深圳瓷片電容麥克風

來源: 發(fā)布時間:2022-08-15

    并聯后的各個電容兩端電壓相等;并聯后的耐壓取決于耐壓**小的那個電容電壓。電容器的類型電容器是一種兩塊導體中間夾著一塊絕緣體(介質)構成的電子元件。電容的類型按照容量是否可變分為固定電容器和可變電容器兩大類;按照介質類型可分為無機介質電容器、有機介質電容器和電解電容器三大類。不同介質的電容,在結構、成本、特性、用途方面都大不相同。無機介質電容器:包括陶瓷電容以及云母電容等。在CPU上我們會經??吹教沾呻娙?。陶瓷電容的綜合性能很好,可以應用GHz級別的超高頻器件上,比如CPU/GPU。當然,它的價格也很貴。云母電容(CY)電容量:10p--0。1μ額定電壓:100V--7kV主要特點:高穩(wěn)定性,高可靠性,溫度系數小。應用:高頻振蕩,脈沖等要求較高的電路高頻瓷介電容(CC)電容量:1--6800p額定電壓:63--500V主要特點:高頻損耗小,穩(wěn)定性好。應用于高頻電路。低頻瓷介電容(CT)電容量:10p--4。7μ額定電壓:50V--100V主要特點:體積小,價廉,損耗大,穩(wěn)定性差。應用:要求不高的低頻電路玻璃釉電容(CI)電容量:10p--0。1μ額定電壓:63--400V主要特點:穩(wěn)定性較好,損耗小,耐高溫(200度)。應用:脈沖、耦合、旁路等電路單片陶瓷電容器。國巨高壓電容原裝現貨。深圳瓷片電容麥克風

    精度等級與允許誤差對應關系:00(01)-±1%、0(02)-±2%、Ⅰ-±5%、Ⅱ-±10%、Ⅲ-±20%、Ⅳ-(+20%-10%)、Ⅴ-。+50%-20%)、Ⅵ-(+50%-30%)一般電容器常用Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ級,電解電容器用Ⅳ、Ⅴ、Ⅵ級,根據用途選取。額定電壓在低環(huán)境溫度和額定環(huán)境溫度下可連續(xù)加在電容器的高直流電壓有效值,一般直接標注在電容器外殼上,如果工作電壓超過電容器的耐壓,電容器擊穿,造成不可修復的長久損壞。電容器應用在高壓場合時,必須注意電暈的影響。電暈是由于在介質/電極層之間存在空隙而產生的,它除了可以產生損壞設備的寄生信號外,還會導致電容器介質擊穿。在交流或脈動條件下,電暈特別容易發(fā)生。對于所有的電容器,在使用中應保證直流電壓與交流峰值電壓之和不的超過直流電壓額定值。絕緣電阻直流電壓加在電容上,并產生漏電電流,兩者之比稱為絕緣電阻.當電容較小時,主要取決于電容的表面狀態(tài),容量〉,主要取決于介質的性能,絕緣電阻越小越好。電容的時間常數:為恰當的評價大容量電容的絕緣情況而引入了時間常數,他等于電容的絕緣電阻與容量的乘積。損耗角正切(tgδ):電容在電場作用下,在單位時間內因發(fā)熱所消耗的能量叫做損耗。南山區(qū)陶瓷電容質量好的深圳國巨電容代理商公司。

    QualityFactor)和電感一樣,可以定義電容的品質因數,也就是Q值,也就是電容的儲存功率與損耗功率的比:Qc=(1/ωC)/ESRQ值對高頻電容是比較重要的參數。自諧振頻率(Self-ResonanceFrequency)由于ESL的存在,與C一起構成了一個諧振電路,其諧振頻率便是電容的自諧振頻率。在自諧振頻率前,電容的阻抗隨著頻率增加而變?。辉谧灾C振頻率后,電容的阻抗隨著頻率增加而變小,就呈現感性;如下圖所示:圖出自TaiyoYuden的EMK042BJ332MC-W規(guī)格書二、電容的工藝與結構根據電容公式,電容量的大小除了與電容的尺寸有關,與電介質的介電常數(Permittivity)有關。電介質的性能影響著電容的性能,不同的介質適用于不同的制造工藝。常用介質的性能對比,可以參考AVX的一篇技術文檔。AVXDielectricComparisonChart電容的制造工藝主要可以分為三大類:·薄膜電容(FilmCapacitor)·電解電容(ElectrolyticCapacitor)·陶瓷電容(CeramicCapacitor)1薄膜電容(FilmCapacitor)FilmCapacitor在國內通常翻譯為薄膜電容,但和ThinFilm工藝是不一樣的。為了區(qū)分,個人認為直接翻譯為膜電容好點。薄膜電容是通過將兩片帶有金屬電極的塑料膜卷繞成一個圓柱形,極后封裝成型;由于其介質通常是塑料材料。

