相紅外熱成像系統(tǒng)P20