精度、低功耗和小型化，仍然是溫補晶振的研究課題。在小型化與片式化方面，面臨不少困難，其中主要的有兩點：一是小型化會使石英晶體振子的頻率可變幅度變小，溫度補償更加困難；二是片式封裝后在其接作業(yè)中，由于焊接溫度遠高于溫補晶振的較大允許溫度，會使晶體振子的頻率發(fā)生變化，若不采限局部散熱降溫措施，難以將溫補晶振的頻率變化量控制在±0.5×10－6以下。但是，溫補晶振的技術水平的提高并沒進入到極限，創(chuàng)新的內容和潛力仍較大。石英晶振具有非常好的頻率穩(wěn)定性和抗外界干擾的能力。無源晶振直銷
在標準振蕩電路中，晶體諧振器的標稱頻率偏差是在室溫環(huán)境(+25°C)得出的，一般為5~10ppm。根據石英毛胚片的切割方向的不同，在指定的工作溫度范圍內會出現(xiàn)明顯的頻率偏移，這就是溫度穩(wěn)定性。熱敏晶振讓用戶切實了解溫度反饋，并通過適當?shù)难a償措施讓晶振的頻率盡可能的穩(wěn)定。采用補償網絡的效果明顯，目標是產生一個電壓信號，用來映射由于溫度變化導致的頻率偏移效果。如果應用矯正電壓，我們就能有效的去除溫度變化導致的頻率偏移，獲得一個十分穩(wěn)定的頻率－溫度曲線。嘉興10兆晶振廠家晶振與鎖相環(huán)電路配合使用，以提供系統(tǒng)所需的時鐘頻率。
我們都知道石英晶振它是被動的一種組件，主要是由IC提供一定的激勵功率才會正常工作的。所以呢，這個激勵功率是分廠重要的一部分。激勵功率太低了，晶振就不容易產生信號，也就不容易起振。但是激勵功率太高的話，就會形成過激勵，這樣容易造成石英芯片的破損，從而產生停振的現(xiàn)象。解決晶振不起振至少要對以下三個要素：對振蕩頻率（頻率匹配）、振蕩裕度（負阻抗）和激勵功率的三項進行測試。較好使用有源晶振，有源晶振都是內置電路，所以不存在電路匹配問題，極大避免了晶振不起振問題的發(fā)生。這是解決晶振不起振問題的方法之一！
環(huán)境溫度是影響無源晶振頻率變化的較常見的因素，無源晶振諧振頻率會隨外界溫度的改變而變化，這種性質稱其頻率溫度特性：無源晶振的頻率-溫度特性除與其本身物理特性有關外，還與其切割角度（即切型）和加工流程有一定關系。恒溫型和溫度補償型晶體振蕩器這兩類高穩(wěn)定度晶體振蕩器正是基于頻率溫度特性研制而成的。研究表明，激勵電平對晶體振蕩器諧振頻率有明顯的影響；激勵電流的過大或者過小，都將影響石英晶體的老化性能和諧振頻率的長期或者短期穩(wěn)定度，從而激勵電平的是否穩(wěn)定直接影響到石英晶體諧振器的頻率穩(wěn)定度。晶振通常與鎖相環(huán)電路配合使用，以提供系統(tǒng)所需的時鐘頻率。
晶振（Oscillator）是不需要電容的，晶體（Crystal）才需要電容。晶振的實際頻率和標稱頻率之間的關系：Fx = F0(1+C1/(C0+CL))^(1/2)；而 CL = Cg*Cd/(Cg+Cd)+Cs;其中Cs為雜散電容，Cg和Cd為我們外部加的兩個電容，通常大家取值相等，它們對串聯(lián)起來加上雜散電容即為晶振的負載電容CL。具體公式不用細想，我們可以從中得知負載電容的減小可以使實際頻率Fx變大，我們可以改變的只有Cg和Cd，通過初步的計算發(fā)現(xiàn)CL改變1pF，F(xiàn)x可以改變幾百Hz。原有電路使用的是33pF的兩個電容，則并聯(lián)起來是16.5pF，我們的貼片電容只有27pF、33pF、39pF。所以我們選用了27pF和39pF并聯(lián)，則電容為15.95pF。電容焊好后，測量比原來大了200多赫茲，落在了設計范圍內。晶振的保存方式，要先考慮其周圍的潮濕度，做好防擠壓措施。高穩(wěn)定性晶振貴不貴
LC晶振穩(wěn)定性較差，頻率容易漂移（即產生的交流信號頻率容易變化）。無源晶振直銷
無源晶振，除有良好的振蕩電路外，還要采取措施，減小外界溫度對振蕩頻率的影響。在溫度補償石英振蕩器的電路中，將變容二極管與石英晶體串聯(lián)，外界溫度改變時，變容二極管的電容變化，使石英晶體隨溫度變化的諧振頻率，向相反方向變化，以減小溫度對振蕩頻率的影響。石英晶體的老化效應，是它的諧振頻率隨時間作緩慢變化的現(xiàn)象。石英晶體雖經過廠家老化處理，但還須在使用數(shù)十天后，或調整頻率補償電容，使振蕩器工作在指定頻率上。無源晶振直銷