1.射頻微波功率放大器及其應(yīng)用放大器是用來以更大的功率、更大的電流,更大的電壓再現(xiàn)信號的部件。在信號處理過程中不可或缺的放大器,既可以做成用在助聽器里的微晶片,也可以做成像多層建筑那么大以便向水下潛艇或外層空間傳輸無線電信號。功率放大器可以被認(rèn)為是將直流(DC)輸入轉(zhuǎn)換成射頻和微波能量的電路。不是在電磁兼容領(lǐng)域需要在射頻和微波頻率上產(chǎn)生足夠的功率,在無線通信、雷達(dá)和雷達(dá)干擾,醫(yī)療功率發(fā)射機(jī)和高能成像系統(tǒng)等領(lǐng)域都需要,每種應(yīng)用領(lǐng)域都有它對頻率、帶寬、負(fù)載、功率、效率和成本的獨特要求。射頻和微波功率可以利用不同的技術(shù)和不同的器件來產(chǎn)生。本文著重介紹在EMC應(yīng)用中普遍使用的固態(tài)射頻功率放大器技術(shù),這種固態(tài)放大器的頻率可以達(dá)到6GHz甚至更高,采用了A類,AB類、B類或C類放大器的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。2.射頻微波功率晶體管概述隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷進(jìn)步,可用于RF功率放大器的器件和種類越來越多。各種封裝器件被普遍采用,圖1顯示了一個典型的蓋子被移除的晶體管。這是一個大功率為60W的采用了GaAsFET的平衡微波晶體管,適合推挽式的AB類放大器使用。射頻功率放大器(RF PA)是發(fā)射系統(tǒng)中的主要部分,其重要性不言而喻。江西大功率射頻功率放大器經(jīng)驗豐富
通過微處理器發(fā)出的第五控制信號和第六控制信號,控制電壓源檔位的切換,可切換第三mos管的柵極電壓,從而調(diào)節(jié)驅(qū)動放大電路的放大倍數(shù)。通過調(diào)節(jié)驅(qū)動放大電路的放大倍數(shù)使射頻功率放大器電路處于不同的增益模式中。第二電壓信號vcc用于給第二mos管和第三mos管的漏級供電,其中,通過微處理器控制vcc的大小。在一些實施例中,當(dāng)?shù)诙os管和第三mos管的溝道寬度為2mm時,微控制器控制vcc為,控制電流源為12ma,控制電壓源為,使射頻功率放大器電路實現(xiàn)非負(fù)增益模式;微控制器控制vcc為,控制電流源為2ma,控制電壓源為,使射頻功率放大器電路實現(xiàn)負(fù)增益模式。顯然,可以設(shè)置更多的電壓源的檔位和電流源的檔位,通過切換不同的電壓源檔位、電流源檔位,并對第二mos管和第三mos管的漏級的供電電壓vcc進(jìn)行控制,從而實現(xiàn)增益的線性調(diào)節(jié)。需要說明的是,第二偏置電路與偏置電路結(jié)構(gòu)相同,其調(diào)節(jié)方法也與偏置電路相同,當(dāng)?shù)谒膍os管和第五mos管的溝道寬度為5mm時,微控制器控制第四mos管對應(yīng)的電流源為45ma,控制第五mos管對應(yīng)的電壓源為,使射頻功率放大器電路實現(xiàn)非負(fù)增益模式;微控制器控制第四mos管對應(yīng)的電流為6ma,控制第五mos管對應(yīng)的電壓源為。安徽射頻功率放大器參數(shù)甲類工作狀態(tài):功放大器在信號周期內(nèi)始終存在工作電流,即導(dǎo)通角0為360度。
每個主體電路中的功率放大器包括2個共源共柵放大器;在每個主體電路率放大器源放大器的柵極連接自適應(yīng)動態(tài)偏置電路的輸出端,功率放大器柵放大器的柵極連接自適應(yīng)動態(tài)偏置電路的第二輸出端;在主體電路,功率放大器源放大器的柵極與激勵放大器的輸出端連接,功率放大器柵放大器的漏極連接第三變壓器的原邊;在第二主體電路,功率放大器源放大器的柵極與激勵放大器的輸出端連接,功率放大器柵放大器的漏極連接第四變壓器的原邊??蛇x的,變壓器的原邊和第二變壓器的原邊之間還連接有電容,變壓器副邊的中端和第二變壓器副邊的中端分別通過電阻連接偏置電壓,偏置電壓用于為激勵放大器中的共源放大器提供偏置電壓;激勵放大器柵放大器的柵極通過電阻接第二偏置電壓??蛇x的,第三變壓器的副邊和第四變壓器的副邊之間還連接有電容,第三變壓器原邊的中端和第四變壓器原邊的中端分別通過電感連接電源電壓、以及連接接地電容。本申請技術(shù)方案,至少包括如下優(yōu)點:通過自適應(yīng)動態(tài)偏置電路動態(tài)調(diào)整功率放大器源共柵放大器的柵極偏置電壓,提高了射頻功率放大器的線性度。附圖說明為了更清楚地說明本申請具體實施方式或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案。
