溫州無(wú)刷直流電機(jī)功率器件MOS產(chǎn)品選型

從60年代到70年代初期，以半控型普通晶閘管為**的電力電子器件，主要用于相控電路。這些電路十分***地用在電解、電鍍、直流電機(jī)傳動(dòng)、發(fā)電機(jī)勵(lì)磁等整流裝置中，與傳統(tǒng)的汞弧整流裝置相比，不僅體積小、工作可靠，而且取得了十分明顯的節(jié)能效果（一般可節(jié)電10～40%，從中國(guó)的實(shí)際看，因風(fēng)機(jī)和泵類(lèi)負(fù)載約占全國(guó)用電量的1/3，若采用交流電動(dòng)機(jī)調(diào)速傳動(dòng), 可平均節(jié)電20%以上，每年可節(jié)電400億千瓦時(shí)）,因此電力電子技術(shù)的發(fā)展也越來(lái)越受到人們的重視。70年代中期出現(xiàn)的全控型可關(guān)斷晶閘管和功率晶體管,開(kāi)關(guān)速度快,控制簡(jiǎn)單，逆導(dǎo)可關(guān)斷晶閘管更兼容了可關(guān)斷晶閘管和快速整流二極管的功能。它們把電力電子技術(shù)的應(yīng)用推進(jìn)到了以逆變、斬波為中心內(nèi)容的新領(lǐng)域。這些器件已普遍應(yīng)用于變頻調(diào)速、開(kāi)關(guān)電源、靜止變頻等電力電子裝置中。功率半導(dǎo)體器件，它們能夠處理大功率電子信號(hào)，電流可達(dá)數(shù)十至數(shù)千安培，電壓則高達(dá)數(shù)百伏以上。溫州無(wú)刷直流電機(jī)功率器件MOS產(chǎn)品選型

電力二極管：結(jié)構(gòu)和原理簡(jiǎn)單，工作可靠；

晶閘管：承受電壓和電流容量在所有器件中比較高

IGBT：開(kāi)關(guān)速度高，開(kāi)關(guān)損耗小，具有耐脈沖電流沖擊的能力，通態(tài)壓降較低，輸入阻抗高，為電壓驅(qū)動(dòng)，驅(qū)動(dòng)功率??；缺點(diǎn)：開(kāi)關(guān)速度低于電力MOSFET,電壓，電流容量不及GTO

GTR：耐壓高，電流大，開(kāi)關(guān)特性好，通流能力強(qiáng)，飽和壓降低；缺點(diǎn)：開(kāi)關(guān)速度低，為電流驅(qū)動(dòng)，所需驅(qū)動(dòng)功率大，驅(qū)動(dòng)電路復(fù)雜，存在二次擊穿問(wèn)題

GTO：電壓、電流容量大，適用于大功率場(chǎng)合，具有電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)，其通流能力很強(qiáng)；缺點(diǎn)：電流關(guān)斷增益很小，關(guān)斷時(shí)門(mén)極負(fù)脈沖電流大，開(kāi)關(guān)速度低，驅(qū)動(dòng)功率大，驅(qū)動(dòng)電路復(fù)雜，開(kāi)關(guān)頻率低

電力MOSFET：開(kāi)關(guān)速度快，輸入阻抗高，熱穩(wěn)定性好，所需驅(qū)動(dòng)功率小且驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單，工作頻率高，不存在二次擊穿問(wèn)題；缺點(diǎn)：電流容量小，耐壓低，一般只適用于功率不超過(guò)10kW的電力電子裝置。

制約因素：耐壓，電流容量，開(kāi)關(guān)的速度 。 湖州電池管理系統(tǒng)功率器件MOS產(chǎn)品選型二極管?：如整流二極管、快恢復(fù)二極管，用于單向?qū)щ娕c電壓鉗位；

功率器件的分類(lèi)定義

一、主要分類(lèi)?按器件的結(jié)構(gòu)劃分??二極管?：如整流二極管、快恢復(fù)二極管，用于單向?qū)щ娕c電壓鉗位；?

晶體管?：含雙極結(jié)型晶體管（BJT）、MOSFET、IGBT等，兼具開(kāi)關(guān)與控制功能；?

晶閘管?：包含可控硅（SCR）、雙向晶閘管（TRIAC），適用于大功率交流控制。?

按功率等級(jí)劃分??低壓小功率?：如消費(fèi)電子中的驅(qū)動(dòng)器件；?中高功率?：工業(yè)變頻器、電機(jī)控制器；?高壓大功率?：新能源發(fā)電、特高壓輸電系統(tǒng)。

無(wú)錫商甲半導(dǎo)體提供專(zhuān)業(yè)選型

功率MOS管的關(guān)鍵參數(shù)

***比較大額定值

***比較大額定值是功率MOS管不應(yīng)超過(guò)的允許限制，即使是一瞬間也不行。這些值包括漏源電壓、柵極電壓、漏極電流等。了解這些額定值對(duì)于確保功率MOS管在正常工作范圍內(nèi)運(yùn)行至關(guān)重要。超過(guò)這些值可能會(huì)導(dǎo)致器件損壞，降低系統(tǒng)的可靠性。

