2025年3月10日至12日上海國(guó)際先進(jìn)陶瓷博覽會(huì)

根據(jù)文獻(xiàn)資料，冷燒結(jié)（CSP）過(guò)程通常包括溶劑添加、單向壓力施加以及溫度升高等關(guān)鍵步驟，具體操作流程如下：首先，在陶瓷粉末中摻入適量的溶劑，這樣做的目的是為了確保粉末顆粒表面能夠均勻地被溶劑覆蓋，從而促進(jìn)液相與固相之間的緊密結(jié)合。接著，將預(yù)濕的陶瓷粉末倒入室溫或預(yù)熱的模具中，并利用液壓機(jī)或機(jī)械裝置施加單向壓力。當(dāng)壓力達(dá)到預(yù)設(shè)的最大值時(shí)，通過(guò)模具頂部和底部的熱壓板或環(huán)繞模具的電加熱裝置提供熱量（低于400℃），進(jìn)而形成結(jié)構(gòu)較為致密的燒結(jié)陶瓷體。部分研究表明，通過(guò)冷燒結(jié)得到的陶瓷材料，其晶粒生長(zhǎng)可能不完全，晶界處可能含有非晶態(tài)物質(zhì)。因此，為了進(jìn)一步提升樣品的致密度，并獲得更優(yōu)的結(jié)構(gòu)與性能，需要對(duì)燒結(jié)后的樣品進(jìn)行進(jìn)一步的處理。從這些步驟中可以看出，CSP技術(shù)采用的是開(kāi)放式系統(tǒng)，允許溶劑通過(guò)模具的縫隙揮發(fā)。與需要特殊密封反應(yīng)容器（例如高壓熱壓，HHP）或昂貴電極（例如火花燒結(jié)，F(xiàn)S）的其他低溫?zé)Y(jié)技術(shù)相比，CSP技術(shù)因其設(shè)備簡(jiǎn)單而顯得更加便捷和實(shí)用。2025華南國(guó)際先進(jìn)陶瓷展誠(chéng)邀您參展觀展！2025年SiC市場(chǎng)趨勢(shì)：技術(shù)突破、價(jià)格戰(zhàn)與產(chǎn)業(yè)洗牌，9月華南國(guó)際先進(jìn)陶瓷展，就在深圳福田會(huì)展中心！2025年3月10日至12日上海國(guó)際先進(jìn)陶瓷博覽會(huì)

隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展，先進(jìn)封裝作為后摩爾時(shí)代全球集成電路的重要發(fā)展趨勢(shì)，正日益受到***關(guān)注。受益于AI、服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心、汽車(chē)電子等下游強(qiáng)勁需求，半導(dǎo)體封裝朝著多功能、小型化、便攜式的方向發(fā)展，先進(jìn)封裝市場(chǎng)有望加速滲透。據(jù)Yole的數(shù)據(jù)，全球先進(jìn)封裝市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)將從2023年的378億美元增長(zhǎng)至2029年的695億美元，復(fù)合年增長(zhǎng)率達(dá)到10.7%。傳統(tǒng)封裝首先將晶圓切割成芯片，然后對(duì)芯片進(jìn)行封裝；而晶圓級(jí)封裝則是先在晶圓上進(jìn)行部分或全部封裝，之后再將其切割成單件。晶圓級(jí)封裝方法能夠進(jìn)一步細(xì)分為以下四種不同類(lèi)型：其一，晶圓級(jí)芯片封裝（WLCSP），能夠直接在晶圓的頂部形成導(dǎo)線和錫球（SolderBalls），且無(wú)需基板。其二，重新分配層（RDL），運(yùn)用晶圓級(jí)工藝對(duì)芯片上的焊盤(pán)位置進(jìn)行重新排列，焊盤(pán)與外部通過(guò)電氣連接的方式相連接。其三，倒片（FlipChip）封裝，在晶圓上形成焊接凸點(diǎn)，以此來(lái)完成封裝工藝。其四，硅通孔（TSV）封裝，借助硅通孔技術(shù)，在堆疊芯片的內(nèi)部實(shí)現(xiàn)內(nèi)部連接。2025華南國(guó)際先進(jìn)陶瓷展誠(chéng)邀您參展觀展！3月10日-12日中國(guó)上海市國(guó)際先進(jìn)陶瓷粉末冶金展覽會(huì)解決出海難題？華南國(guó)際粉末冶金與先進(jìn)陶瓷展將于9月10-12日登陸深圳會(huì)展中心(福田)！