是為了便于描述本申請和簡化描述,而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作,因此不能理解為對本申請的限制。此外,術(shù)語“”、“第二”、“第三”用于描述目的,而不能理解為指示或暗示相對重要性。在本申請的描述中,需要說明的是,除非另有明確的規(guī)定和限定,術(shù)語“安裝”、“相連”、“連接”應(yīng)做廣義理解,例如,可以是固定連接,也可以是可拆卸連接,或一體地連接;可以是機(jī)械連接,也可以是電氣連接;可以是直接相連,也可以通過中間媒介間接相連,還可以是兩個元件內(nèi)部的連通,可以是無線連接,也可以是有線連接。對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言,可以具體情況理解上述術(shù)語在本申請中的具體含義。此外,下面所描述的本申請不同實施方式中所涉及的技術(shù)特征只要彼此之間未構(gòu)成就可以相互結(jié)合。請參考圖1,其示出了本申請實施例提供的一種高線性射頻功率放大器的結(jié)構(gòu)示意圖。該高線性射頻功率放大器包括功率放大器、激勵放大器、匹配網(wǎng)絡(luò)和自適應(yīng)動態(tài)偏置電路。自適應(yīng)動態(tài)偏置電路用于根據(jù)輸入功率等級調(diào)節(jié)功率放大器的輸出柵極偏置電壓。功率放大器通過匹配網(wǎng)絡(luò)和激勵放大器連接射頻輸入端rfin。目前功率放大器的主流工藝依然是GaAs,GAN和LDMOS工藝。
第二端接地??蛇x的,所述子濾波電路包括:電容;所述電容的端與所述功率合成變壓器的輸入端以及所述功率放大單元的輸出端耦接,第二端接地。可選的,所述子濾波電路還包括:電感;所述電感串聯(lián)在所述電容的第二端與地之間。可選的,所述第二子濾波電路包括:第二電容;所述第二電容的端與所述功率合成變壓器的第二輸入端以及所述功率放大單元的第二輸出端耦接,第二端接地??蛇x的,所述第二子濾波電路還包括:第二電感;所述第二電感串聯(lián)在所述第二電容的第二端與地之間??蛇x的,所述輸入端匹配濾波電路還包括:寄生電容;所述寄生電容耦接在所述功率放大單元的輸出端與所述功率放大單元的第二輸出端之間??蛇x的,所述輸出端匹配濾波電路包括第三子濾波電路;所述第三子濾波電路的端與所述輔次級線圈的第二端耦接,第二端接地??蛇x的,所述第三子濾波電路包括:第三電容;所述第三電容的端與所述輔次級線圈的第二端耦接,第二端接地。可選的,所述第三子濾波電路還包括:第三電感;所述第三電感串聯(lián)在所述第三電容的第二端與地之間。可選的,所述輸出端匹配濾波電路還包括第四子濾波電路;所述第四子匹配濾波電路的端與所述主次級線圈的第二端耦接。微波固態(tài)功率放大器的電路設(shè)計應(yīng)盡可能合理簡化。云南L波段射頻功率放大器定制
由于進(jìn)行大功率放大設(shè)計,電路必然產(chǎn)生許多諧波,匹配電路還需要有濾 波功能。江西大功率射頻功率放大器經(jīng)驗豐富
則該阻抗與rfin端的輸入阻抗zin共軛匹配,zin=r0-jx0;加入可控衰減電路后,在輸入匹配電路101之前并聯(lián)接地的r2和sw1所在的支路中,為保證有效的功率衰減,r2一般控制得較小,故對r0影響可以忽略。sw1關(guān)斷時,r2和sw1所在的支路可以等效成寄生電抗xc,此時,可控衰減電路和輸入匹配電路的等效阻抗zeq=(r0+jx0)//jxc+jxl,其中,“//”表示并聯(lián),zeq的實部小于r0,為了使等效阻抗與輸入阻抗盡可能的匹配,減少影響,需要zeq的虛部im(zeq)=x0,在r0、x0和xc的數(shù)值已知的情況下,根據(jù)等效阻抗zeq的表達(dá)式可以計算出xl,進(jìn)而得到電感l(wèi)1的電感值,其中,由于電感l(wèi)1被集成在硅基芯片上,所以電感l(wèi)的品質(zhì)因數(shù)q值一般不大于5。為了進(jìn)一步提高電路實用性,并提高射頻耐壓和靜電保護(hù)能力,本申請實施例的進(jìn)一步形式是將并聯(lián)支路的r換成sw2(如圖4所示),通過控制sw1和sw2的柵極的寬長比控制導(dǎo)通的寄生電阻和關(guān)斷的寄生電容以及esd能力。換句話說,在做設(shè)計時控制sw1和sw2的柵極的寬長比w/l,可以獲得期望的ron,其中:開關(guān)導(dǎo)通的電阻:ron=1/(μ*cox*(w/l)*(vgs-vth)),其中,*表示乘號,μ是指電子遷移率,cox是指單位面積的柵氧化層電容,w/l是指cmos器件有效溝道長度的寬長比。江西大功率射頻功率放大器經(jīng)驗豐富
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