電流放大原理,下面的分析只對于NPN型硅三極管.我們把從基極B流至發(fā)射極E的電流叫做基極電流Ib;把從集電極C流至發(fā)射極E的電流叫做集電極電...
MOSFET的特性和作用:MOS管導(dǎo)作用,MOS管的柵極G和源極S之間是絕緣的,由于SiO2絕緣層的存在,在柵極G和源極S之間等效是一個電容...
普通二極管是由一個PN結(jié)構(gòu)成的半導(dǎo)體器件,即將一個PN結(jié)加一兩條電極引線做成管芯,并用管殼封裝而成。P型區(qū)的引出線稱為正極或陽極,N型區(qū)的引...
搭建如下電路,使集電結(jié)反偏,發(fā)射結(jié)正偏。反向偏置的集電結(jié)在外部電場的幫助下變寬,同時正向偏置的發(fā)射結(jié),由于內(nèi)部電場被削弱,自由電子擴散運動增...
公司成立以來即專注于MOSFET、IGBT等半導(dǎo)體芯片和功率器件的研發(fā)、設(shè)計及銷售,產(chǎn)品質(zhì)量優(yōu)且系列齊全,廣泛應(yīng)用于消費電子、汽車電子、工業(yè)電子、新能源汽車及充電樁、智能裝備制造、軌道交通、光伏新能源、5G等領(lǐng)域;未來隨著云計算、大數(shù)據(jù)、智能電網(wǎng)、無人駕駛等領(lǐng)域的蓬勃發(fā)展。