漏源擊穿電壓（V(BR)DSS）

漏源擊穿電壓是漏極和源極之間的擊穿電壓，決定了器件能夠承受的最大電壓。選擇較高的擊穿電壓可以提高器件的安全性，但會(huì)增加導(dǎo)通電阻。漏源擊穿電壓的選擇需要在安全性和效率之間進(jìn)行權(quán)衡。較高的擊穿電壓可以提供更高的安全性，但會(huì)增加功率損耗。

柵極閾值電壓（VGS(TH)）

柵極閾值電壓是使功率MOS管開(kāi)啟且漏極電流開(kāi)始流動(dòng)時(shí)柵極和源極之間的電壓。選擇合適的閾值電壓可以確保器件在不同的工作電壓下正常工作。柵極閾值電壓的選擇直接影響功率MOS管的開(kāi)關(guān)特性。較低的閾值電壓可以使器件在低電壓下快速開(kāi)啟，但可能會(huì)增加噪聲和功耗。

漏源導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）

漏源導(dǎo)通電阻是漏極電流流動(dòng)時(shí)漏極和源極之間的電阻。低導(dǎo)通電阻可以減小功率損耗，提高效率。漏源導(dǎo)通電阻是影響功率MOS管能效的關(guān)鍵參數(shù)。 MOS管封裝技術(shù)也直接影響到芯片的性能和品質(zhì)，對(duì)同樣的芯片以不同形式的封裝，也能提高芯片的性能。

無(wú)錫商甲半導(dǎo)體MOS 管封裝形式及散熱性能分析

TO-247 封裝

TO-247 封裝與 TO-220 封裝類(lèi)似，同樣屬于直插式封裝，但體積更大，引腳更粗。其散熱片面積也相應(yīng)增大，散熱能力更強(qiáng)，在自然對(duì)流條件下，熱阻約為 40 - 60℃/W 。TO-247 封裝能夠承受更高的功率，常用于功率在 50 - 150W 的大功率電路中，如工業(yè)電源、電動(dòng)汽車(chē)的電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路等。不過(guò)，由于其體積較大，在一些對(duì)空間要求嚴(yán)格的電路板上使用會(huì)受到限制。

SOT-23 封裝

SOT-23 封裝是一種表面貼裝封裝（SMT），具有體積小、占用電路板面積少的優(yōu)勢(shì)。它的引腳數(shù)量較少，一般為 3 - 5 個(gè)，采用塑料材質(zhì)封裝。但受限于較小的體積，SOT-23 封裝的散熱能力相對(duì)較弱，熱阻通常在 150 - 200℃/W 左右，適用于小功率電路，如消費(fèi)電子產(chǎn)品中的電源管理芯片、信號(hào)放大電路等。在這些場(chǎng)景中，MOS 管的功率消耗較小，產(chǎn)生的熱量有限，SOT-23 封裝能夠滿足基本的散熱需求。 下面跟著商甲半導(dǎo)體了解一下不同封裝形式的MOS管適配的電壓和電流是有必要的。好的功率器件MOS產(chǎn)品選型哪家公司好

功率MOSFET具有較高的可靠性。溫州無(wú)刷直流電機(jī)功率器件MOS產(chǎn)品選型

功率MOSFET屬于電壓型控制器件。它依靠多數(shù)載流子工作,因而具有許多優(yōu)點(diǎn):能與集成電路直接相連；開(kāi)關(guān)頻率可在數(shù)兆赫以上（可達(dá)100MHz），比雙極型功率晶體管(GTR)至少高10倍；導(dǎo)通電阻具有正溫度系數(shù),器件不易發(fā)生二次擊穿,易于并聯(lián)工作。與GTR相比，功率MOSFET的導(dǎo)通電阻較大，電流密度不易提高，在100kHz以下頻率工作時(shí),其功率損耗高于GTR。此外，由于導(dǎo)電溝道很窄（微米級(jí)）,單元尺寸精細(xì)，其制作也較GTR困難。在80年代中期,功率MOSFET的容量還不大（有100A/60V，75A/100V，5A/1000V等幾種）。溫州無(wú)刷直流電機(jī)功率器件MOS產(chǎn)品選型

無(wú)錫商甲半導(dǎo)體有限公司成立于2023年8月3日，注冊(cè)地位于無(wú)錫經(jīng)濟(jì)開(kāi)發(fā)區(qū)太湖灣信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)園1號(hào)樓908室。公司專(zhuān)注于功率半導(dǎo)體器件的研發(fā)設(shè)計(jì)與銷(xiāo)售，采用Fabless模式開(kāi)發(fā)Trench MOSFET、IGBT等產(chǎn)品，截至2023年12月，公司已設(shè)立深圳分公司拓展華南市場(chǎng) ，并獲評(píng)2024年度科技型中小企業(yè)。

無(wú)錫商甲半導(dǎo)體有限公司利用技術(shù)優(yōu)勢(shì)，以國(guó)內(nèi)***技術(shù)代Trench/SGT產(chǎn)品作為***代產(chǎn)品；產(chǎn)品在FOM性能方面占據(jù)***優(yōu)勢(shì)，結(jié)合先進(jìn)封裝獲得的更高電流密度；打造全系列N/P溝道車(chē)規(guī)級(jí)MOSFET，為日益增長(zhǎng)的汽車(chē)需求助力；打造全系列CSPMOSFET，聚焦SmallDFN封裝；未來(lái)兩年內(nèi)做全硅基產(chǎn)品線并拓展至寬禁帶領(lǐng)域；