五)按關(guān)斷速度分類:可控硅按其關(guān)斷速度可分為普通可控硅和高頻(快速)可控硅。(六)過零觸發(fā)-一般是調(diào)功,即當(dāng)正弦交流電交流電電壓相位過零點觸發(fā),必須是過零點才觸發(fā),導(dǎo)通可控硅。(七)非過零觸發(fā)-無論交流電電壓在什么相位的時候都可觸發(fā)導(dǎo)通可控硅,常見的是移相觸發(fā),即通過改變正弦交流電的導(dǎo)通角(角相位),來改變輸出百分比。按一機部IBI144一75的規(guī)定,普通型可控硅稱為KP型可控硅整流元件(又叫KP型硅閘流管》。普通可控硅的型號采用如下格式標(biāo)注:圖4示出了雙向可控硅的特性曲線。嘉定區(qū)本地可控硅圖片
在性能上,可控硅不僅具有單向?qū)щ娦?,而且還具有比硅整流元件(俗稱"死硅")更為可貴的可控性。它只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種狀態(tài)??煽毓枘芤院涟布夒娏骺刂拼蠊β实臋C電設(shè)備,如果超過此功率,因元件開關(guān)損耗***增加,允許通過的平均電流相降低,此時,標(biāo)稱電流應(yīng)降級使用??煽毓璧膬?yōu)點很多,例如:以小功率控制大功率,功率放大倍數(shù)高達幾十萬倍;反應(yīng)極快,在微秒級內(nèi)開通、關(guān)斷;無觸點運行,無火花、無噪音;效率高,成本低等等??煽毓璧娜觞c:靜態(tài)及動態(tài)的過載能力較差;容易受干擾而誤導(dǎo)通。普陀區(qū)本地可控硅現(xiàn)價可控硅從外形上分主要有螺旋式、平板式和平底式三種,螺旋式的應(yīng)用較多。
(二)按引腳和極性分類:可控硅按其引腳和極性可分為二極可控硅、三極可控硅和四極可控硅??煽毓栝_關(guān)(三)按封裝形式分類:可控硅按其封裝形式可分為金屬封裝可控硅、塑封可控硅和陶瓷封裝可控硅三種類型。其中,金屬封裝可控硅又分為螺栓形、平板形、圓殼形等多種;塑封可控硅又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種。(四)按電流容量分類:可控硅按電流容量可分為大功率可控硅、**率可控硅和小功率可控硅三種。通常,大功率可控硅多采用金屬殼封裝,而中、小功率可控硅則多采用塑封或陶瓷封裝。
控 制:Controlled(取***個字母)整流器:Rectifier(取***個字母)再由這三組英文名詞的較早字母組合而成:“BCR”中文譯意:雙向可控硅。以“BCR”來命名雙向可控硅的典型廠家如日本三菱,如:BCR1AM-12、BCR8KM、BCR08AM等等。雙 向:Bi-directional(取***個字母)三 端:Triode(取***個字母)由以上兩組單詞組合成“BT”,也是對雙向可控硅產(chǎn)品的型號命名,典型的生產(chǎn)商如:意法ST公司、荷蘭飛利浦-Philips公司,均以此來命名雙向可控硅。如果把二極管換成晶閘管,就可以構(gòu)成可控整流電路。
IGT--門極觸發(fā)電流VGT--門極觸發(fā)電壓IH--維持電流dv/dt--斷態(tài)電壓臨界上升率di/dt--通態(tài)電流臨界上升率Rthjc--結(jié)殼熱阻VISO--模塊絕緣電壓Tjm--額定結(jié)溫VDRM--斷態(tài)重復(fù)峰值電壓IRRM--反向重復(fù)峰值電流IF(AV)--正向平均電流一種以硅單晶為基本材料的P1N1P2N2四層三端器件,創(chuàng)制于1957年,由于它特性類似于真空閘流管,所以國際上通稱為硅晶體閘流管,簡稱可控硅T。又由于可控硅**初應(yīng)用于可控整流方面所以又稱為硅可控整流元件,簡稱為可控硅SCR。額定通態(tài)電流(IT)即大穩(wěn)定工作電流,俗稱電流。常用可控硅的IT一般為一安到幾十安。奉賢區(qū)推廣可控硅現(xiàn)價
它具有體積小、效率高、壽命長等優(yōu)點。嘉定區(qū)本地可控硅圖片
從晶閘管的內(nèi)部分析工作過程:晶閘管是四層三端器件,它有J1、J2、J3三個PN結(jié),可以把它中間的NP分成兩部分,構(gòu)成一個PNP型三極管和一個NPN型三極管的復(fù)合管.當(dāng)晶閘管承受正向陽極電壓時,為使晶閘管導(dǎo)通,必須使承受反向電壓的PN結(jié)J2失去阻擋作用。中每個晶體管的集電極電流同時就是另一個晶體管的基極電流。因此,兩個互相復(fù)合的晶體管電路,當(dāng)有足夠的門極電流Ig流入時,就會形成強烈的正反饋,造成兩晶體管飽和導(dǎo)通,晶體管飽和導(dǎo)通。嘉定區(qū)本地可控硅圖片
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