寧波碳化硅晶圓切割寬度

為提升芯片產出量，中清航科通過刀片動態(tài)平衡控制+激光輔助定位，將切割道寬度從50μm壓縮至15μm。導槽設計減少材料浪費，使12英寸晶圓有效芯片數(shù)增加18%，明顯降低單顆芯片制造成本。切割產生的亞微米級粉塵是電路短路的元兇。中清航科集成靜電吸附除塵裝置，在切割點10mm范圍內形成負壓場，配合離子風刀清理殘留顆粒，潔凈度達Class 1標準（>0.3μm顆粒<1個/立方英尺）。中清航科設備內置AOI（自動光學檢測）模塊，采用多光譜成像技術實時識別崩邊、微裂紋等缺陷。AI算法在0.5秒內完成芯片級判定，不良品自動標記，避免后續(xù)封裝資源浪費，每年可為客戶節(jié)省品質成本超百萬。中清航科切割液回收系統(tǒng)降低耗材成本35%，符合綠色制造。寧波碳化硅晶圓切割寬度

隨著芯片輕薄化趨勢，中清航科DBG（先切割后研磨）與SDBG（半切割后研磨）設備采用漸進式壓力控制技術，切割階段只切入晶圓1/3厚度，經背面研磨后自動分離。該方案將100μm以下晶圓碎片率降至0.01%，已應用于5G射頻模塊量產線。冷卻液純度直接影響切割良率。中清航科納米級過濾系統(tǒng)可去除99.99%的0.1μm顆粒，配合自主研發(fā)的抗靜電添加劑，減少硅屑附著造成的短路風險。智能溫控模塊維持液體粘度穩(wěn)定，延長刀片壽命200小時以上呢。麗水碳化硅陶瓷晶圓切割刀片復合材料晶圓切割選中清航科多工藝集成設備，兼容激光與刀片。

中清航科創(chuàng)新性推出“激光預劃+機械精切”復合方案：先以激光在晶圓表面形成引導槽，再用超薄刀片完成切割。此工藝結合激光精度與刀切效率，解決化合物半導體（如GaAs、SiC）的脆性開裂問題，加工成本較純激光方案降低35%。大尺寸晶圓切割面臨翹曲變形、應力集中等痛點。中清航科全自動切割機配備多軸聯(lián)動補償系統(tǒng)，通過實時監(jiān)測晶圓形變動態(tài)調整切割參數(shù)。搭配吸附托盤，將12英寸晶圓平整度誤差控制在±2μm內，支持3D NAND多層堆疊結構加工。

為幫助客戶應對半導體行業(yè)的技術人才短缺問題，中清航科推出 “設備 + 培訓” 打包服務。購買設備的客戶可獲得技術培訓名額，培訓內容涵蓋設備操作、工藝調試、故障排除等，培訓結束后頒發(fā)認證證書。同時提供在線技術支持平臺，隨時解答客戶在生產中遇到的技術問題。隨著半導體器件向微型化、集成化發(fā)展，晶圓切割的精度要求將持續(xù)提升。中清航科已啟動亞微米級切割技術的產業(yè)化項目，計劃通過引入更高精度的運動控制系統(tǒng)與更短波長的激光源，實現(xiàn) 500nm 以內的切割精度，為量子芯片、生物傳感器等前沿領域的發(fā)展提供關鍵制造設備支持。晶圓切割粉塵控制選中清航科靜電吸附系統(tǒng)，潔凈度達標Class1。

對于高價值的晶圓產品，切割過程中的追溯性尤為重要。中清航科的切割設備內置二維碼追溯系統(tǒng)，每片晶圓進入設備后都會生成單獨的二維碼標識，全程記錄切割時間、操作人員、工藝參數(shù)、檢測結果等信息，可通過掃碼快速查詢全流程數(shù)據(jù)，為質量追溯與問題分析提供完整依據(jù)。在晶圓切割的邊緣處理方面，中清航科突破傳統(tǒng)工藝限制，開發(fā)出激光倒角技術?？稍谇懈畹耐瑫r完成晶圓邊緣的圓弧處理，倒角半徑可精確控制在 5-50μm 范圍內，有效減少邊緣應力集中，提高晶圓的機械強度。該技術特別適用于需要多次搬運與清洗的晶圓加工流程。晶圓切割全流程追溯系統(tǒng)中清航科開發(fā)，實現(xiàn)單芯片級質量管理。藍寶石晶圓切割

中清航科切割機防震平臺隔絕0.1Hz振動，保障切割穩(wěn)定性。寧波碳化硅晶圓切割寬度

大規(guī)模量產場景中，晶圓切割的穩(wěn)定性與一致性至關重要。中清航科推出的全自動切割生產線，集成自動上下料、在線檢測與 NG 品分揀功能，單臺設備每小時可處理 30 片 12 英寸晶圓，且通過工業(yè)互聯(lián)網平臺實現(xiàn)多設備協(xié)同管控，設備綜合效率（OEE）提升至 90% 以上，明顯降低人工干預帶來的質量波動。隨著芯片集成度不斷提高，晶圓厚度逐漸向超薄化發(fā)展，目前主流晶圓厚度已降至 50-100μm，切割過程中極易產生變形與破損。中清航科創(chuàng)新采用低溫輔助切割技術，通過局部深冷處理增強晶圓材料剛性，配合特制真空吸附平臺，確保超薄晶圓切割后的翹曲度小于 20μm，為先進封裝工藝提供可靠的晶圓預處理保障。寧波碳化硅晶圓切割寬度