半導(dǎo)體集成電路是采用半導(dǎo)體工藝技術(shù)，在硅基片上制作包括電阻、電容、三極管、二極管等元器件并具有某種電路功能的集成電路；膜集成電路是在玻璃或陶瓷片等絕緣物體上，以“膜”的形式制作電阻、電容等無(wú)源器件。無(wú)源元件的數(shù)值范圍可以作得很寬，精度可以作得很高。但技術(shù)水平尚無(wú)法用“膜”的形式制作晶體二極管、三極管等有源器件，因而使膜集成電路的應(yīng)用范圍受到很大的限制。在實(shí)際應(yīng)用中，多半是在無(wú)源膜電路上外加半導(dǎo)體集成電路或分立元件的二極管、三極管等有源器件，使之構(gòu)成一個(gè)整體，這便是混合集成電路。博盛微科技解說(shuō)電子元器件之電阻識(shí)別方法-直標(biāo)法。TS5A3159DBVR
集成電路按電路功能分，可以有以門(mén)電路為基礎(chǔ)的數(shù)學(xué)邏輯電路和以放大器為基礎(chǔ)的線(xiàn)性電路。后者由于半導(dǎo)體襯底和工作元件之間存在著有害的相互作用，發(fā)展較前者慢。同時(shí)應(yīng)用于微波的微波集成電路和從Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體激光器和光纖維導(dǎo)管為基礎(chǔ)的光集成電路也正在發(fā)展之中。半導(dǎo)體集成電路除以硅為基礎(chǔ)的材料外，砷化鎵也是重要的材料，以它為基礎(chǔ)材料制成的集成電路，其工作速度可比硅集成電路高一個(gè)數(shù)量級(jí)，有著廣闊的發(fā)展前景。從整個(gè)集成電路范疇講，除半導(dǎo)體集成電路外，還有厚膜電路與薄膜電路。歡迎來(lái)電咨詢(xún)。TPS3808G125DBVR隨著大規(guī)模集成電路的需求，多引腳、小體量的封裝是封裝技術(shù)發(fā)展的方向。
隨著外形尺寸縮小，幾乎所有的指標(biāo)改善了－單位成本和開(kāi)關(guān)功率消耗下降，速度提高。但是，集成納米級(jí)別設(shè)備的IC不是沒(méi)有問(wèn)題，主要是泄漏電流。因此，對(duì)于用戶(hù)的速度和功率消耗增加非常明顯，制造商面臨使用更好幾何學(xué)的尖銳挑戰(zhàn)。這個(gè)過(guò)程和在未來(lái)幾年所期望的進(jìn)步，在半導(dǎo)體國(guó)際技術(shù)路線(xiàn)圖中有很好的描述。越來(lái)越多的電路以集成芯片的方式出現(xiàn)在設(shè)計(jì)師手里，使電子電路的開(kāi)發(fā)趨向于小型化、高速化。越來(lái)越多的應(yīng)用已經(jīng)由復(fù)雜的模擬電路轉(zhuǎn)化為簡(jiǎn)單的數(shù)字邏輯集成電路。
厚膜電路。以陶瓷為基片，用絲網(wǎng)印刷和燒結(jié)等工藝手段制備無(wú)源元件和互連導(dǎo)線(xiàn)，然后與晶體管、二極管和集成電路芯片以及分立電容等元件混合組裝而成。薄膜電路。有全膜和混合之分。所謂全膜電路，就是指構(gòu)成一個(gè)完整電路所需的全部有源元件、無(wú)源元件和互連導(dǎo)體，皆用薄膜工藝在絕緣基片上制成。但由于膜式晶體管的性能差、壽命短，因此難以實(shí)際應(yīng)用。所以所說(shuō)的薄膜電路主要是指薄膜混合電路。它通過(guò)真空蒸發(fā)和濺射等薄膜工藝和光刻技術(shù)，用金屬、合金和氧化物等材料在微晶玻璃或陶瓷基片上制造電阻、電容和互連（薄膜厚度一般不超過(guò)1微米），然后與一片或多片晶體管器件和集成電路的芯片高密度混合組裝而成。隨著宇航、航空、機(jī)械、輕工、化工等各個(gè)行業(yè)的不斷發(fā)展，整機(jī)也向著多功能、小型化方向變化。
我們產(chǎn)品的較廣地用于電源供應(yīng)器、開(kāi)關(guān)電源、充電器、變壓器、計(jì)算機(jī)、電話(huà)機(jī)、家用電器、通訊產(chǎn)品、燈飾產(chǎn)品、各類(lèi)儀器及各類(lèi)電子電器連接線(xiàn)、電機(jī)產(chǎn)品電子等。由于集成電路所用的半導(dǎo)體材料是雜質(zhì)靈敏的，它的元件和連線(xiàn)只有和幾個(gè)微米線(xiàn)度的大小，一個(gè)電路又集中了上萬(wàn)個(gè)這樣的元件，所以極微細(xì)的塵埃顆粒和微量有害雜質(zhì)沾污，都可以使局部連線(xiàn)和元件損壞，從而使整個(gè)電路失效。因此加工集成電路要求有潔凈的環(huán)境和純凈的材料。精細(xì)加工、潔凈環(huán)境、純凈材料構(gòu)成生產(chǎn)和研究集成電路的特點(diǎn)。集成電路是隨著電子裝備小型化和高可靠要求而發(fā)展起來(lái)的。它是現(xiàn)代科學(xué)技術(shù)的綜合結(jié)晶，追溯起來(lái)，早在第二次世界大戰(zhàn)期間，在陶瓷基片上制成的電阻陣列應(yīng)是次集成化電路。在集成電路設(shè)計(jì)與制造過(guò)程中，封裝是不可或缺的重要一環(huán)，也是半導(dǎo)體集成電路的剩下階段。LM4041CIDBZR
通過(guò)使用專(zhuān)家所設(shè)計(jì)、具有良好特性的模擬集成電路，減輕了電路設(shè)計(jì)師的重?fù)?dān)。TS5A3159DBVR
集成電路或稱(chēng)微電路（microcircuit）、微芯片（microchip）、芯片（chip）在電子學(xué)中是一種把電路（主要包括半導(dǎo)體裝置，也包括被動(dòng)元件等）小型化的方式，并通常制造在半導(dǎo)體晶圓表面上。前述將電路制造在半導(dǎo)體芯片表面上的集成電路又稱(chēng)薄膜（thin-film）集成電路。另有一種厚膜（thick-film）混成集成電路（hybridintegratedcircuit）是由單獨(dú)的半導(dǎo)體設(shè)備和被動(dòng)元件，集成到襯底或線(xiàn)路板所構(gòu)成的小型化電路。集成電路具有體積小，重量輕，引出線(xiàn)和焊接點(diǎn)少，壽命長(zhǎng)，可靠性高，性能好等優(yōu)點(diǎn)，同時(shí)成本低，便于大規(guī)模生產(chǎn)。它不只在工、民用電子設(shè)備如收錄機(jī)、電視機(jī)、計(jì)算機(jī)等方面得到大量的應(yīng)用，同時(shí)在通訊、遙控等方面也得到大量的應(yīng)用。用集成電路來(lái)裝配電子設(shè)備，其裝配密度比晶體管可提高幾十倍至幾千倍，設(shè)備的穩(wěn)定工作時(shí)間也可提高。TS5A3159DBVR
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