長(zhǎng)寧區(qū)常見(jiàn)電子元器件MOSFET

無(wú)錫商甲半導(dǎo)體有限公司為一家功率半導(dǎo)體設(shè)計(jì)公司,專業(yè)從事各類高性能MOSFET、IGBT、SIC產(chǎn)品的研發(fā)、生產(chǎn)與銷售?？偛课挥诮K省無(wú)錫市經(jīng)開(kāi)區(qū),是無(wú)錫市太湖人才計(jì)劃重點(diǎn)引進(jìn)項(xiàng)目。

MOSFET根據(jù)閾值電壓特性分為增強(qiáng)型和耗盡型兩類

增強(qiáng)型：在零柵極電壓時(shí)處于關(guān)閉狀態(tài)，需施加正電壓才能形成導(dǎo)電通道；

耗盡型：在零柵極電壓時(shí)已存在導(dǎo)電通道，需施加負(fù)電壓才能關(guān)閉通道。

MOSFET是大規(guī)模及超大規(guī)模集成電路中采用得的半導(dǎo)體器件，其高集成度、低功耗和高可靠性使其成為現(xiàn)代微電子技術(shù)的基石。尤其在數(shù)字邏輯電路中，MOSFET的開(kāi)關(guān)特性為二進(jìn)制計(jì)算提供了物理基礎(chǔ)。 無(wú)錫商甲半導(dǎo)體提供專業(yè)mosfet產(chǎn)品,多年行業(yè)經(jīng)驗(yàn),提供技術(shù)支持,銷向全國(guó)!發(fā)貨快捷,質(zhì)量保證.長(zhǎng)寧區(qū)常見(jiàn)電子元器件MOSFET

SOP（SmallOut-LinePackage）的中文釋義為“小外形封裝”它屬于表面貼裝型封裝技術(shù)，其引腳設(shè)計(jì)呈海鷗翼狀（L字形），從封裝兩側(cè)引出。這種封裝方式可使用塑料或陶瓷兩種材料。此外，SOP也被稱為SOL和DFP。2、SOP封裝標(biāo)準(zhǔn)涵蓋了SOP-8、SOP-16、SOP-20、SOP-28等多種規(guī)格，其中數(shù)字部分表示引腳數(shù)量。在MOSFET的封裝中，SOP-8規(guī)格被采用，且業(yè)界常將P*部分省略，簡(jiǎn)稱為so（SmallOut-Line）。

SO-8采用塑料封裝，未配備散熱底板，因此散熱效果一般，主要適用于小功率MOSFET。

SO-8封裝技術(shù)初由PHILIP公司開(kāi)發(fā)，隨后逐漸演變?yōu)門SOP（薄小外形封裝）、VSOP（甚小外形封裝）、SSOP（縮小型SOP）以及TSSOP（薄的縮小型SOP）等標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格。 12V至200V P MOSFET電子元器件MOSFET晶圓商甲半導(dǎo)體40V產(chǎn)品主要用于無(wú)人機(jī)、BMS、電動(dòng)工具、汽車電子。

NMOS:NMOS是一種N型場(chǎng)效應(yīng)管，具有N型溝道和P型襯底。其工作原理是通過(guò)在柵極(G)和源極(S)之間施加正向電壓，使得P型襯底中的自由電子被吸引到柵極下方的區(qū)域，形成N型導(dǎo)電溝道，從而使漏極(D)和源極(S)之間導(dǎo)通。NMOS的導(dǎo)通條件是柵極電壓高于源極電壓一定值(即柵極閾值電壓)。

PMOS:PMOS是一種P型場(chǎng)效應(yīng)管，具有P型溝道和N型襯底。其工作原理與NMOS相反，通過(guò)在柵極(G)和源極(S)之間施加反向電壓，使得N型襯底中的空穴被吸引到柵極下方的區(qū)域，形成P型導(dǎo)電溝道，從而使漏極(D)和源極(S)之間導(dǎo)通。PMOS的導(dǎo)通條件是柵極電壓低于源極電壓一定值(即柵極閾值電壓)。

NMOS和PMOS的優(yōu)缺點(diǎn)

NMOS:響應(yīng)速度快，導(dǎo)通電阻低，價(jià)格相對(duì)較低，型號(hào)多。但在驅(qū)動(dòng)中，由于源極通常接地，可能不適合所有應(yīng)用場(chǎng)景。常用于控制燈泡、電機(jī)等無(wú)源器件，特別是在作為下管控制時(shí)更為常見(jiàn)。