    電容大的影響就是溫度,因為溫度越高電解液的揮發(fā)損耗越快。需要注意的是這里的溫度不是指環(huán)境或表面溫度,是指鋁箔工作溫度。廠商通常會將電容壽命和測試溫度標注在電容本體。在特定的頻率下,阻礙交流電流通過的電阻即為所謂的阻抗。它與電容等效電路中的電容值、電感值密切相關,且與ESR也有關系。電容的容抗在低頻率范圍內隨著頻率的增加逐步減小,頻率繼續(xù)增加達到中頻范圍時電抗降至ESR的值。當頻率達到高頻范圍時感抗變?yōu)橹鲗?,所以阻抗是隨著頻率的增加而增加。開關電源中的輸出濾波電解電容器,其鋸齒波電壓頻率高達數十kHz,甚至是數十MHz,這時電容量并不是其主要指標,衡量高頻鋁電解電容優(yōu)劣的標準是“阻抗-頻率”特性,要求在開關電源的工作頻率內要有較低的等效阻抗,同時對于半導體器件工作時產生的高頻尖峰信號具有良好的濾波作用。因電容的工作溫度每增高10℃壽命減半,所以不要以為2000小時壽命的鋁電解電容就比1000小時的好,要注意確認壽命的測試溫度。每個廠商都有溫度和壽命的計算公式,在設計電容時要參照實際數據進行計算。需要了解的是要提高鋁電解電容的壽命,要降低工作溫度,在PCB上遠離熱源,第二考慮使用最高工作溫度高的電容。華科電容一級代理商。

    不過大都是長這樣:圖片來源于百度圖片而聚合物鋁電解電容的封裝長這樣:圖片來自Murata網站引申閱讀:·PolymerCapacitorBasics(Part1):WhatIsaPolymerCapacitor?·PolymerCapacitorBasics(Part2):WhatIsaPolymerCapacitor?鉭電解電容(Tantalumelectrolyticcapacitors)鉭(拼音tǎn)電解電容應用極多的應該是利用二氧化錳做固態(tài)電解質,主要長這樣:圖片出自SolidTantalumMnO2Capacitors固態(tài)鉭電解電容內部結構大致如下圖所示:原圖出自Vishay技術文檔鉭電容與鋁電解電容比,在于鉭氧化物(五氧化二鉭)的介電常數比鋁氧化物(三氧化二鋁)的高不少,這樣相同的體積,鉭電容容量要比鋁電解電容的要大。鉭電容壽命較長,電性能更加穩(wěn)定。鉭電容也有利用導電高分子聚合物(ConductivePolymer)做電解質,結構與上圖二氧化錳鉭電容類似,就是將二氧化錳換成導電聚合物;導電聚合物的電導率比二氧化錳高,這樣ESR就會更低。另外還有濕式的鉭電容,特點就是超大容量、高耐壓、低直流漏電流,主要用于國防和航天領域。巨新科是風華電容原產渠道。寶安區(qū)瓷片電容廠家

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    +20%-10%)、Ⅴ-(+50%-20%)、Ⅵ-(+50%-30%)一般電容器常用Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ級,電解電容器用Ⅳ、Ⅴ、Ⅵ級,根據用途選取。額定電壓在比較低環(huán)境溫度和額定環(huán)境溫度下可連續(xù)加在電容器的比較高直流電壓有效值,一般直接標注在電容器外殼上,如果工作電壓超過電容器的耐壓,電容器擊穿,造成不可修復的長久損壞。電容器應用在高壓場合時,必須注意電暈的影響。電暈是由于在介質/電極層之間存在空隙而產生的,它除了可以產生損壞設備的寄生信號外,還會導致電容器介質擊穿。在交流或脈動條件下,電暈特別容易發(fā)生。對于所有的電容器,在使用中應保證直流電壓與交流峰值電壓之和不的超過直流電壓額定值。絕緣電阻直流電壓加在電容上,并產生漏電電流,兩者之比稱為絕緣電阻.當電容較小時,主要取決于電容的表面狀態(tài),容量〉,主要取決于介質的性能,絕緣電阻越小越好。電容的時間常數:為恰當的評價大容量電容的絕緣情況而引入了時間常數,他等于電容的絕緣電阻與容量的乘積。損耗角正切(tgδ):電容在電場作用下,在單位時間內因發(fā)熱所消耗的能量叫做損耗。各類電容都規(guī)定了其在某頻率范圍內的損耗允許值,電容的損耗主要由介質損耗,電導損耗和電容所有金屬部分的電阻所引起的。深圳瓷片電容麥克風

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