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想象一下傳統(tǒng)的電燈開關(guān),其工作原理是簡單的機械接觸與斷開。然而,在高速運轉(zhuǎn)的手機和電腦芯片中,這樣的開關(guān)顯然無法滿足需求,因為它們速度太慢、體積太大且耗電過多。因此,我們需要一種全新的開關(guān)來應(yīng)對這些挑戰(zhàn)。這種開關(guān)需要具備以下特點:速度極快,每秒能完成數(shù)十億次的開關(guān)動作;體積超小,細如發(fā)絲,能在指甲大小的芯片上集成數(shù)十億個這樣的開關(guān);耗電極低,幾乎不消耗電能;以及控制靈敏,能通過微小的電信號來控制大電流的通斷。幸運的是,MOSFET晶體管正是這樣一種“超級電子開關(guān)”。商甲半導(dǎo)體提供的20V~100V Complementary(N+P型互補式)MOSFET產(chǎn)品。12V至300V N MOSFET電子元器件MOSFET歡迎選購
選擇MOS管的指南
第一步: 明確N溝道與P溝道首先,需要明確N溝道與P溝道的選擇。N溝道適用于低壓側(cè)開關(guān),P溝道適用于高壓側(cè)開關(guān)。由于MOS管有兩種結(jié)構(gòu)形式——N溝道型和P溝道型,這兩種結(jié)構(gòu)的電壓極性有所不同。因此,在做出選擇之前,務(wù)必先確定您的應(yīng)用場景需要哪種類型的MOS管
MOS管的兩種結(jié)構(gòu)在電子應(yīng)用中,MOS管通常有兩種結(jié)構(gòu):N溝道型和P溝道型。這兩種結(jié)構(gòu)各有其特定的應(yīng)用場景。例如,在低壓側(cè)開關(guān)中,應(yīng)采用N溝道MOS管,因為這類器件在關(guān)閉或?qū)〞r所需電壓較低。相反,在高壓側(cè)開關(guān)中,則更常選用P溝道MOS管。 上海電子元器件MOSFET規(guī)格書商甲半導(dǎo)體的SGT系列MOSFET產(chǎn)品具備低內(nèi)阻、低電容、低熱阻的特點。
MOS應(yīng)用領(lǐng)域
BMS
在電動汽車產(chǎn)品中,BMS系統(tǒng)用于確保電池組的性能和安全性,監(jiān)控電池的電壓、電流、溫度等參數(shù),以防止過充或過放,從而延長電池壽命并保持安全。?MOS管在BMS系統(tǒng)的電池充放電過程中,它會根據(jù)BMS的指令,控制電流的大小和通斷。充電時,當(dāng)電池充滿后,MOS管會及時切斷充電回路,防止過充,放電時,當(dāng)電池電量低到一定程度時,MOS管會切斷放電回路,防止過度放電?。當(dāng)電路遇到線路短路或電流突然過大的情況時,MOS管會迅速反應(yīng)切斷電路,防止電池組因電流過大而發(fā)熱、損壞,這種快速響應(yīng)的特性使得MOS管成為BMS中的重要安全衛(wèi)士。在新能源電動車里面,通常,電池組由多個單體電池組成,隨著時間的推移,單體電池之間可能會出現(xiàn)電量不均衡的情況。MOS管通過其開關(guān)特性,可以實現(xiàn)電池組的均衡管理,確保每個電池都能得到適當(dāng)?shù)某潆姾头烹?,從而延長電池組的使用壽命和穩(wěn)定性?。
利用技術(shù)優(yōu)勢,以國內(nèi)新技術(shù)代Trench/SGT產(chǎn)品作為一代產(chǎn)品;產(chǎn)品在FOM性能方面占據(jù)優(yōu)勢,結(jié)合先進封裝獲得的更高電流密度;打造全系列N/P溝道車規(guī)級MOSFET,為日益增長的汽車需求助力;打造全系列CSPMOSFET,聚焦SmallDFN封裝;未來兩年內(nèi)做全硅基產(chǎn)品線并拓展至寬禁帶領(lǐng)域;