陶瓷PCB在電力電子、LED照明、汽車(chē)系統(tǒng)和電信基礎(chǔ)設(shè)施等領(lǐng)域廣泛應(yīng)用，熱管理在此至關(guān)重要。設(shè)計(jì)師和工程師需在熱管理要求、成本及制造工藝兼容性等方面尋求平衡。與經(jīng)驗(yàn)豐富的PCB制造商合作，能優(yōu)化阻焊材料的選用，提供符合特定需求的設(shè)計(jì)方案。面對(duì)高功率電子設(shè)備和苛刻環(huán)境下的散熱需求，可能需要采取額外措施，如使用散熱器、熱通孔或選擇更具導(dǎo)熱性的阻焊材料。隨著電子設(shè)備功率密度的增加和小型化發(fā)展，對(duì)先進(jìn)熱管理解決方案的需求持續(xù)上升。持續(xù)研發(fā)提升阻焊材料的熱性能，將進(jìn)一步提高電子系統(tǒng)的可靠性與性能。2025華南國(guó)際先進(jìn)陶瓷展誠(chéng)邀您參展觀展！

據(jù)中國(guó)汽車(chē)工業(yè)協(xié)會(huì)***數(shù)據(jù)，1至11月，我國(guó)新能源汽車(chē)產(chǎn)銷(xiāo)分別完成625.3萬(wàn)輛和606.7萬(wàn)輛，同比均增長(zhǎng)約1倍，市場(chǎng)占有率達(dá)25%。除了產(chǎn)銷(xiāo)增長(zhǎng)幅度遠(yuǎn)超市場(chǎng)同期，新能源車(chē)的滲透率也已經(jīng)超過(guò)36%，且依然在不斷提升。隨著電動(dòng)汽車(chē)技術(shù)的不斷進(jìn)步，其零部件材料及設(shè)計(jì)更替加速，先進(jìn)陶瓷材料憑借其特殊的性能優(yōu)勢(shì)在新能源電動(dòng)汽車(chē)的應(yīng)用中體現(xiàn)的淋漓盡致。其中，HIP氮化硅軸承球和高導(dǎo)熱氮化硅基板極為熱門(mén)。新能源汽車(chē)的電機(jī)軸承相比傳統(tǒng)軸承轉(zhuǎn)速高，需要密度更低、相對(duì)更耐磨的材料，氮化硅陶瓷軸承中的球在軸承組件內(nèi)產(chǎn)生更少的摩擦、更少的熱量，尤其是氮化硅是天然的電絕緣體，可減少軸承放電產(chǎn)生的電腐蝕，避免出現(xiàn)縮短軸承和潤(rùn)滑劑的使用壽命，**終導(dǎo)致軸承失效的現(xiàn)象發(fā)生，非常適合應(yīng)用于電動(dòng)汽車(chē)等領(lǐng)域。氮化硅陶瓷基板主要應(yīng)用于純電動(dòng)汽車(chē)（EV）與混合動(dòng)力汽車(chē)（HEV）的動(dòng)力裝置、半導(dǎo)體器件和逆變器等市場(chǎng)領(lǐng)域，具有巨大的市場(chǎng)潛力與應(yīng)用前景。2025華南國(guó)際先進(jìn)陶瓷展（IACE SHENZHEN 2025）誠(chéng)邀您參展觀展，就在9月10-12日，深圳會(huì)展中心（福田）2號(hào)館！先進(jìn)氧化鋁陶瓷材料的燒結(jié)技術(shù)，來(lái)9月華南國(guó)際先進(jìn)陶瓷展，掌握新興的陶瓷燒結(jié)技術(shù)！

