?大功率芯片的一種重要類型是硅基氮化鎵芯片?。硅基氮化鎵芯片結(jié)合了硅襯底的成本效益和氮化鎵材料的優(yōu)越性能。氮化鎵作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，具...
硅片是流片加工的基礎(chǔ)材料，其質(zhì)量直接影響芯片的性能和可靠性。因此，在選擇硅片時(shí)，需要綜合考慮硅片的純度、平整度、厚度等因素。選定硅片后，還需...
退火則是在一定的溫度和時(shí)間條件下，使硅片內(nèi)部的應(yīng)力得到釋放，從而改善材料的機(jī)械性能和電學(xué)性能。這些步驟的精確控制對(duì)于提高芯片的質(zhì)量和可靠性至...
通過引入人工智能和機(jī)器學(xué)習(xí)技術(shù)，可以實(shí)現(xiàn)對(duì)工藝流程的智能優(yōu)化和預(yù)測；通過開發(fā)新的材料和工藝技術(shù)，可以實(shí)現(xiàn)更小尺寸、更高性能和更低功耗的芯片制...
南京中電芯谷高頻器件產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院成立于2018年5月24日，研究院依托固態(tài)微波器件與電路全國重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室（南京）、中國電科五十五所，聚焦高頻電子器件領(lǐng)域，圍繞太赫茲技術(shù)、微波毫米波芯片、光電集成芯片、異質(zhì)異構(gòu)集成芯片、碳電子器件五大研究方向開展產(chǎn)業(yè)共性關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)、科技成果集成、技術(shù)轉(zhuǎn)移轉(zhuǎn)化、技術(shù)服務(wù)、產(chǎn)業(yè)發(fā)展戰(zhàn)略研究、高科技企業(yè)孵化，建成先進(jìn)的高頻器件產(chǎn)業(yè)孵化平臺(tái)，推進(jìn)高頻器件產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程。
