浙江芯片測試和封裝廠

來源: 發(fā)布時間:2025-07-29

中清航科WLCSP測試一體化方案縮短生產(chǎn)周期。集成探針卡與臨時鍵合層,實現(xiàn)300mm晶圓單次測試成本降低40%。在PMIC量產(chǎn)中,測試覆蓋率達99.2%。面向航天應用,中清航科抗輻照封裝通過MIL-STD-750認證。摻鉿二氧化硅鈍化層使總劑量耐受>300krad,單粒子翻轉(zhuǎn)率<1E-10 error/bit-day。已服務低軌衛(wèi)星星座項目。中清航科MEMS真空封裝良率突破98%。采用多孔硅密封技術,腔體真空度維持<0.1Pa十年以上。陀螺儀零偏穩(wěn)定性達0.5°/h,滿足導航級應用。


中清航科芯片封裝技術,支持混合信號集成,降低不同電路間的干擾。浙江芯片測試和封裝廠

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芯片封裝在物聯(lián)網(wǎng)領域的應用:物聯(lián)網(wǎng)設備通常具有小型化、低功耗、低成本的特點,對芯片封裝的要求獨特。中清航科的晶圓級封裝技術在物聯(lián)網(wǎng)領域大顯身手,該技術能實現(xiàn)芯片的超小型化和低功耗,滿足物聯(lián)網(wǎng)設備對尺寸和功耗的嚴格要求。同時,公司為物聯(lián)網(wǎng)傳感器芯片提供的封裝方案,能提高傳感器的靈敏度和可靠性,確保物聯(lián)網(wǎng)設備在復雜環(huán)境下的數(shù)據(jù)采集和傳輸準確性。想要了解更多內(nèi)容可以關注我司官網(wǎng),同時歡迎新老客戶來電咨詢。dfn封裝設計中清航科芯片封裝技術,支持系統(tǒng)級封裝,實現(xiàn)芯片與被動元件一體化。

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針對車規(guī)級芯片AEC-Q100認證痛點,中清航科建成零缺陷封裝產(chǎn)線。通過銅柱凸點替代錫球焊接,結(jié)合環(huán)氧模塑料(EMC)三重防護層,使QFN封裝產(chǎn)品在-40℃~150℃溫度循環(huán)中通過3000次測試。目前已有17家Tier1供應商采用其AEC-QGrade1封裝解決方案。中清航科多芯片重構(gòu)晶圓(Reconstituted Wafer)技術,將不同尺寸芯片集成于300mm載板。通過動態(tài)貼裝算法優(yōu)化芯片排布,材料利用率提升至92%,較傳統(tǒng)WLCSP降低成本28%。該方案已應用于物聯(lián)網(wǎng)傳感器批量生產(chǎn),單月產(chǎn)能達500萬顆。

中清航科推出SI/PI協(xié)同仿真平臺,集成電磁場-熱力多物理場分析。在高速SerDes接口設計中,通過優(yōu)化封裝布線減少35%串擾,使112G PAM4信號眼圖高度提升50%。該服務已幫助客戶縮短60%設計驗證周期。中清航科自主開發(fā)的AMB活性金屬釬焊基板,熱導率達180W/mK。結(jié)合銀燒結(jié)工藝的IGBT模塊,熱循環(huán)壽命達5萬次以上。在光伏逆變器應用中,另功率循環(huán)能力提升3倍,助力客戶產(chǎn)品質(zhì)保期延長至10年。通過整合CP測試與封裝產(chǎn)線,中清航科實現(xiàn)KGD(已知良品)全流程管控。在MCU量產(chǎn)中采用動態(tài)測試分Bin策略,使FT良率提升至99.85%。其汽車電子測試倉溫度范圍覆蓋-65℃~175℃,支持功能安全診斷。芯片封裝防干擾至關重要,中清航科電磁屏蔽技術,保障復雜環(huán)境穩(wěn)定。

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常見芯片封裝類型 - BGA:隨著集成電路技術發(fā)展,BGA(球柵陣列封裝)技術應運而生,成為高腳數(shù)芯片的推薦封裝方式。它的 I/O 引腳數(shù)增多,引腳間距大于 QFP 封裝,提高了成品率;采用可控塌陷芯片法焊接,改善了電熱性能;信號傳輸延遲小,適應頻率大幅提高;組裝可用共面焊接,可靠性增強。BGA 封裝又分為 PBGA、CBGA、FCBGA、TBGA、CDPBGA 等類型。中清航科在 BGA 封裝領域深入鉆研,掌握了多種 BGA 封裝技術,能為高性能芯片提供先進、可靠的封裝解決方案。中清航科芯片封裝工藝,引入納米涂層技術,提升芯片表面防護能力。上海半導體集成電路封裝

中清航科芯片封裝技術,通過電磁兼容設計,降低多芯片間信號干擾。浙江芯片測試和封裝廠

針對TMR傳感器靈敏度,中清航科開發(fā)磁屏蔽封裝。坡莫合金屏蔽罩使外部場干擾<0.1mT,分辨率達50nT。電流傳感器精度達±0.5%,用于新能源汽車BMS系統(tǒng)。中清航科微型熱電發(fā)生器實現(xiàn)15%轉(zhuǎn)換效率。Bi?Te?薄膜與銅柱互聯(lián)結(jié)構(gòu)使輸出功率密度達3mW/cm2(ΔT=50℃)。物聯(lián)網(wǎng)設備實現(xiàn)供能。中清航科FeRAM封裝解決數(shù)據(jù)保持難題。鋯鈦酸鉛薄膜與耐高溫電極使1012次讀寫后數(shù)據(jù)保持率>99%。125℃環(huán)境下數(shù)據(jù)保存超10年,適用于工業(yè)控制存儲。


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