可控硅在整流電路中的工作原理應(yīng)用 在整流電路中，可控硅的工作原理體現(xiàn)為對交流電的定向控制。以單相半控橋整流為例，交流正半周時，陽極受正向電壓的可控硅在觸發(fā)信號作用下導(dǎo)通，電流經(jīng)負載形成回路；負半周時，反向并聯(lián)的二極管導(dǎo)通，可控硅因反向電壓阻斷。通過改變觸發(fā)信號出現(xiàn)的時刻（控制角），可調(diào)節(jié)可控硅的導(dǎo)通時間，從而改變輸出直流電壓的平均值。全控橋整流則利用四只可控硅，通過對稱觸發(fā)控制正負半周電流，實現(xiàn)全波整流?？煽毓璧膯蜗?qū)ê涂煽赜|發(fā)特性，使整流電路既能實現(xiàn)電能轉(zhuǎn)換，又能靈活調(diào)節(jié)輸出，滿足不同負載需求。 可控硅開關(guān)速度快，適用于高頻應(yīng)用場景。絕緣型可控硅模塊可控硅按功能集成度分類：基礎(chǔ)型與智能...

按材料體系分類：硅基與寬禁帶可控硅 傳統(tǒng)硅基可控硅仍是市場主流，如ONSemiconductor的MC3043。但碳化硅（SiC）可控硅如ROHM的SCS220KG已實現(xiàn)商業(yè)化，其耐溫可達200℃以上，開關(guān)損耗降低60%，特別適合新能源汽車OBC（車載充電機）。不過，SiC器件的導(dǎo)通電阻（Ron）目前仍比硅基高30%，且價格昂貴（約10倍）。氮化鎵（GaN）可控硅尚處實驗室階段，但理論開關(guān)頻率可達MHz級。材料選擇需綜合評估系統(tǒng)效率、散熱條件和成本預(yù)算，當(dāng)前工業(yè)領(lǐng)域仍以優(yōu)化后的硅基方案（如場終止型FS-IGBT混合模塊）為主流過渡方案。 可控硅按控制方式分類，分為單向可控硅和雙向可控硅。S...