貴州Infineon英飛凌二極管

SiC肖特基二極管模塊利用寬禁帶材料（Eg=3.26eV）的特性實現(xiàn)超快開關(guān)。其金屬-半導(dǎo)體接觸形成的肖特基勢壘高度（ΦB≈1.2eV）決定了正向壓降（Vf≈1.5V@25℃）。與硅器件相比，SiC模塊的漂移區(qū)電阻降低90%（因臨界擊穿電場達3MV/cm），故1200V模塊的比導(dǎo)通電阻2mΩ·cm2。獨特的JBS（結(jié)勢壘肖特基）結(jié)構(gòu)在PN結(jié)和肖特基結(jié)并聯(lián)，使模塊在高溫下漏電流仍<1μA（175℃時）。羅姆的SiC模塊實測顯示，其反向恢復(fù)電荷（Qrr）為硅FRD的1/5，可使逆變器開關(guān)頻率提升至100kHz以上。 超快恢復(fù)二極管模塊可減少EMI噪聲，優(yōu)化電機驅(qū)動和逆變器的電磁兼容性。貴州Infineon英飛凌二極管

高電壓二極管模塊（耐壓超過3kV）通常用于高壓直流輸電（HVDC）、軌道交通和工業(yè)變頻器等場景。這類模塊的設(shè)計面臨多項挑戰(zhàn)，包括耐壓隔離、電場均布和散熱管理。為解決這些問題，制造商常采用多層DBC基板、分段屏蔽結(jié)構(gòu)以及高性能絕緣材料（如AlN陶瓷）。此外，高電壓模塊還需通過嚴格的局部放電測試和熱循環(huán)驗證，以確保長期可靠性。例如，在風電變流器中，高壓二極管模塊需承受頻繁的功率波動和惡劣環(huán)境條件，因此其封裝工藝和材料選擇尤為關(guān)鍵。未來，隨著SiC和GaN技術(shù)的成熟，高壓二極管模塊的性能和功率密度將進一步提升。 整流二極管品牌額定正向平均電流（IF）是二極管模塊的關(guān)鍵參數(shù)，需匹配電路最大工作電流。

肖特基二極管模塊以其極低的正向壓降（0.3-0.5V）和近乎無反向恢復(fù)時間的特性，成為高頻開關(guān)電源的理想選擇。這類模塊通常基于硅或碳化硅材料，適用于DC-DC轉(zhuǎn)換器、通信電源和服務(wù)器供電系統(tǒng)。例如，在數(shù)據(jù)中心中，肖特基模塊可明顯降低48V-12V轉(zhuǎn)換級的能量損耗，提升整體能效。然而，肖特基二極管的漏電流較大，耐壓能力相對較低（一般不超過200V），因此在高電壓應(yīng)用中需謹慎選擇?，F(xiàn)代肖特基模塊通過優(yōu)化金屬-半導(dǎo)體接觸工藝和集成溫度保護功能，進一步提升了其可靠性和適用場景。

二極管就是由一個PN結(jié)加上相應(yīng)的電極引線及管殼封裝而成的。
采用不同的摻雜工藝，通過擴散作用，將P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體制作在同一塊半導(dǎo)體（通常是硅或鍺）基片上，在它們的交界面就形成空間電荷區(qū)稱為PN結(jié)。
由P區(qū)引出的電極稱為陽極，N區(qū)引出的電極稱為陰極。因為PN結(jié)的單向?qū)щ娦裕O管導(dǎo)通時電流方向是由陽極通過管子內(nèi)部流向陰極。
二極管有兩個電極，由P區(qū)引出的電極是正極，又叫陽極；由N區(qū)引出的電極是負極，又叫陰極。三角箭頭方向表示正向電流的方向，二極管的文字符號用VD表示。 Infineon的EconoDUAL?封裝模塊兼容多拓撲結(jié)構(gòu)，為風電變流器提供高性價比解決方案。

二極管就是由一個PN結(jié)加上相應(yīng)的電極引線及管殼封裝而成的。采用不同的摻雜工藝，通過擴散作用，將P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體制作在同一塊半導(dǎo)體（通常是硅或鍺）基片上，在它們的交界面就形成空間電荷區(qū)稱為PN結(jié)。PN結(jié)具有單向?qū)щ娦裕赑N結(jié)外加正向電壓V，在這個外加電場的作用下，PN結(jié)的平衡狀態(tài)被打破，P區(qū)中的空穴和N區(qū)的電子都往PN結(jié)方向移動，空穴和PN結(jié)P區(qū)的負離子中和，電子和PN結(jié)N區(qū)的正離子中和，這樣就使PN結(jié)變窄。隨著外加電場的增加，擴散運動進一步增強，漂移運動減弱。當外加電壓超過門檻電壓，PN結(jié)相當于一個阻值很小的電阻，也就是PN結(jié)導(dǎo)通。陶瓷基板封裝的二極管模塊具備良好散熱性，適合高功率密度場景。山東二極管原裝

反向漏電流（IR）隨溫度呈指數(shù)增長，高溫環(huán)境需選擇低 IR 的二極管模塊。貴州Infineon英飛凌二極管

快恢復(fù)二極管（FRD）模塊的逆向恢復(fù)特性（trr<100ns）源于芯片的少子壽命控制技術(shù)。通過電子輻照或鉑摻雜，將PN結(jié)少數(shù)載流子壽命從μs級縮短至ns級。以1200V/50A FRD模塊為例，其反向恢復(fù)電流（Irr）與軟度因子（S=ta/tb）直接影響IGBT模塊的開關(guān)損耗。測試數(shù)據(jù)顯示，當di/dt=100A/μs時，優(yōu)化后的模塊Irr<30A，且S>0.8，可減少關(guān)斷電壓尖峰50%以上。模塊內(nèi)部常集成RC緩沖電路，利用10Ω+100nF組合吸收漏感能量，抑制電磁干擾（EMI）。 貴州Infineon英飛凌二極管