在現(xiàn)代工業(yè)中，陶瓷材料因其獨(dú)特的物理化學(xué)性質(zhì)扮演著重要角色。鋁基陶瓷中的氮化鋁（AlN）和氧化鋁（Al?O?）是兩類(lèi)備受關(guān)注的材料，但兩者的市場(chǎng)地位卻截然不同：氧化鋁占據(jù)主流，而氮化鋁的普及率不足30%。為何性能更優(yōu)的氮化鋁未能取代氧化鋁？本文將深入探討其背后的科學(xué)邏輯與產(chǎn)業(yè)現(xiàn)實(shí)。氮化鋁的熱導(dǎo)率（170-200 W/(m·K)）是氧化鋁（20-30 W/(m·K)）的7-10倍。氮化鋁的介電常數(shù)（8.8）低于氧化鋁（9.8），且在高溫（>500℃）或高濕環(huán)境下，其絕緣電阻穩(wěn)定性更優(yōu)。氮化鋁對(duì)熔融金屬（如鋁、銅）的耐腐蝕性遠(yuǎn)強(qiáng)于氧化鋁，且在強(qiáng)輻射環(huán)境下（如核工業(yè)），其晶體結(jié)構(gòu)更不易被破壞。氮化鋁的產(chǎn)業(yè)化之路，始于一場(chǎng)與物理極限的較量。其合成工藝需在1800℃以上的高溫氮?dú)猸h(huán)境中完成，鋁粉純度必須高于99.99%，任何細(xì)微的氧雜質(zhì)（超過(guò)0.1%）都會(huì)引發(fā)AlON雜相的生成，如同在純凈的晶體中埋下“導(dǎo)熱**”，使熱導(dǎo)率驟降30%以上。氧化鋁的制備，則是一曲工業(yè)化的成熟樂(lè)章。其原料成本低廉，工藝窗口寬泛，1500℃以下的常規(guī)燒結(jié)即可獲得致密陶瓷，生產(chǎn)成本*為氮化鋁的1/3至1/2。這種“碾壓級(jí)”的成本優(yōu)勢(shì)，讓氧化鋁在工業(yè)化賽道上**。  2025華南國(guó)際先進(jìn)陶瓷展誠(chéng)邀您參展觀展！陶瓷膜：生物制藥領(lǐng)域的“利器”，采購(gòu)“陶瓷膜”，就來(lái)9月華南國(guó)際先進(jìn)陶瓷展！2024第十六屆上海國(guó)際先進(jìn)陶瓷技術(shù)與裝備展覽會(huì)

群英薈萃！9月華南國(guó)際先進(jìn)陶瓷展邀您赴會(huì)，共探行業(yè)新機(jī)遇！2025年3月10日至12日上海國(guó)際先進(jìn)陶瓷博覽會(huì)

碳化硅（SiC）作為第三代半導(dǎo)體的**材料，憑借其高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高導(dǎo)熱性和高耐溫性，在新能源汽車(chē)、光伏儲(chǔ)能、5G通信等領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力。2024年，國(guó)內(nèi)SiC襯底和外延市場(chǎng)經(jīng)歷了價(jià)格劇烈波動(dòng)與產(chǎn)能大幅擴(kuò)張，尤其是6英寸SiC襯底價(jià)格已逼近成本線，而8英寸技術(shù)的突破也在加速推進(jìn)。市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)日益激烈，價(jià)格下跌的主要驅(qū)動(dòng)力來(lái)自下游市場(chǎng)需求的快速增長(zhǎng)，同時(shí)國(guó)產(chǎn)供應(yīng)商的競(jìng)爭(zhēng)加劇也加速了價(jià)格下降。展望2025年，SiC市場(chǎng)將迎來(lái)行業(yè)洗牌，技術(shù)實(shí)力、資金儲(chǔ)備以及產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同能力將決定企業(yè)的生存空間。隨著價(jià)格趨于穩(wěn)定，行業(yè)將進(jìn)入高質(zhì)量發(fā)展階段，形成更成熟的競(jìng)爭(zhēng)格局。2025華南國(guó)際先進(jìn)陶瓷展誠(chéng)邀您參展觀展！2025年3月10日至12日上海國(guó)際先進(jìn)陶瓷博覽會(huì)