PMOS:在驅(qū)動(dòng)中較為常見(jiàn)，因?yàn)樵礃O可以接電源，但存在導(dǎo)通電阻大、價(jià)格貴、替換種類少等問(wèn)題。常用于控制芯片等有源器件特別是在作為上管控制時(shí)更為常見(jiàn)，以避免通信混亂和電流泄等問(wèn)題。

MOS管選型指南

封裝因素考量

封裝方式影響散熱性能和電流承載能力，選擇需考慮系統(tǒng)散熱條件和環(huán)境溫度。在構(gòu)成開(kāi)關(guān)電路時(shí)，不同尺寸的MOS管封裝會(huì)影響其熱阻和耗散功率。因此，必須綜合考慮系統(tǒng)的散熱條件、環(huán)境溫度以及散熱器的形狀和大小限制。基本原則是，在確保功率MOS管的溫升和系統(tǒng)效率不受影響的前提下，選擇參數(shù)和封裝更為通用的功率MOS管。在開(kāi)關(guān)電路的設(shè)計(jì)中，我們常常需要關(guān)注MOS管的封裝方式。根據(jù)不同的應(yīng)用需求，可以選擇不同類型的封裝。例如，插入式封裝包括TO-3P、TO-247、TO-220、TO-220F、TO-251和TO-92等；而表面貼裝式封裝則涵蓋TO-263、TO-252、SOP-8、SOT-23和DFN等。選擇哪種封裝方式，需要綜合考慮系統(tǒng)的散熱條件、環(huán)境溫度以及散熱器的尺寸限制，以確保功率MOS管能夠穩(wěn)定、高效地工作。 無(wú)論是車載充電系統(tǒng)還是充電樁，都離不開(kāi)商甲半導(dǎo)體 MOSFET。

選擇MOS管的指南

確定電壓

選擇MOS管時(shí)，電壓是一個(gè)關(guān)鍵因素。需根據(jù)實(shí)際應(yīng)用場(chǎng)景確定所需的額定電壓以確保其安全性。額定電壓不僅影響器件的成本，還直接關(guān)系到其安全性。設(shè)計(jì)人員需要根據(jù)實(shí)際應(yīng)用場(chǎng)景來(lái)確定所需的額定電壓，確保其能夠承受干線或總線電壓的沖擊，并留出足夠的余量以應(yīng)對(duì)可能的電壓變化。

考慮電流

除了電壓外，電流也是選擇MOS管時(shí)必須考慮的因素。MOS管的額定電流需應(yīng)對(duì)系統(tǒng)中的最大負(fù)載及尖峰電流，需綜合考慮電流承受能力。MOS管的額定電流必須能夠應(yīng)對(duì)系統(tǒng)中的最大負(fù)載電流，以及可能出現(xiàn)的尖峰電流。需要根據(jù)電路的具體結(jié)構(gòu)來(lái)決定合適的電流值。 商甲半導(dǎo)體以Fabless 模式解特殊匹配難題，多平臺(tái)量產(chǎn)，產(chǎn)品導(dǎo)通特性強(qiáng)，應(yīng)用場(chǎng)景多元。無(wú)錫電子元器件MOSFET代理品牌

商甲半導(dǎo)體經(jīng)營(yíng)產(chǎn)品：N溝道m(xù)osfet、P溝道m(xù)osfet、N+P溝道m(xù)osfet(Trench/SGT?工藝）、超結(jié)SJ mosfet等。長(zhǎng)寧區(qū)常見(jiàn)電子元器件MOSFET

MOS管封裝

TO-3P/247

TO247是一種常見(jiàn)的小外形封裝，屬于表面貼封裝類型，其中的“247”是封裝標(biāo)準(zhǔn)的編號(hào)。值得注意的是，TO-247封裝與TO-3P封裝都采用3引腳輸出，且內(nèi)部的裸芯片（即電路圖）可以完全相同，因此它們的功能和性能也基本一致，只是在散熱和穩(wěn)定性方面可能略有差異。TO247通常是非絕緣封裝，這種封裝的管子常用于大功率的POWFR中。作為開(kāi)關(guān)管使用時(shí)，它能夠承受較大的耐壓和電流，因此是中高壓大電流MOS管常用的封裝形式。該產(chǎn)品特點(diǎn)包括耐壓高、抗擊穿能力強(qiáng)等，特別適用于中壓大電流場(chǎng)合（電流10A以上，耐壓值在100V以下），以及120A以上、耐壓值200V以上的更高要求場(chǎng)合。 長(zhǎng)寧區(qū)常見(jiàn)電子元器件MOSFET