英飛凌可控硅原裝

來源: 發(fā)布時間:2025-08-03
按觸發(fā)方式分類:電觸發(fā)與光觸發(fā)可控硅

傳統(tǒng)可控硅采用電信號觸發(fā),門極驅(qū)動電流(IGT)從5mA到200mA不等,如ST的BTA41需要50mA觸發(fā)電流。這類器件需配套隔離驅(qū)動電路(如脈沖變壓器或光耦)。而光觸發(fā)可控硅(LASCR)如MOC3083,通過內(nèi)置LED將光信號轉(zhuǎn)換為觸發(fā)電流,絕緣耐壓可達(dá)7500V以上,特別適合高壓隔離場合,如智能電表的固態(tài)繼電器?;旌嫌|發(fā)方案如三菱的光控模塊(LPCT系列)結(jié)合了光纖傳輸和電觸發(fā)優(yōu)勢,在核電站控制系統(tǒng)等強電磁干擾環(huán)境中表現(xiàn)優(yōu)異。值得注意的是,光觸發(fā)器件雖然可靠性高,但響應(yīng)速度通常比電觸發(fā)慢1-2個數(shù)量級,且成本明顯提升。 可控硅模塊內(nèi)部結(jié)構(gòu)對稱性影響動態(tài)均壓效果。英飛凌可控硅原裝

可控硅

按功率等級分類:小信號與大功率可控硅

小信號可控硅的額定電流通常小于1A,如NXP的BT169D(0.8A/600V),主要用于電子電路的過壓保護(hù)或邏輯控制。這類器件常采用SOT-23等微型封裝,門極觸發(fā)電流可低至1mA。中等功率器件(1-100A)如Littelfuse的S8025L(25A/800V)是家電控制的主流選擇。而大功率可控硅(>100A)幾乎全部采用模塊化設(shè)計,例如Westcode的S70CH(700A/1800V)采用平板壓接結(jié)構(gòu),需配套水冷系統(tǒng)。特別地,在超高壓領(lǐng)域(>6kV),如ABB的5STP30N6500(3000A/6500V)采用串聯(lián)芯片技術(shù),用于軌道交通牽引變流器。功率等級的選擇需同時考慮RMS電流和浪涌電流(如電機啟動時的10倍過載)。 單向可控硅供應(yīng)英飛凌SCR可控硅提供600V至1600V電壓等級,滿足工業(yè)電源的嚴(yán)苛要求。

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可控硅結(jié)構(gòu)對工作原理的影響

可控硅的四層PNPN結(jié)構(gòu)是其獨特工作原理的物理基礎(chǔ)。從結(jié)構(gòu)上可等效為一個PNP三極管和一個NPN三極管的組合:上層P區(qū)與中間N區(qū)、P區(qū)構(gòu)成PNP管,中間N區(qū)、P區(qū)與下層N區(qū)構(gòu)成NPN管。當(dāng)控制極加正向電壓時,NPN管首先導(dǎo)通,其集電極電流作為PNP管的基極電流,使PNP管隨之導(dǎo)通;PNP管的集電極電流又反哺NPN管的基極,形成強烈正反饋,兩管迅速飽和,可控硅整體導(dǎo)通。這種結(jié)構(gòu)決定了可控硅必須同時滿足陽極正向電壓和控制極觸發(fā)信號才能導(dǎo)通,且導(dǎo)通后通過內(nèi)部電流反饋維持狀態(tài),直至外部條件改變才關(guān)斷。

可控硅模塊的分類與選型

可控硅模塊根據(jù)功能可分為單向(SCR)模塊和雙向(TRIAC)模塊,前者適用于直流或半波交流電路,后者則用于全波交流控制。按功率等級劃分,小功率模塊(如10A-50A)多采用TO-220或TO-247封裝,功率模塊(50A-300A)常為模塊化設(shè)計,而大功率模塊(500A以上)則采用平板壓接式結(jié)構(gòu),需搭配水冷散熱。選型時需重點考慮額定電壓(V_DRM)、電流(I_T(RMS))、觸發(fā)電流(I_GT)以及散熱條件。例如,工業(yè)加熱系統(tǒng)通常選擇耐高溫的SCR模塊(如SEMIKRON SKT系列),而變頻器需選用高頻特性優(yōu)異的快恢復(fù)模塊(如IXYS MCO系列)。 可控硅具備體積小、重量輕、結(jié)構(gòu)緊湊的特點,外部接線簡單,互換性良好,便于維護(hù)安裝。

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可控硅在整流電路中的工作原理應(yīng)用

在整流電路中,可控硅的工作原理體現(xiàn)為對交流電的定向控制。以單相半控橋整流為例,交流正半周時,陽極受正向電壓的可控硅在觸發(fā)信號作用下導(dǎo)通,電流經(jīng)負(fù)載形成回路;負(fù)半周時,反向并聯(lián)的二極管導(dǎo)通,可控硅因反向電壓阻斷。通過改變觸發(fā)信號出現(xiàn)的時刻(控制角),可調(diào)節(jié)可控硅的導(dǎo)通時間,從而改變輸出直流電壓的平均值。全控橋整流則利用四只可控硅,通過對稱觸發(fā)控制正負(fù)半周電流,實現(xiàn)全波整流。可控硅的單向?qū)ê涂煽赜|發(fā)特性,使整流電路既能實現(xiàn)電能轉(zhuǎn)換,又能靈活調(diào)節(jié)輸出,滿足不同負(fù)載需求。 選擇可控硅時需考慮額定電流、電壓和散熱條件。中國澳門SanRex三社可控硅

單向可控硅開關(guān)速度快,導(dǎo)通時間在微秒級,適用于中高頻電路控制。英飛凌可控硅原裝

按功能集成度分類:基礎(chǔ)型與智能可控硅

基礎(chǔ)型可控硅只包含PNPN**結(jié)構(gòu),如Microsemi的2N6509G。而智能模塊如Infineon的ITR系列集成了過溫保護(hù)、故障診斷和RC緩沖電路,通過IGBT兼容的驅(qū)動接口(如+15V/-5V電平)簡化系統(tǒng)設(shè)計。更先進(jìn)的IPM(智能功率模塊)如三菱的PM75CL1A120將TRIAC與MCU、電流傳感器集成,實現(xiàn)閉環(huán)控制。這類模塊雖然價格是普通器件的3-5倍,但能減少**元件數(shù)量50%以上,在伺服驅(qū)動器等**應(yīng)用中性價比***。未來趨勢是集成無線監(jiān)測功能,如ST的STPOWER系列可通過藍(lán)牙傳輸溫度、電流等實時參數(shù)。 英飛凌可控硅原裝