甘肅DDR3測試故障

使用SystemSI進(jìn)行DDR3信號仿真和時序分析實例

SystemSI是Cadence Allegro的一款系統(tǒng)級信號完整性仿真工具，它集成了 Sigrity強(qiáng)大的 電路板、封裝等互連模型及電源分布網(wǎng)絡(luò)模型的提取功能。目前SystemSI提供并行總線分析 和串行通道分析兩大主要功能模塊，本章介紹其中的并行總線分析模塊，本書第5章介紹串 行通道分析模塊。

SystemSI并行總線分析(Parallel Bus Analysis)模塊支持IBIS和HSPICE晶體管模型， 支持傳輸線模型、S參數(shù)模型和通用SPICE模型，支持非理想電源地的仿真分析。它擁有強(qiáng) 大的眼圖、信號質(zhì)量、信號延時測量功能和詳盡的時序分析能力，并配以完整的測量分析報 告供閱讀和存檔。下面我們結(jié)合一個具體的DDR3仿真實例，介紹SystemSI的仿真和時序分 析方法。本實例中的關(guān)鍵器件包括CPU、4個DDR3 SDRAM芯片和電源模塊， 如何選擇適用于DDR3一致性測試的工具？甘肅DDR3測試故障

DDR 系統(tǒng)概述

DDR 全名為 Double Data Rate SDRAM ，簡稱為 DDR。DDR 本質(zhì)上不需要提高時鐘頻率就能加倍提高 SDRAM 的速度，它允許在時鐘的上升沿和下降沿讀/寫數(shù)據(jù)，因而其數(shù)據(jù)速率是標(biāo)準(zhǔn) SDRAM 的兩倍，至于地址與控制信號與傳統(tǒng) SDRAM 相同，仍在時鐘上升沿進(jìn)行數(shù)據(jù)判決。  DDR 與 SDRAM 的對比DDR 是一個總線系統(tǒng)，總線包括地址線、數(shù)據(jù)信號線以及時鐘、控制線等。其中數(shù)據(jù)信號線可以隨著系統(tǒng)吞吐量的帶寬而調(diào)整，但是必須以字節(jié)為單位進(jìn)行調(diào)整，例如，可以是 8 位、16 位、24 位或者 32 位帶寬等。 所示的是 DDR 總線的系統(tǒng)結(jié)構(gòu)，地址和控制總線是單向信號，只能從控制器傳向存儲芯片，而數(shù)據(jù)信號則是雙向總線。

DDR 總線的系統(tǒng)結(jié)構(gòu)DDR 的地址信號線除了用來尋址以外，還被用做控制命令的一部分，因此，地址線和控制信號統(tǒng)稱為地址/控制總線。DDR 中的命令狀態(tài)真值表。可以看到，DDR 控制器對存儲系統(tǒng)的操作，就是通過控制信號的狀態(tài)和地址信號的組合來完成的。 DDR 系統(tǒng)命令狀態(tài)真值表 甘肅DDR3測試故障如何解決DDR3一致性測試期間出現(xiàn)的錯誤？

單擊Check Stackup,設(shè)置PCB板的疊層信息。比如每層的厚度(Thickness)、介 電常數(shù)(Permittivity (Er))及介質(zhì)損耗(LossTangent)。

 單擊 Enable Trace Check Mode,確保 Enable Trace Check Mode 被勾選。在走線檢查 流程中，可以選擇檢查所有信號網(wǎng)絡(luò)、部分信號網(wǎng)絡(luò)或者網(wǎng)絡(luò)組(Net Gr。叩s)?？梢酝ㄟ^ Prepare Nets步驟來選擇需要檢查的網(wǎng)絡(luò)。本例釆用的是檢查網(wǎng)絡(luò)組。檢查網(wǎng)絡(luò)組會生成較詳 細(xì)的阻抗和耦合檢查結(jié)果。單擊Optional： Setup Net Groups,出現(xiàn)Setup Net Groups Wizard 窗口。

在Setup NG Wizard窗口中依次指定Tx器件、Rx器件、電源地網(wǎng)絡(luò)、無源器件及 其模型。

DDR3（Double Data Rate 3）是一種常見的動態(tài)隨機(jī)存取存儲器（DRAM）標(biāo)準(zhǔn)，它定義了數(shù)據(jù)傳輸和操作時的時序要求。以下是DDR3規(guī)范中常見的時序要求：