TO-252/SOT-23/PNDF5X6-8L/PDNF3X3-8L/SOT-23-3L/SOP-8/TO-220/TO-263/TOLL/SOT89-3L/DFN2030/SOT-89/TO-92/TO-251/TO-220F/TO-247/TO-263-7
公司目前已經(jīng)與國內(nèi)的8英寸、12英寸晶圓代工廠緊密合作,多平臺產(chǎn)品實現(xiàn)量 產(chǎn),產(chǎn)品在開關(guān)特性、導(dǎo)通特性、魯棒性、EMI等方面表現(xiàn)很好,得到多家客戶的好評。公司定位新型Fabless 模式,在設(shè)計生產(chǎn)高性能產(chǎn)品基礎(chǔ)上,提供個性化參數(shù)調(diào)控,量身定制,多方位為客戶解決特殊方案的匹配難題。公司產(chǎn)品齊全,可廣泛應(yīng)用于工控、光伏、 儲能、家電、照明、5G 通信、醫(yī)療、汽車等各行業(yè)多個領(lǐng)域。公司在功率器件重要業(yè)務(wù)領(lǐng)域 已形成可觀的競爭態(tài)勢和市場地位。 商甲半導(dǎo)體利用技術(shù)優(yōu)勢,以國內(nèi)新技術(shù)代Trench/SGT產(chǎn)品作為首代產(chǎn)品;
選擇MOS管的指南
評估熱性能
選定額定電流后,還需計算導(dǎo)通損耗。實際中,MOS管并非理想器件,導(dǎo)電時會產(chǎn)生電能損耗,即導(dǎo)通損耗。這一損耗與器件的導(dǎo)通電阻RDS(ON)相關(guān),并隨溫度明顯變化。設(shè)計者需評估MOS管的熱性能,包括差情況下的散熱能力,同時需要考慮結(jié)溫和熱阻。
功率損耗PTRON可通過公式Iload2×RDS(ON)計算(Iload表示大直流輸出電流)。由于導(dǎo)通電阻受溫度影響,功率損耗也會相應(yīng)變化。此外,施加的電壓VGS與RDS(ON)呈反比,即電壓越高,RDS(ON)越小;反之亦然。
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在變頻器和逆變器中,MOSFET用于控制交流電機的速度和扭矩.12V至300V N MOSFET電子元器件MOSFET歡迎選購
MOS管應(yīng)用場景
LED照明
LED電源是各種LED照明產(chǎn)品,如LED燈管、LED燈泡、LED投光燈等產(chǎn)品必備的,在汽車照明領(lǐng)域,MOS管也為汽車LED照明系統(tǒng)提供穩(wěn)定、高效的驅(qū)動電壓。MOS管在LED驅(qū)動電源中可以作為開關(guān)使用,通過調(diào)節(jié)其導(dǎo)通和截止?fàn)顟B(tài),可以控制LED的電流,從而實現(xiàn)LED的亮滅和調(diào)光功能。在恒流源設(shè)計中,MOS管能夠精確控制通過LED的電流,確保LED在安全、穩(wěn)定的電流下工作,避免因電流過大而損壞。MOS管具有過壓、過流等保護功能。當(dāng)檢測到異常電壓或電流時,MOS管可以迅速切斷電源,保護LED和驅(qū)動電路不受損害。
在LED調(diào)光的應(yīng)用上,MOS管主要通過脈寬調(diào)制(PWM)技術(shù)實現(xiàn)亮度調(diào)節(jié)。它主要作為開關(guān)使用,通過調(diào)節(jié)其導(dǎo)通和截止?fàn)顟B(tài)來控制LED的電流,從而實現(xiàn)調(diào)光功能。通過PWM信號控制MOS管的開關(guān)狀態(tài),從而調(diào)節(jié)LED的亮度。當(dāng)PWM信號的占空比增加時,MOS管導(dǎo)通的時間增加,LED亮度增加;反之,當(dāng)占空比減小時,LED亮度降低?。 12V至300V N MOSFET電子元器件MOSFET歡迎選購