初始時序（Initialization Timing）tRFC：內(nèi)存行刷新周期，表示在關(guān)閉時需要等待多久才能開啟并訪問一個新的內(nèi)存行。tRP/tRCD/tRA：行預(yù)充電時間、行開放時間和行訪問時間，分別表示在執(zhí)行讀或?qū)懖僮髦靶枰A(yù)充電的短時間、行打開后需要等待的短時間以及行訪問的持續(xù)時間。tWR：寫入恢復(fù)時間，表示每次寫操作之間小需要等待的時間。數(shù)據(jù)傳輸時序（Data Transfer Timing）tDQSS：數(shù)據(jù)到期間延遲，表示內(nèi)存控制器在發(fā)出命令后應(yīng)該等待多長時間直到數(shù)據(jù)可用。tDQSCK：數(shù)據(jù)到時鐘延遲，表示從數(shù)據(jù)到達(dá)內(nèi)存控制器到時鐘信號的延遲。tWTR/tRTW：不同內(nèi)存模塊之間傳輸數(shù)據(jù)所需的小時間，包括列之間的轉(zhuǎn)換和行之間的轉(zhuǎn)換。tCL：CAS延遲，即列訪問延遲，表示從命令到讀或?qū)懖僮鞯挠行?shù)據(jù)出現(xiàn)之間的延遲。刷新時序（Refresh Timing）tRFC：內(nèi)存行刷新周期，表示多少時間需要刷新一次內(nèi)存行。 DDR3一致性測試是否包括高負(fù)載或長時間運(yùn)行測試？

DDR4： DDR4釆用POD12接口，I/O 口工作電壓為1.2V；時鐘信號頻率為800?1600MHz； 數(shù)據(jù)信號速率為1600?3200Mbps；數(shù)據(jù)命令和控制信號速率為800?1600Mbps。DDR4的時 鐘、地址、命令和控制信號使用Fly-by拓?fù)渥呔€；數(shù)據(jù)和選通信號依舊使用點對點或樹形拓 撲，并支持動態(tài)ODT功能；也支持Write Leveling功能。

綜上所述，DDR1和DDR2的數(shù)據(jù)和地址等信號都釆用對稱的樹形拓?fù)?；DDR3和DDR4的數(shù)據(jù)信號也延用點對點或樹形拓?fù)?。升級到DDR2后，為了改進(jìn)信號質(zhì)量，在芯片內(nèi)為所有數(shù)據(jù)和選通信號設(shè)計了片上終端電阻ODT(OnDieTermination)，并為優(yōu)化時序提供了差分的選通信號。DDR3速率更快，時序裕量更小，選通信號只釆用差分信號。 是否可以通過重新插拔DDR3內(nèi)存模塊解決一致性問題？甘肅DDR3測試故障

DDR3一致性測試是否可以修復(fù)一致性問題？甘肅DDR3測試故障

"DDRx"是一個通用的術(shù)語，用于表示多種類型的動態(tài)隨機(jī)存取存儲器（DRAM）標(biāo)準(zhǔn)，包括DDR2、DDR3和DDR4等。這里的"x"可以是任意一個數(shù)字，了不同的DDR代數(shù)。每一代的DDR標(biāo)準(zhǔn)在速度、帶寬、電氣特性等方面都有所不同，以適應(yīng)不斷增長的計算需求和技術(shù)發(fā)展。下面是一些常見的DDR標(biāo)準(zhǔn)：DDR2：DDR2是第二代DDR技術(shù)，相比于DDR，它具有更高的頻率和帶寬，以及更低的功耗。DDR2還引入了一些新的技術(shù)和功能，如多通道架構(gòu)和前瞻性預(yù)充電（prefetch）。DDR3：DDR3是第三代DDR技術(shù)，進(jìn)一步提高了頻率和帶寬，并降低了功耗。DDR3內(nèi)存模塊具有更高的密度和容量，可以支持更多的內(nèi)存。DDR4：DDR4是第四代DDR技術(shù)，具有更高的頻率和帶寬，較低的電壓和更高的密度。DDR4內(nèi)存模塊相對于之前的DDR3模塊來說，能夠提供更大的容量和更高的性能。每一代的DDR標(biāo)準(zhǔn)都會有自己的規(guī)范和時序要求，以確保DDR內(nèi)存模塊的正常工作和兼容性。DDR技術(shù)在計算機(jī)系統(tǒng)、服務(wù)器、嵌入式設(shè)備等領(lǐng)域廣泛應(yīng)用，能夠提供快速和高效的數(shù)據(jù)訪問和處理能力。甘肅DDR3測試故障